存储大厂将企业级SSD容量推向128TB
电子发烧友网报道（文/黄晶晶）近日，在FMS 2024上，西部数据、Solidigm等存储厂商都展示了面向数据中心的企业级SSD，其容量高达128TB。看来，AI时代一举将SSD需求推向更高的阶段。 随着人工...
2024-08-15 1097
瀚海微SD NAND存储功能描述（8）专用命令CMD55 56
应用专用命令app_cmd (CMD55) 当卡接收到这个命令时，会使卡将下面的命令解释为一个特定于应用程序的命令ACMD。ACMD提供命令扩展，具有与常规命令相同的结构，并且可能具有相同的CMD号。卡通过...
2024-08-08 753
Microchip推出高性能第五代PCIe®固态硬盘控制器系列
Flashtec® NVMe® 5016 控制器经过优化，可管理不断增长的企业和数据中心工作负载 人工智能（AI）的蓬勃发展和云服务的快速普及正推动对更强大、更高效和更高可靠性的数据中心的需求。为满...
2024-08-07 576
DDR5 MRDIMM内存标准将发，存储厂商方案先行
电子发烧友网报道（文/黄晶晶）最近，JEDEC固态技术协会宣布DDR5 MRDIMM 和 LPDDR6 CAMM技术标准即将推出。在标准正式发布之前，SK海力士、三星、美光等厂商已经着手DDR5 MRDIMM产品的研发，并发布...
2024-07-31 4575
江波龙FORESEE XP2300 PCIe SSD：引领AI PC存储革新的旗舰级解决方案
随着AI计算平台迎来了新一轮升级浪潮，业界巨头们纷纷推出了各自的创新产品：NVIDIA的Rubin GPU、Intel的至强6处理器、以及AMD的锐龙和EPYC系列处理器，均强调了AI加速的核心地位。这些技术进步...
2024-08-01 597
SK海力士携手Waymo提供第三代高带宽存储器(HBM2E)技术
据最新消息，SK海力士正携手Waymo，为其标志性的自动驾驶汽车项目“谷歌汽车”提供前沿的第三代高带宽存储器（HBM2E）技术。这一合作预示着随着自动驾驶技术的日益普及，HBM不仅将在人工智...
2024-08-15 227
韩国上半年存储芯片出口激增
据南韩媒体报道，今年上半年，韩国存储芯片对台湾地区的出口呈现出惊人的增长态势，同比增长率高达225.7%，出口额更是飙升至42.6亿美元。这一显著增长的主要驱动力来自SK海力士，该公司积...
2024-08-13 305
2024年AI SSD采购容量预计突破45EB
随着人工智能（AI）技术的飞速发展，其对于数据存储和处理的需求也呈现出爆发式增长。据知名市场调研机构TrendForce集邦咨询的最新报告，由于AI需求的急剧升温，AI服务器相关客户在最近两...
2024-08-13 394
SK海力士FMS 2024峰会揭秘:UFS 4.1存储新品引领未来性能飞跃
在近日举行的FMS 2024峰会上，SK海力士震撼发布了其存储技术的最新成果，其中最为引人注目的便是尚未正式公布标准的UFS 4.1通用闪存技术预览。这一前瞻性的展示，不仅彰显了海力士在存储领...
2024-08-09 443
是德科技与恩智浦半导体共同推动汽车数字钥匙解决方案
是德科技（Keysight Technologies， Inc.）自豪地宣布，其设备安全研究领域的合作伙伴Riscure Security Solutions已成功协助恩智浦半导体（NXP Semiconductors）获得了首个汽车连接联盟（CCC）数字钥匙小程序...
2024-08-08 350
三星否认HBM3E芯片通过英伟达测试
近日，有关三星的8层HBM3E芯片已通过英伟达测试的报道引起了广泛关注。然而，三星电子迅速对此传闻进行了回应，明确表示该报道并不属实。...
2024-08-08 335
SK海力士美国封装厂获巨额补贴与贷款支持
近日，SK海力士与美国商务部共同宣布了一项重大合作进展，双方已正式签署了一份具有前瞻性的初步备忘录。根据协议内容，SK海力士计划在美国建设的先进封装生产基地将享受到来自美国政...
2024-08-08 340
美光研发出世界首款PCIe Gen6 SSD
美光公司近期宣布，已成功研发出世界首款PCIe Gen6 SSD，这款设备可实现超26GB/s的顺序读取速度，以此满足未来数据中心需求，再度彰显其在存储技术方面的卓越竞争力。就在最近，他们刚刚推...
2024-08-07 341
Solidigm推出两款数据中心固态存储硬盘(SSD)
2024年8月7日，上海讯 —— 全球NAND闪存技术的创新先锋Solidigm公司今日隆重推出了两款专为现代数据中心设计的顶级固态存储硬盘（SSD）：Solidigm D7-PS1010与D7-PS1030。这两款基于PCIe 5.0接口的超高...
2024-08-07 260
【MK米客方德SD NAND】嵌入式高效存储
作为全球首家推出基于SLC开发SD NAND产品的原厂，MK米客方德推动了存储技术的创新，为广大用户提供了高性能的存储解决方案。...
2024-08-07 254
三星量产最薄LPDDR5X内存，技术再突破
三星电子今日正式宣告，其业界领先的超薄LPDDR5X内存封装技术已进入量产阶段，再次引领内存技术潮流。此次推出的LPDDR5X内存封装，以惊人的0.65mm封装高度，实现了对上一代产品0.71mm厚度的显...
2024-08-07 639
SK海力士GDDR7显存性能飙升60%
全球领先的半导体制造商SK 海力士近日宣布了一项重大突破，正式推出了全球性能巅峰的新一代显存产品——GDDR7。这款专为图形处理优化设计的显存，凭借其前所未有的高速与卓越性能，再次...
2024-08-07 424
江波龙SLC NANDFlash存储芯片出货量超5000万颗
江波龙电子近期公布的投资者关系活动数据显示，公司在高端存储技术领域持续加大研发投入，2024年上半年研发费用较去年同期实现显著增长，彰显了其在企业级、工规级存储器，以及自研主...
2024-08-07 511
英飞凌2024财年第三季度营收和利润略有增长
预计2024财年第四季度业绩表现将进一步改善，整个2024财年的营收预期符合之前给出的业绩指导范围 2024财年第三季度：营收为37.02亿欧元，利润达7.34亿欧元，利润率为19.8%。 2024财年第四季度...
2024-08-06 123
西部数据携全新解决方案亮相FMS2024，推动释放人工智能创新力量
全新推出的西部数据AT EN610是一款车规级，高性能，支持宽温工作范围的存储解决方案，专为满足下一代高性能中央计算（High-Performance Centralized Computing, HPCC）架构的严苛需求而设计。AT EN610采用...
2024-08-06 292
多家初企积极囤积三星电子高带宽存储器芯片
据多位知情人士透露，面对美国可能加强对华芯片出口的限制，中国科技巨头如百度、多家大型企业及初创企业正积极囤积三星电子生产的高带宽存储器（HBM）芯片，以确保技术发展的持续动力...
2024-08-06 252
三星电子实现低功耗LPDDR5X DRAM的量产
三星电子于6日正式宣布，其已成功实现业内领先的12纳米级低功耗双倍数据速率动态随机存储器（LPDDR5X DRAM）的量产，这款存储器以惊人的0.65毫米封装厚度引领行业，同时提供12GB及16GB的存储容...
2024-08-06 263
存储卡参考设计——MK品牌 SD NAND
为了确保芯片能正常上电初始化，电压要在0.5V以下至少1ms；电源上升的时候需要保持电源是稳定的、持续上升的，上升到正常工作电压的时间是0.1ms-35ms；主机关闭电源时，将卡的VDD降至0.5伏以...
2024-08-05 231
SK海力士HBM营收暴涨250%
韩国存储芯片巨头SK海力士近日发布了其截至2024年6月30日的2024财年第二季度财务报告，这份报告展现出了公司在复杂市场环境下的强劲韧性与增长潜力。尽管全球股市，尤其是美股科技板块遭...
2024-08-05 403
边缘AI时代已至，如何突破存储瓶颈？
AI 智驭未来， 2024 迈入存储元年 “AI 一天，人间一年”，一句市场流行语完美阐释了如今AI大模型的高速发展和广泛应用。以人们日常使用的智能手机为例，众多知名厂商在AI浪潮席卷之下，紧...
2024-08-05 131
泛林集团推出第三代低温电介质蚀刻技术Lam Cryo 3.0，助力3D NAND迈向千层新纪元
在半导体技术日新月异的今天，美国领先的半导体设备制造商泛林集团（Lam Research）再次引领行业创新，正式推出其经过严格生产验证的第三代低温电介质蚀刻技术——Lam Cryo 3.0。这一里程碑式...
2024-08-05 474
SK海力士即将亮相FMS 2024，展示AI存储器技术新突破
SK海力士即将在8月6日至8日于美国圣克拉拉举办的全球半导体存储器峰会FMS 2024上大放异彩，向全球业界展示其在存储器技术领域的最新进展与对人工智能（AI）未来的深邃洞察。此次参展，SK海...
2024-08-05 292
来一发干货，一篇文章教会你如何利用PCIe扩展SSD硬盘存储
在当今高性能计算机体系架构中，PCIe（PeripheralComponentInterconnectExpress）通道扮演着数据高速传输的核心角色，以其卓越的传输速度、极低的延迟特性以及强大的可扩展能力，在众多领域熠熠生辉...
2024-08-02 322
SK海力士加速NAND研发，400+层闪存量产在即
韩国半导体巨头SK海力士正加速推进NAND闪存技术的革新，据韩媒最新报道，该公司计划于2025年末全面完成400+层堆叠NAND闪存的量产准备工作，并预计于次年第二季度正式开启大规模生产。这一举...
2024-08-02 821
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