并非所有非易失性或闪存 FPGA 器件都是一样的。本文探讨了真正的非易失性FPGA的优势 - 包括显著降低功耗、更快的响应时间、无与伦比的可靠性和不折不扣的安全性 - 是无法复制的。
2022-11-14 15:34:19
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/48-BGA1M128Kx8MR0A08 3.3V 35ns I,E 44-TSOP2/48-BGA128Kx8MROD08 3.3VDD(1.8VI/O) 45ns C 48-BGA64Kx16MROA16
2013-07-12 15:42:06
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2022-07-12 10:20:41
0 开发。 Everspin的16兆位非易失性存储芯片MR4A16BMA35 MRAM专为需要极高数据可靠性和速度的应用而设计，具有市场上最快的非易失性存储器、对称的读/写性能和无限的耐用性，使系统设计人员受益匪浅。这些内存功能可确保自动化设计人员在每次发生
2022-04-18 17:34:33244 可以保持数据持久性和完整性、低功耗等特性，在应用程序设计中起到了安全性至关重要的作用，应用在数据中心、云存储、能源、工业、汽车和运输市场等， Everspin 科技公司为世界上 MRAM 用户建立了最强
2022-03-15 15:45:22241 STT-MRAM是通过自旋电流实现信息写入的一种新型非易失性磁随机存储器，是磁性存储器MRAM的二代产品。STT-MRAM存储的结构简单，它省略了...
2022-02-07 12:36:255 Everspin是设计制造MRAM、STT-MRAM的翘楚，其市场和应用涉及数据持久性和完整性，低延迟和安全性至关重要。在磁存储器设计，制造和交付...
2022-01-26 18:14:019 Everspin Technologies，Inc是设计制造MRAM和STT-MRAM的全球领导者其市场和应用领域涉及数据持久性和完整性，低延迟和安全性至关重要。E...
2022-01-25 19:29:142 MRAM速度快且非易失性。实时监控的传感器数据可以实时写入，无需负载均衡或ECC开销。AEC-Q1001级合格MRAM将在发动机罩下应用的扩展温度（-40℃至125℃）内保留数据20年。意外断电不会
2021-12-07 17:30:24254 文章介绍一些应用在血液透析机上的非易失性MRAM. 血液透析机使用Everspin 4Mb和16Mb MRAM产品是因为MRAM固有的非易失性、不需要电池或电容器、无限的非易失性写入耐久性和非易失性写入周期和读取周期的高速。这些独特的MRAM属性提高了
2021-11-11 16:26:49214 Everspin非易失性存储器MR25H40VDF是具有SPI接口的MRAM，MR25H40VDF是组织为512Kx8的4Mb非易失性RAM，采用标称3.3V电源供电，并且与FRAM兼容。它提供标准
2021-10-11 16:12:21234 MRAM像SRAM一样是快速写入的，而像Flash一样也是非易失性的，但是不需要页面擦除或长写入周期。事件数据可以以总线速度保存到MRAM，并且即使意外断电或掉电也可以保持持久性。本篇
2021-09-28 16:51:52538 Everspin公司生产的MRAM用于数据持久性和应用的市场和应用。Everspin MRAM应用在数据中心和云存储、汽车和运输市场。MRAM是一种利用电子自旋来存储信息的存储技术。MRAM具有成为通用存储器的潜力——能够将存储存储器的密度与 SRAM 的速度相结合，同时具有非易失性和节能性。
2021-08-17 16:26:191385 低功耗设计的植入人体的增强生命的患者监护设备，小尺寸内存，赛普拉斯FRAM 提供即时非易失性和几乎无限的耐用性，而不会影响速度或能源效率。本篇文章介绍64Kbit非易失性铁电存储器FM25640B。
2021-06-30 15:42:461018 Everspin成立于2006年，是从飞思卡尔分离出来的一家半导体科技公司，以领导非易失性MRAM存储芯片为公司主导致力于非易失性存储芯片的发展，是全球唯一一家专业生产销售磁性随机存取内存（MRAM），目前该产品已经应用于多个行业，如人工智能，金融数据等。
2021-06-25 09:39:34578 MRAM是一种非易失性存储技术，可以在不需要电源的情况下将其内容保留至少10年。它适用于在系统崩溃期间需要保存数据的商业应用。基于MRAM的设备可以为“黑匣子”应用提供解决方案，因为它以SRAM
2021-06-23 16:16:26428 MRAM是一种利用电子自旋来存储信息的存储技术。MRAM具有成为通用存储器的潜力，能够将存储存储器的密度与SRAM的速度相结合，同时具有非易失性和节能性。MRAM可以抵抗高辐射，可以在极端温度条件下运行，并且可以防篡改。这使得MRAM适用于汽车、工业、军事和太空应用。
2021-06-16 16:55:18448 可靠性和低能耗的强大环境而设计，其系统具有快速，对称的读/写性能和无限的耐用性。这些优势使RIM的三相智能电表能够快速，频繁且即时地非易失性存储关键电表数据。在断电或篡改的情况下，RIM系统能够立即将关键数据保存并保护到MRAM，而无需外部电池或超级电容器。 因此在重新启动或授权访问RIM仪表
2021-05-11 17:15:59257 现有非易失性内存文件系统都以DRAM模拟非易失性内存（Non- Volatile memory，NVM）进行测试，而没有充分考虑两者间的写时延和写磨损特性差异，使得测试结果无法准确反映文件系统在
2021-05-07 11:05:2013 Everspin半导体为环境苛刻的应用，如军事、航空航天、工业和汽车系统等提供非易失性存储技术。Angstrom Aerospace在其磁力计子系统中使用Everspin的温度范围更大的4Mbit
2021-04-30 17:17:53240 可在断电时自动保护数据，以防止在不符合规定的电压情况下进行写操作。对于必须快速永久存储和检索关键数据和程序的应用，MR3A16A是理想的存储器解决方案。 MR3A16A非易失性MRAM提供小尺寸的48
2021-04-30 16:33:21384 
MB85R8M2T上运行，但还允许系统设计人员利用MRAM的四倍随机存取周期时间。Everspin 8Mb MRAM MR3A16ACMA35采用48引脚BGA封装。 MR3A16ACMA35的优点 与富士通
2021-04-26 14:25:21284 
MR5A16A是一个33，554，432位MRAM存储芯片器件，组织为2097152个16位字。MR5A16A提供SRAM兼容的35ns读/写时序（对于汽车温度选项为45ns），并且具有无限的耐久性
2021-03-19 16:29:25526 
MRAM是一种使用电子自旋来存储信息的存储技术。MRAM具有成为通用存储器的潜力-能够将存储存储器的密度与SRAM的速度结合在一起，同时始终保持非易失性和高能效。MRAM可以抵抗高辐射，可以在极端
2021-03-03 16:40:05534 是Spintronics设备）。MRAM具有成为通用存储器的潜力-能够将存储存储器的密度与SRAM的速度结合在一起，同时始终保持非易失性和高
2021-01-16 11:28:23363 电子发烧友网站提供《非易失性NVSRAM存储器的详细讲解.pdf》资料免费下载
2020-11-25 11:12:0024 磁阻式随机存储器MRAM是一种新型存储器，其优点有读取速度快和集成度高及非挥发性等。目前许多研究主要是致力于将MRAM运用于计算机存储系统中。同时非易失性MRAM存储器也应用于各级高速缓存
2020-11-09 16:46:48430 MRAM是一种非易失性的磁性随机存储器。它拥有SRAM的高速读取写入能力，以及DRAM的高集成度，基本上可以无限次地重复写入。专注于代理销售MRAM芯片等存储芯片供应商英尚微电子详细介绍关于MRAM
2020-10-21 14:32:59914 
，读取操作必须将极化恢复到其原始状态，这会增加读取操作的周期时间。写周期需要一个初始的预充电时间，这可能会增加初始访问时间。环境温度高于85C，由于自由电荷的积累导致FRAM磨损，从而导致影响10年的数据保留。 Everspin MRAM将提供最
2020-10-09 16:21:18180 在单个器件中提供了SRAM的高速度和闪存的非易失性，它的寿命几乎是没有限制的。MRAM芯片器件可以用于高速缓冲器﹑配置内存，以及其他要求高速且耐用和非易失性的商业应用。 Everspin半导体在磁存储器设计和制造及交付给相关应用方面的知识和经验在半导
2020-09-24 16:19:43754 经过超过八年的MRAM研发，Everspin MR2A16A是第一款4Mbit MRAM商业设备。该器件采用256K x 16位配置（图1），并具有异步设计，带有标准的芯片，写入和输出使能引脚
2020-09-21 14:09:49307 
MRAM是一种非易失性的磁性随机存储器。所谓非易失性是指掉电后﹐仍可以保持存储内容完整，此功能与Flash闪存相同;而随机存取是指处理器读取资料时，不定要从头开始，随时都可用相同的速率，从内存的任何
2020-09-21 13:50:341469 Everspin MRAM存储芯片如何用MRAM这类非易失性存储和NVMe SSD构建未来的云存储的解决方案。 首先STT-MRAM作为异常掉电数据缓存的介质有以下几大优势： 1. 非易失性存储器
2020-09-19 11:38:321884 Everspin MRAM内存技术是如何工作的？ Everspin MRAM与标准CMOS处理集成 Everspin MRAM基于与CMOS处理集成的磁存储元件。每个存储元件都将一个磁性隧道结
2020-09-19 09:52:051279 。串行MRAM实现了当今SPI EEPROM和闪存组件通用的命令子集，从而允许MRAM替换同一插槽中的这些组件并在共享SPI总线上进行互操作。与可用的串行存储器替代方案相比，串行MRAM具有卓越的写入速度，无限的耐用性，低待机和运行能力以及更可靠的数据保留。 对于MRAM，基于Everspin
2020-09-19 09:33:051841 Everspin是设计制造和商业销售MRAMSTT-MRAM的全球领导者，其市场和应用涉及数据持久性和完整性，低延迟和安全性至关重要。Everspin在数据中心，云存储，能源，工业，汽车和运输市场
2020-09-18 14:13:16495 ROHM确立了非易失性逻辑IC技术的可靠性，已经开始进行批量生产阶段。此次采用了非易失性逻辑CMOS同步式的技术开发了4 Pin非易失性逻辑计算IC“BU70013TL”。这个产品于2009年6月
2020-08-30 08:28:00388 Everspin是设计制造MRAM、STT-MRAM的翘楚，其市场和应用涉及数据持久性和完整性，低延迟和安全性至关重要。 在磁存储器设计，制造和交付给相关应用方面的知识和经验以及在平面内和垂直磁隧道
2020-08-28 14:19:13304 Everspin器件是一个40MHz/50MHz MRAM，工作于2.7V-3.6V，标称Vdd=3.3V，而SPI FRAM具有更宽的工作电压范围（1.8V至3.6V）。在使用SPI-MRAM替换
2020-08-27 10:17:36198 ，工业，汽车和运输市场等领域范围，为全球MRAM用户奠定了最强大，增长最快的基础。Everspin代理商英尚微电子本篇文章介绍非易失性MRAM主要应用领域。 工业：工业应用需要长期支持，而某些应用则需
2020-08-17 14:42:141608 MRAM是一种使用电子自旋来存储信息的存储技术。MRAM具有成为通用存储器的潜力-能够将存储存储器的密度与SRAM的速度结合在一起，同时始终保持非易失性和高能效。Everspin MRAM可以抵抗高
2020-07-17 15:36:19484 
存储器芯片。Everspin总代理宇芯电子可提供技术支持和产品解决方案。 MRAM可能是当今最有前途的下一代非易失性存储技术。Toggle MRAM和STT-MRAM已经进入市场，在许多应用中获得了
2020-07-13 11:25:58883 在2019全球闪存峰会上，Everspin作为MRAM存储芯片供应商分享如何用MRAM这类非易失性存储和NVMe SSD构建未来的云存储的解决方案。 首先STT-MRAM作为异常掉电数据缓存的介质有
2020-07-10 14:19:20429 MRAM内存的Everspin开始向STT-MRAM发运最高1Gb的芯片容量，这种内存密度使这些设备在许多应用中更受关注。Everspin代理商英尚微电子提供产品技术支持及解决方案。 主要的嵌入式半导体制造商为工业和消费应用中使用的嵌入式产品提供MRAM非易失性存储器选项。这些铸造厂包括全球
2020-06-23 15:31:03796 Everspin MR25H40-4Mb SPI串行接口MRAM适用于医疗设备中的非易失存储器，例如在医用呼吸中，4Mb （MR25H40）的MRAM可用于存储操作软件程序变量。存储在MRAM的数据
2020-06-02 15:09:01578 Everspin并行输入/输出MRAM产品的简单异步静态随机存取存储器标准JEDEC接口和QSPI/SPI接口使设计易于实现，无需额外的组件或生态系统支持。Everspin MRAM技术的强大可靠性
2020-05-29 14:31:28626 随机存取存储器（MRAM），为太空工业提供辐射硬化，高度可靠的非易失性不受单事件翻转（SEU），低压单事件闩锁（SEL）和单事件门破裂（SEGR）影响的存储器。该产品还在-40C至+ 105C的温度范围内提供
2020-05-14 12:01:15381 Everspin的MRAM技术具高可靠性、快速读/写、即时开启、非挥发性、和无限次擦除等特性。Everspin的产品组合包括提供BGA和TSOP两种可选封装、容量从256Kb到16Mb的8位和16位
2020-04-25 11:11:33653 
MR20H40CDF是Everspin 所生产的由4194,304位磁阻随机存取存储器（MRAM）设备系列，组织为524,288个8位字
2020-04-15 17:27:05593 保持至少20年的非易失性。没有数据从易失性存储单元传输到非易失性存储单元，也没有外部电容器或备用电池。消除了外部组件，高度可靠的数据保留以及35ns SRAM兼容的读/写访问时间，使Everspin
2020-04-15 17:02:031353 ）STT-MRAM位单元的开发方面处于市场领先地位。 Toggle MRAM为许多行业提供服务，包括交通运输，航空航天和医疗，物联网及工业。Everspin与全球能源管理和自动化专家Schneider
2020-04-09 09:28:05497 Everspin是专业研发生产MRAM、STT-MRAM等半导体领先供应商，在包括40nm，28nm及更高的技术节点在内的先进技术节点上进行了全包交钥匙的300mm大批量平面内和垂直MTJ
2020-04-07 17:16:07420 时，MTJ的隧道结便会显现出低电阻特性。而当自由层被施予反方向的极化时，MTJ便会有高电阻。此一磁阻效应可使MRAM不需改变内存状态，便能快速读取数据。在MRAM存储器中有一个富含创造性的设计，这也是EVERSPIN的专利。 在MRAM的诞生过程中，设计的难点和关
2020-04-07 17:06:30364 MRAM是基于电子自旋而不是电荷的下一代存储技术。MRAM通常被称为存储器的圣杯，具有快速，高密度和非易失性的特点，可以在单个芯片中替代当今使用的所有类型的存储器。 Everspin是全球唯一的磁性
2020-03-25 16:02:57577 Everspin 近日宣布，其已开始试生产最新的 1Gb STT-MRAM（自旋转移力矩磁阻）非易失性随机存取器。
2019-06-27 08:59:439481 事实上，除了这些传统要求，在前两代非易失FPGA产品的经验基础上，莱迪思半导体（Lattice Semiconductor）公司还认识到需要灵活的片上非易失存储器，以及作为非易失FPGA新要求的用于现场逻辑更新的全面解决方案。
2019-06-16 09:48:471087 （phase-change memory, PCM）、磁阻式随机存储（magnetoresistive random access memory, MRAM以及阻变式存储（resistive random access memory, RRAM）等主要非易失性存储技术已经有了较长的开发历史。
2018-07-04 11:55:005809 
为适应底层存储架构的变化，上层数据库系统已经经历了多轮的演化与变革．在大数据环境下，以非易失、大容量、低延迟、按字节寻址等为特征的新型非易失存储器件（NVM）的出现，势必对数据库系统带来重大
2018-01-02 19:04:400 非易失性半导体存储器的相变机制
2017-01-19 21:22:5414 磁性随机存储器(MRAM)和集成磁(Integrated Magnetic)产品的领导厂商Everspin科技公司日前推出16Mb MRAM， 进一步强化了该公司在MRAM领域的领导地位。现在，所有需要无电数据保持以及S
2011-01-07 09:11:291014 DS1250 4096k、非易失SRAM为4,194,304位、全静态非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每个完整的NV SRAM均自带锂电池及
2010-12-07 10:18:011219 
这款新Qorivva微控制器(MCU)系列基于Power Architecture ·技术，采用独特的55纳米(nm)非易失性内存(NVM)构建而成，旨在
2010-11-11 18:05:13733 DS1646是一个128K的× 8非易失性与全功能实时时钟，都在一个字节宽的格式访问静态RAM。非易失性RAM是计时功能等同于
2010-10-22 08:55:09771 
DS1647为512k x 8非易失性静态RAM，包括一个完备的实时时钟，两者均以字节宽度格式访问。非易失性时间保持RAM功能等
2010-10-22 08:52:091019 
DS1747是功能完备、2000年兼容(Y2KC)的实时时钟/日历(RTC)和512k x 8非易失性SRAM。用户可通过如图1所示的单字节宽
2010-09-28 08:58:30941 
摘要：本文讨论如何使用安全数字(SD)媒体格式扩展MAXQ2000的非易失数据存储器。 低功耗、低噪声的MAXQ2000微控制器适合于多种应用。MAXQ2000在闪存中存储非易失性数据，
2009-04-23 16:25:25880 
英特矽尔Intersil推出小型非易失性按钮式数控电位器ISL22511/12
Intersil公司近日宣布推出全球最小的非易失性按钮式数控电位器（DCP）ISL22511和ISL22512。Intersil
2008-08-05 09:23:55545
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