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标签 > 氮化镓
氮化镓,分子式GaN,英文名称Gallium nitride,是氮和镓的化合物,是一种直接能隙(direct bandgap)的半导体,自1990年起常用在发光二极管中。
双基色LED显示屏由红色和绿色LED灯组成,256级灰度的双基色显示屏可显示65,536种颜色(双色屏可显示红、绿、黄3种颜色)。全彩色LED显示屏由红...
通过凹槽切断栅极下方的2DEG,使得器件在零栅压下为关断状态。当正栅压增至大于阈值电压时,将在栅界面处形成电子积累层以作为器件的导电沟道,器件呈导通状态。
在现代汽车中,增加的重量和更宽的前轮胎使无辅助转向变得不切实际,因为对操作员的阻力增加。因此,几年前,采用了电动助力转向。一开始,对驾驶员的辅助是通过液...
第三代半导体是以碳化硅SiC、氮化镓GaN为主的宽禁带半导体材料,具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子密度、高迁移率、可承受大功率等特点。
作为高可靠性芯片连接技术,银烧结技术得到了功率模块厂商的广泛重视,一些功率半导体头部公司相继推出类似技术,已在功率模块的封装中取得了应用。
近年来,以SiC(SiC)、氮化镓(GaN)等材料为代表的化合物半导体因其宽禁带、高饱和漂移速度、高临界击穿电场等优异的性能而饱受关注。
1A2C-65W氮化镓(GaN)快充方案,快充方案支持90~264V宽输入电压,输出支持5V/3A,9V/3A,12V/3A,15V/3A,20V/3....
发货量超75,000,000颗!纳微半导体创氮化镓功率器件出货“芯”高峰
下一代功率半导体领导者创下行业新里程碑,全面进军电动汽车、数据中心、太阳能、家用电器、工业和移动快充领域,该市场潜力达每年130亿美元。 美国加利福尼亚...
纳微新一代GaNSense™ Control合封芯片详解:更高效稳定、成本更优的氮化镓功率芯片
自氮化镓进军快充市场以来,不过短短几年时间,其凭借着极高的电能转换效率和优秀的高频特性,使得采用氮化镓功率芯片的充电器, 能在体积和重量只有传统硅器件充...
纳微半导体发布全新GaNSense™ Control合封氮化镓芯片,引领氮化镓迈入集成新高度
高频、高压的氮化镓+低压硅系统控制器的战略性集成, 实现易用、高效、可快速充电的电源系统 美国加利福尼亚州托伦斯,2023年3月20日讯 —— 唯一全面...
针对工业和400V系统汽车电源,PI推出新款PowiGaN InnoSwitch-3器件
PI宣布推出900V氮化镓(GaN)器件,为InnoSwitch3系列反激式开关IC再添新品。新IC采用了PI特有的PowiGaN技术,可提供高达100...
价格下降、与Si器件价差缩小,氮化镓或成终端厂商进入高端市场的“宝剑”
价格下降、与Si器件价差缩小 ,氮化镓 或成终端厂商进入高端市场的“宝剑” 电子发烧友网报道(文/莫婷婷)作为第三代半导体,氮化镓材料由于具备禁带宽...
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