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泛林集团推三款开创性的选择性刻蚀产品 此前宣布季度股息1.5美元每股

泛林集团推三款开创性的选择性刻蚀产品 泛林集团深信创新不仅来自于创新者,更需要共同合作、精确细致和努力交付才能实现创新。我们助力第四次工业革命,也是世界领先半导体企业值得...

2022-03-22 标签:集成电路晶圆刻蚀泛林集团 444

泛林集团推开创性的选择性刻蚀解决方案 加速实现3D

泛林集团推开创性的选择性刻蚀解决方案 加速实现3D

通过与客户、技术专家和产品团队的合作,他们已经在选择性刻蚀创新方面实现突破,这将使世界领先的芯片制造商得以提供下一代3D逻辑和存储设备。...

2022-03-22 标签:刻蚀刻蚀工艺泛林集团 303

科幻变现实:喷下即疗愈 生物3D打印绘就生命密码图

在过去的二十年里,许多生物3D打印技术已经被开发出来,被应用于众多生物医学领域,包括组织工程、疾病模型和药物筛选等。尽管如此,大多数生物3D生物打印技术与临床和转化应用还有相...

2022-03-22 标签:3D打印 550

晶盛机电围绕先进材料先进装备战略 2021年度业绩翻倍

晶盛机电围绕先进材料先进装备战略 2021年度业绩翻倍

晶盛机电围绕先进材料先进装备战略 2021年度业绩翻倍 光伏、半导体设备商浙江晶盛机电股份有限公司订单饱满,盈利能力也很强劲,2021年度业绩翻倍。 日前浙江晶盛机电股份有限公司公告了...

2022-03-17 标签:光伏晶盛机电半导体设备 934

【节能学院】电气火灾监控系统在德令哈市新能源有轨电车示范线工程的应用

【节能学院】电气火灾监控系统在德令哈市新能源有轨电车示范线工程的应用

点击蓝字关注我们摘要介绍德令哈市新能源有轨电车示范线工程采用剩余电流式电气火灾探测器,就地组网方式,通过现场总线通讯远传至后台,从而实现剩余电流式电气火灾监控系统的搭建,...

2021-11-19 标签:监控系统 71

LED封装企业木林森预计净利润11.58亿同比增长283.76%

LED封装企业木林森预计净利润11.58亿同比增长283.76%

LED封装企业木林森预计净利润11.58亿同比增长283.76% 根据木林森2021年度业绩快报显示,归属于上市公司股东的净利润11.58亿,同比增长283.76%。业绩可谓亮眼。 我们看到木林森公告显示,在2021年...

2022-03-17 标签:ledLED封装木林森 1458

安靠分析封测行业决定质量的因素

在我们的印象中,日本的制造业往往给人以高端先进的感觉,日本的产品都以质量可靠著称,而日本的工人都以执着的匠人精神而享誉全球。然而就在近几年,日本制造业的丑闻频频被爆出。从...

2022-03-09 标签:SOP安靠 1250

Achronix任命台积电资深高管Rick Cassidy为其董事会成员

“Cassidy先生为Achronix的董事会带来了其超过三十年的半导体和制造经验” 加利福尼亚州圣克拉拉市,2022年3月7日——高性能FPGA和嵌入式FPGA(eFPGA)半导体知识产权(IP )领域的领导者 Achronix...

2022-03-08 标签:fpga台积电晶圆IPAchronix 2744

国产芯片何去何从?关于中国芯片这些话如鲠在喉

作为一家以AI、云计算、通信等技术为核心关注点的自媒体,芯片是永远无法绕开的话题。脑极体最早开始关注芯片是在2017年,彼时华为海思领先苹果发布了全球第一款移动AI芯片麒麟970;梁孟...

2022-03-08 标签:云计算AI国产芯片AI芯片 2828

柔性振动盘视觉上料系统

柔性振动盘视觉上料系统

柔性振动盘是一种适用于工业自动化生产中99%的小型零部件散料排列上料的,它又叫柔性上料盘、柔性振盘、柔性供料器等。弗莱克斯柔性振动盘有五种规格,分别是FF100-FF500,能够解决大小不一...

2021-02-20 标签:振动盘 434

英特尔打造智能制造工厂 国民技术推进数字人民币创新

近年来,面对市场需求多样化、品牌迭代迅速,特别是受疫情、缺芯、原材料涨价等影响,全球供应链受到前所未有的挑战,兰石研究院作为兰石集团牵头重大项目的先锋队,在热交换系统、锻...

2022-03-03 标签:芯片英特尔软硬件国民技术 511

研究碳化硅衬底和外延的实验报告

研究碳化硅衬底和外延的实验报告

摘要 本发明提供一种能够提供低位错缺陷的高质量衬底的单晶碳化硅锭,和由此获得的衬底和外延晶片。 它是一种包含单晶碳化硅的单晶碳化硅锭,该单晶碳化硅含有浓度为2X1018 cm-3至6X 1020...

2022-02-15 标签:晶圆衬底镀膜碳化硅 410

前有上海微电子被列“清单”,后有ASML控诉,半导体设备国产化难度升级

前有上海微电子被列“清单”,后有ASML控诉,半导体设备国产化难度升级

电子发烧友网报道(文/吴子鹏)北京时间2月7日,上海微电子装备(集团)股份有限公司(以下简称:上海微电子)为国内首台2.5D / 3D先进封装光刻机举行了发运仪式,对于这款设备大家其实都...

2022-02-11 标签:光刻机ASML上海微电子 5043

GaN衬底制造过程中N面氮化镓清洗工艺的研究报告

GaN衬底制造过程中N面氮化镓清洗工艺的研究报告

氮化镓由于其宽的直接带隙、高热和化学稳定性,已成为短波长发射器(发光二极管和二极管激光器)和探测器等许多光电应用的诱人半导体,以及高功率和高温电子器件。对于实现先进的氮化...

2022-02-08 标签:氮化镓CMPGaN衬底 584

SPM光刻工艺的研究报告

SPM光刻工艺的研究报告

在这篇文章中,我们华林科纳演示了在钛薄膜上形成纳米尺度阳极氧化物的设备,以及在接触或半接触模式下使用NTMDT公司的求解器PROTM AFM对其进行表征。...

2022-02-08 标签:电极光刻光刻机 547

薄膜MLCC的技术报告

薄膜MLCC的技术报告

本文讨论了传统MLCC技术的最新技术,并将该技术与潜在的MLCC薄膜制造技术进行了比较,讨论了MLCC制造、相关限制、潜在制造技术和设计理念方面的薄膜技术的实用性。同时还考虑了电子行业的...

2022-02-08 标签:电容纳米技术MLCC纳米 492

碳化硅和碳氮化硅薄膜的沉积方法

碳化硅和碳氮化硅薄膜的沉积方法

摘要 本文提供了在衬底表面上沉积碳化硅薄膜的方法。这些方法包括使用气相碳硅烷前体,并且可以釆用等离子体增强原子层沉积工艺。该方法可以在低于600“C的温度下进行,例如在大约23丁...

2022-02-07 标签:半导体碳化硅电沉积 324

东芝新推出的1200V和1700V碳化硅MOSFET模块

​东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)已推出两款碳化硅(SiC) MOSFET双模块:额定电压为1200V、额定漏极电流为600A的“MG600Q2YMS3”;额定电压为1700V、额定漏极电流为400A的“MG400V2YMS3”...

2022-02-01 标签:MOSFET东芝IGBT碳化硅 2574

使用超临界二氧化碳剥离碳化光刻胶的实验

使用超临界二氧化碳剥离碳化光刻胶的实验

关键词:超临界清洗,离子注入光刻胶,光刻胶剥离 摘要 本文提出了一种有效的、环保的干剥离方法,使用超临界二氧化碳(SCCO2)系统,在40℃到100℃和压力从90巴到340巴时去除离子植入的光刻剂...

2022-01-27 标签:半导体晶圆化学光刻胶 1245

关于硅的湿化学蚀刻机理的研究报告

关于硅的湿化学蚀刻机理的研究报告

摘要 本文从晶体生长科学的角度回顾了单晶的湿化学蚀刻。起点是有光滑和粗糙的晶体表面。光滑面的动力学是由粗糙面上不存在的成核势垒控制的。因此后者蚀刻速度更快数量级。对金刚石...

2022-01-25 标签:半导体晶体化学蚀刻蚀刻工艺 1152

关于薄膜金刚石的化学机械抛光的研究报告

关于薄膜金刚石的化学机械抛光的研究报告

摘要 纳米晶金刚石(NCD)可以保留单晶金刚石的优越杨晶模量(1100GPa),以及在低温下生长的能力(450C),这推动了NCD薄膜生长和应用的复兴。然而,由于晶体的竞争生长,所产生的薄膜的粗糙度随着...

2022-01-25 标签:机械晶圆化学金刚石抛光 1144

关于硫酸-过氧化氢-水系统中砷化镓的化学蚀刻研究报告

关于硫酸-过氧化氢-水系统中砷化镓的化学蚀刻研究报告

摘要 我们华林科纳对h2so4-h202-h20体系中(100)砷化镓的蚀刻情况进行了详细的研究。研究了特定蚀刻剂成分的浓度对蚀刻速率和晶体表面形状的影响。从这些结果中,蚀刻浴组成的吉布斯三角形...

2022-01-25 标签:半导体化学蚀刻砷化镓蚀刻工艺 883

长电科技发出预增公告,2021业绩丰收已无悬念

在2021年的前三季度,长电科技延续了自2020年以来的快速发展势头,专业化、国际化管理所带来的盈利能力与运营效率提升效果仍在持续释放,企业营收和利润一再打破历史同期纪录。因此,对...

2022-01-25 标签:半导体SiP封装封测长电科技 3686

关于氧化锌的基本性质和应用的报告

关于氧化锌的基本性质和应用的报告

本文概述了氧化锌的基本性质,包括晶体结构、能带结构和热性质,并介绍了其应用前景、氧化锌块体、薄膜和纳米结构,氧化锌的机械性质、基本电子和光学性质以及潜在的应用。 晶体结构...

2022-01-18 标签:显示器半导体晶体氧化锌 653

吉方定制化服务,持续为客户提升价值

吉方定制化服务,持续为客户提升价值

吉方工控拥有完善的供应链体系,多年来与英特尔保持战略合作关系,与国产芯片厂商也有良好的互动。在以客户为导向的工作原则指导下,我们对供应链进行了科学的管理和严格的品控。...

2022-01-17 标签:cpu吉方工控 280

Transphorm的快速充电器和电源适配器用GaN器件

高可靠性、高性能氮化镓(GaN)电源转换产品的先驱和全球供应商Transphorm, Inc. (OTCQX: TGAN)今天宣布,该公司2021年12月份的SuperGaN® Gen IV场效应晶体管(FET)出货量突破100万大关。这一里程碑进一步证实...

2022-01-16 标签:充电器FET电源适配器GaNTransphorm 2792

半导体硅太阳能电池基板的湿化学处理及电子界面特性

半导体硅太阳能电池基板的湿化学处理及电子界面特性

引言 硅(Si)在半导体器件制造中的大多数技术应用都是基于这种材料的特定界面性能。二氧化硅(二氧化硅)可以通过简单的氧化方法在硅表面制备,其特点是高化学和电稳定性。晶体硅在光伏...

2022-01-13 标签:太阳能半导体电子硅片电池 1191

用于刻蚀多晶硅表面的HF-HNO3-H2SO4/H2O混合物

用于刻蚀多晶硅表面的HF-HNO3-H2SO4/H2O混合物

硅表面常用的HF-HNO3-H2O蚀刻混合物的反应行为因为硫酸加入而受到显著影响。HF (40%)-HNO3 (65%)-H2SO4 (97%)混合物的最大蚀刻速率为4000–5000 NMS-1,w (40%-HF)/w (65%-HNO3)比为2比4,w (97%-H2SO4)0.3.对于较高浓...

2022-01-13 标签:多晶硅半导体晶圆刻蚀刻蚀工艺 645

半导体有机酸清洗液中的铜的蚀刻速率和氧化机理分析

半导体有机酸清洗液中的铜的蚀刻速率和氧化机理分析

引言 用电化学和原子力显微镜方法对有机酸与铜的相互作用进行了表征可以建立用于湿铜加工的高效清洗公式。本文研究了单有机酸、二有机酸和三有机酸中铜的蚀刻速率和氧化机理。除了草...

2022-01-13 标签:半导体电化学蚀刻清洗蚀刻工艺 438

DB HiTek凭借RF SOI/HRS工艺拓展射频前端业务

DB HiTek已宣布通过基于130/110纳米技术的射频绝缘体上硅(RF SOI)和射频高电阻率衬底(RF HRS)工艺来拓展射频前端业务。 射频前端是无线通信的必备器件,其负责IT设备之间的发射(Tx)和接收(Rx),并广...

2022-01-13 标签:射频射频芯片SOI射频前端智能硬件 2289

蚀刻工艺关于湿化学处理后InP表面的研究

蚀刻工艺关于湿化学处理后InP表面的研究

引言 本文将讨论在不同的湿化学溶液中浸泡后对InP表面的氧化物的去除。本文将讨论接收衬底的各种表面成分,并将有助于理解不同的外原位湿化学处理的影响。这项工作的重点将是酸性和碱...

2022-01-12 标签:InP技术化学蚀刻物理衬底 717

关于晶体硅太阳能电池单面湿法化学抛光的方法

关于晶体硅太阳能电池单面湿法化学抛光的方法

引言 高效太阳能电池需要对硅片的正面和背面进行单独处理。在现有技术中,电池的两面都被纹理化,导致表面相当粗糙,这对背面是不利的。因此,在纹理化后直接引入在线单面抛光步骤。...

2022-01-12 标签:太阳能电池太阳能半导体晶体硅抛光 403

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