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电子发烧友网>模拟技术>

模拟技术

电子发烧友网为用户提供了专业的模拟技术文章和模拟电子技术应用资料等;是值得收藏和分享的模拟技术与电子技术栏目。

硅数股份科创板IPO终止,TCON芯片客户包括LG、三星、京东方等

电子发烧友网报道(文/李弯弯)日前,上交所公告,因硅谷数模(苏州)半导体股份有限公司及其保荐机构中信建投证券撤回发行上市申请,上交所终止其首次公开发行股票并在科创板上市的...

2024-08-13 标签:京东方硅谷数模LGipoTCON科创板三星 1339

“三高一降”光伏储能系统趋势及其模拟芯片解决方案

“三高一降”光伏储能系统趋势及其模拟芯片解决方案

随着全球能源需求的增长和环保意识的提高,可再生能源,尤其是光储系统得到了日益广泛的应用。光储系统,又称太阳能光伏储能发电系统,由光伏设备和储能设备组成,用于发电和能量存储...

2024-08-13 标签:储能模拟芯片光伏储能纳芯微 755

短小精悍:5mV1kHz信号放大1000倍,需要注意什么?

短小精悍:5mV1kHz信号放大1000倍,需要注意什么?

搭建电路需要注意项,以同相放大电路为例:我需要将输入信号(5mV,1kHz)的小信号进行放大,放大倍数为1000倍,需要考虑什么?...

2024-08-12 标签:电路放大电路信号放大 652

液位传感器,你选对了吗?

液位传感器,你选对了吗?

一流液位传感器系列产品与应用分解...

2024-08-07 标签:斯丹电子液位传感器磁传感器干簧传感器干簧管液位计 1701

逐渐突出重围的国产AFE芯片

电子发烧友网报道(文/黄山明)在新能源技术快速发展的背景下,电池作为能量存储和转换的关键组件,在电动汽车、移动设备、储能系统等多个领域发挥着至关重要的作用。锂电池因其高能...

2024-08-06 标签:AFE模拟前端模拟芯片 2511

第7代IGBT正开始在储能领域大放异彩

第7代IGBT正开始在储能领域大放异彩

  电子发烧友网报道(文/黄山明)在储能技术高速发展的今天,更强的发电与蓄电能力,更高的能源管理效率,更稳定的输送能力都是相关企业追求的方向,这就需要功能更强的IGBT来满足当前...

2024-08-05 标签:IGBT储能 2175

安谋科技异构算力赋能AI计算,此芯科技首款AI PC芯片发布

安谋科技异构算力赋能AI计算,此芯科技首款AI PC芯片发布

7月30日,此芯科技集团有限公司(以下简称“此芯科技”)AI PC战略暨首款芯片发布会在上海举行,正式推出了其首款专为AI PC打造的异构高能效芯片产品——“此芯P1”。作为国产新一代AI PC算...

2024-07-31 标签:异构计算算力安谋科技此芯科技AI PCAI PC安谋科技异构计算此芯科技算力 808

今日看点丨消息称下一代奥迪 A5将首次搭载华为智驾方案;思科全球裁员6300人

1. 消息称下一代奥迪 A5 在中国将首次搭载华为智驾方案   据报道,下一代奥迪 A5 基于 PPC 平台打造,在中国将搭载华为智能驾驶解决方案。奥迪中国对此消息回应称,奥迪的举措是与来自本土...

2024-08-15 标签:奥迪 0

芯海科技推出高性价比信号链MCU芯片CS32F061

芯海科技近日隆重推出了其32位通用MCU系列的新星——CS32F061(简称F061),这款集成了12位DAC的高性价比信号链MCU芯片,以其卓越的模拟特性、强大的数据处理能力和灵活的通信接口设计,为嵌...

2024-08-14 标签:mcudac芯海科技 349

MOSFET上桥故障原因及解决办法

MOSFET(金属-氧化物半导体场效应晶体管)上桥故障是电子电路中常见的问题之一,通常指的是在电机控制系统中,由于上桥臂的MOSFET出现问题,导致电机无法在控制器的指令下正常工作。...

2024-08-12 标签:MOSFET场效应晶体管 282

贸泽电子开售适用于压力传感器应用的 Analog Devices MAX40109低功耗精密传感器接口

2024 年 8 月 5 日 – 专注于引入新品的全球半导体和电子元器件授权代理商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起开售Analog Devices, Inc. (ADI) 的MAX40109低功耗精密传感器接口片上系统 (SoC)。该SoC集成了高...

2024-08-08 标签:传感器 471

今日看点丨英飞凌全球最大SiC芯片厂启动生产;传戴尔将裁员1.25万人

1. 喊停!传特斯拉取消东南亚设厂计划   据媒体报道,消息人士指电动车巨头特斯拉可能放弃在东南亚开设电动车制造厂的计划,因为特斯拉在全球的设厂计划都已喊停。   消息人士说,特斯...

2024-08-08 标签:英飞凌戴尔SiC 461

预登记火热进行中!NEPCON ASIA 2024亚洲电子展汇聚“新”光,11月6-8日与您共同点亮电子制造新未来!

预登记火热进行中!NEPCON ASIA 2024亚洲电子展汇聚“新”光,11月6-8日与您共同点

作为具有广泛影响力的电子制造专业展会,2024 NEPCON ASIA亚洲电子展将于2024年 11 月 6 日至 8 日在深圳国际会展中心(宝安)举办。本届展会预计汇聚来自全球600+高质量展商,综合呈现全球电路...

2024-08-07 标签:微电子 155

德州仪器带你探索模拟技术的重要作用

德州仪器带你探索模拟技术的重要作用

研究公司 Omdia 发表的报告显示,通用模拟 IC 市场持续扩大,预计到 2027 年将超过 400 亿美元。...

2024-08-06 标签:德州仪器模拟技术模拟半导体德州仪器模拟半导体模拟技术模电 746

富昌电子推出英飞凌新品试用——基于光声光谱 (PAS) 技术的创新性CO2传感器

中国上海 –2024 年 8 月 2 日 – 越来越高效的楼宇隔热保温性能有助于减轻气候变化的影响。然而,隔热良好但通风不良的建筑会导致二氧化碳(CO2)的积聚,即使中等浓度的二氧化碳也会对健...

2024-08-02 标签:富昌电子 743

高精度实时时钟模块深度解析之一:频率漂移补偿的原理及设计

高精度实时时钟模块深度解析之一:频率漂移补偿的原理及设计

RTC作为现代电子系统不可或缺的一部分,为各种应用提供了精确的时间基准。随着物联网、通信、电力、安防、医疗等领域的快速发展,对高精度时间同步的需求日益增加。...

2024-08-01 标签:实时时钟RTCRTC实时时钟频率漂移 840

聚焦新能源,贸泽电子2024技术创新论坛合肥站即将开启

聚焦新能源,贸泽电子2024技术创新论坛合肥站即将开启

2024 年 7 月 31 日 – 专注于引入新品并提供海量库存™的电子元器件代理商贸泽电子 (Mouser Electronics)宣布将于8月9日在合肥举办2024贸泽电子技术创新论坛第二期主题活动。本次论坛将围绕“新能...

2024-08-01 标签:贸泽电子 121

SK海力士在HBM领域中MR-MUF技术的发展

SK海力士在HBM领域中MR-MUF技术的发展

挑战传统,打破限制,勇攀高峰,打破常规者们在寻求开创性解决方案的过程中重塑规则。继SK海力士品牌短片《谁是打破常规者》播出后,将推出一系列文章,展示公司在重塑技术、重新定义...

2024-07-30 标签:DRAM存储器SK海力士HBM 642

今日看点丨台积电A14制程将于2026年上半年进行风险试产;SK海力士推出全球最高

1. 传苹果将于明年3 月在印度生产iPhone 16 Pro 系列   苹果正在扩大在印度的制造足迹。据报道,苹果计划在印度生产高端iPhone 16 Pro和Pro Max机型。苹果还计划通过降价和本地化生产来增加其在印...

2024-07-30 标签:台积电SK海力士GDDR 395

温漂特性问题分析实验 改善HJG598的温漂与输出噪声

温漂特性问题分析实验 改善HJG598的温漂与输出噪声

通过实验找到器件解调部分的输入信号-输出信号的建立响应时间较长的根本原因,并对工作频率、响应时间与输出噪声电压的关系进行了探讨与验证,明确了其之间相互影响的关系,并提出了...

2024-07-29 标签:噪声LVDTLVDT信号调理电路噪声温漂 822

华太电子理想二极管在防反接保护电路、ORing中的应用

华太电子理想二极管在防反接保护电路、ORing中的应用

在电源系统中,通常需要设计防反接保护,以防止现场电源接线错误导致的短路大电流烧毁元器件的情况出现。在防反接保护电路中,大多数设计采用二极管或PMOS管的方案,如下图所示。 ①主...

2024-07-26 标签:二极管保护电路PMOS华太电子PMOS二极管保护电路华太电子理想二极管 1528

贸泽开售适合能量转换应用的新型英飞凌CoolSiC G2 MOSFET

2024 年 7 月 24 日 – 专注于引入新品的全球电子元器件和工业自动化产品授权代理商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起开售英飞凌公司的CoolSiC™ G2 MOSFET。CoolSiC™ G2 MOSFET系列采用新一代碳化硅 ...

2024-07-25 标签:英飞凌贸泽 493

Qorvo SiC FET在ZVS软开关技术应用中的卓越表现

Qorvo SiC FET在ZVS软开关技术应用中的卓越表现

从石器时代到信息时代,人类对高效率的追求从未停止。如今,随着人工智能、电动汽车和可再生能源系统等前沿科技的蓬勃发展,电力电子设备面临的挑战与日俱增。开关损耗一直是影响电力...

2024-07-25 标签:软开关SiCQorvoQorvoSiCZVS软开关 889

今日看点丨龙芯 3C6000 服务器 CPU 流片成功;夏普收购富士康4G、5G标准必要专利

1. 台积电中国大陆超急订单激增,客户甘愿支付40% 溢价   据业内消息人士透露,台积电收到了中国大陆客户超级急件(SHR)订单量的增加,客户愿意为此支付40%的溢价。消息人士称,中国大陆...

2024-07-25 标签:夏普4Gcpu富士康服务器5G 845

增强型MOS管的结构解析

增强型MOS管(Enhancement MOSFET)是一种重要的场效应晶体管,具有高输入阻抗、低输入电流、高速开关和低噪声等优点,被广泛应用于电子设备中。以下是对增强型MOS管结构的详细解析。...

2024-07-24 标签:MOS管晶体管MOS管增强型晶体管 454

沟槽型IGBT与平面型IGBT的差异

沟槽型IGBT与平面型IGBT的差异

沟槽型IGBT(沟槽栅绝缘栅双极型晶体管)与平面型IGBT(平面栅绝缘栅双极型晶体管)是两种常见的绝缘栅双极型晶体管(IGBT)结构,它们在电力电子器件领域中扮演着重要角色。以下将从定义...

2024-07-24 标签:IGBT晶体管IGBT晶体管沟槽型 368

MOSFET阈值电压是什么?影响MOSFET阈值电压的因素有哪些?

MOSFET阈值电压是什么?影响MOSFET阈值电压的因素有哪些?

MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)是现代电子学中极为重要的器件之一,广泛应用于集成电路、电源管理、信号处理等多个领域。其核心特性之一便是其阈值电压(Threshold Voltage, 通常表...

2024-07-23 标签:MOSFET半导体晶体管 1425

MOS管源极和漏极是什么意思

MOS管,全称为Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor(金属-氧化物-半导体场效应晶体管),是一种广泛应用的半导体器件。在MOS管中,源极(Source, S)和漏极(Drain, D)是两个关键的电极,它们...

2024-07-23 标签:半导体MOS管MOS管半导体源极 727

场效应管控制电流大小的原理

场效应管(Field Effect Transistor,简称FET)控制电流大小的原理主要基于其独特的电压控制特性。FET是一种电压控制型半导体器件,通过改变栅极(Gate)与源极(Source)之间的电压(Vgs)来控制漏...

2024-07-23 标签:半导体场效应管FET 367

场效应管怎样调节电流

场效应管(Field Effect Transistor,简称FET)在电路中调节电流的方式主要通过控制其栅极(Gate)电压来实现。以下将详细阐述场效应管如何调节电流,包括其工作原理、控制方法、实际应用以及注...

2024-07-23 标签:电流场效应管NMOS 297

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