波音客机概述及特征波音和空客客机的区别在于：· 空中客车的客机驾驶舱最后一扇窗的底边是平的。· 波音的客机驾驶舱最后一扇窗的底边是斜的[hide][/hide]
2010-02-24 14:32:17
今天为大家带来的是NY8A054E单片机概述及其特征应用。NY8A054E单片机 是以EPROM作为存储器的8位单片机，其采用了CMOS制程，核心建立在RISC精简指令集架构可以很容易地做编程和控制，一共有55条指令。
2022-09-22 13:47:04
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磁阻随机存取存储器 (MRAM) 是一种非易失性存储器技术，它依靠两个铁磁层的（相对）磁化状态来存储二进制信息。多年来，出现了不同风格的 MRAM 存储器，这使得 MRAM 对缓存应用程序和内存计算越来越感兴趣。
2022-07-26 11:08:34937 
一些自旋电子存储器已经面世。MRAM（磁性随机存储器）已经商业化，在某些情况下可以取代电子存储器，但它是基于铁磁开关的。
2022-07-22 17:05:14604 国产SRAM芯片厂商伟凌创芯EMI7256器件是256Kb串行静态随机存取存储器，内部组织为32K字，每个字8位。最大时钟20MHz，采用最先进的CMOS技术设计和制造，以提供高速性能和低功耗。该
2022-04-24 15:59:18294 
开发。 Everspin的16兆位非易失性存储芯片MR4A16BMA35 MRAM专为需要极高数据可靠性和速度的应用而设计，具有市场上最快的非易失性存储器、对称的读/写性能和无限的耐用性，使系统设计人员受益匪浅。这些内存功能可确保自动化设计人员在每次发生
2022-04-18 17:34:33244 大、最迅速的基础。 MR25H40CDF是Everspin 旗下一款容量为4Mb的磁阻随机存取存储器 （MRAM）。位宽512
2022-03-15 15:45:22241 STT-MRAM是通过自旋电流实现信息写入的一种新型非易失性磁随机存储器，是磁性存储器MRAM的二代产品。STT-MRAM存储的结构简单，它省略了...
2022-02-07 12:36:25
5 MR25H256是一个串行MRAM，具有使用串行外围设备接口的芯片选择（CS），串行输入（SI），串行输出（SO）和串行时钟（SCK）的四针接口在逻...
2022-01-26 18:07:520 MR0D08BMA45R是一款双电源1Mbit的磁阻随机存取存储器（MRAM）器件。支持+1.6~+3.6V的I/O电压。提供SRAM兼容的45ns读/写时序，具有无限的耐用性。数据在超过20年
2022-01-26 14:44:53161 MRAM即磁阻式随机访问存储器的简称。经过10多年不间断的研发，全球第一款正式量产并供货的MRAM芯片型号为MR2A16A，它采用44脚的TSOP封装...
2022-01-25 19:39:475 自旋注入MRAM在功能方面兼具了DRAM及NAND闪存等现有存储器的优点，同时在性能方面又超过了现有几乎所有的存储器，因此有可能会赢得巨大的市场(见表1)。具体在功能方面，自旋注入MRAM与闪存一样
2021-12-07 15:21:108 51 系列单片机的数据存储器分片内 RAM 和片外 RAM 两部分。通常片内数据存储器有 128B，对应的地址范围是 00H～7FH；增强型片内数据存储器有 256B，对应的地址范围是 00H
2021-11-23 17:06:278 Everspin非易失性存储器MR25H40VDF是具有SPI接口的MRAM，MR25H40VDF是组织为512Kx8的4Mb非易失性RAM，采用标称3.3V电源供电，并且与FRAM兼容。它提供标准
2021-10-11 16:12:21234 文章Everspin代理商英尚微电子介绍一款应用在汽车上的Everspin 1Mb串行MRAM芯片MR25H10MDCMDC。
2021-09-28 16:51:52538 Everspin MRAM是面向数据持久性和完整性、低延迟和安全性至关重要的市场和应用的翘楚。MR20H40CDF是位宽512Kx8的非易失性存储器MRAM，对于必须使用少量I/O引脚快速存储和检索
2021-08-18 16:24:00680 Everspin公司生产的MRAM用于数据持久性和应用的市场和应用。Everspin MRAM应用在数据中心和云存储、汽车和运输市场。MRAM是一种利用电子自旋来存储信息的存储技术。MRAM具有成为通用存储器的潜力——能够将存储存储器的密度与 SRAM 的速度相结合，同时具有非易失性和节能性。
2021-08-17 16:26:191381 FM25V02A是使用高级铁电工艺的256Kbit非易失性存储器。FRAM是非易失性的；与RAM相同，它能够执行读和写操作。它提供151年的可靠数据保留时间，并解决了由串行闪存、EEPROM和其他非易失性存储器造成的复杂性、开销和系统级可靠性的问题。赛普拉斯代理英尚微电子提供技术相关支持。
2021-07-27 15:23:081466 MR10Q010是理想的存储器解决方案，适用于必须使用少量引脚、低功耗和24引脚BGA或16引脚SOIC封装快速存储和检索数据和程序的应用。Quad SPI模式下的四个I/O允许非常快速的读取和写入
2021-07-27 10:48:30655 Everspin成立于2006年，是从飞思卡尔分离出来的一家半导体科技公司，以领导非易失性MRAM存储芯片为公司主导致力于非易失性存储芯片的发展，是全球唯一一家专业生产销售磁性随机存取内存（MRAM），目前该产品已经应用于多个行业，如人工智能，金融数据等。
2021-06-25 09:39:34578 的速度写入数据，同时在发生总功耗之前保留数据。Everspin串行mram是必须使用最少数量的引脚快速存储和检索数据和程序的应用的理想存储器。
2021-06-23 16:16:26428 不同：它在铁电材料中将位存储为固定电位（电压）。下面介绍一款可替代FRAM的Serial MRAM芯片MR25H256ACDF。
2021-06-17 15:35:45578 领先地位。 MR1A16A概述 MR1A16A是一款具有2097152位的非易失性存储器并口mram，组织为131072个16位字。MR1A16A提供SRAM兼容
2021-06-08 16:37:17364 今天介绍Everspin的MR25H40非易失性存储器MRAM如何在RIM的三相智能电表中提供强大的系统存储优势。 Everspin的4Mbit MR25H40 MRAM专为需要数据完整性，内存
2021-05-11 17:15:59257 产品描述 MR3A16A是一款MRAM非易失性存储器，位宽为512K x 16。MR3A16A提供SRAM兼容的35ns读/写时序，具有无限的耐久性。数据在20年以上始终是非易失性的。低压禁止电路
2021-04-30 16:33:21384 
MR4A16B是一个16，777，216位磁阻随机存取存储器（MRAM）设备，组织为1，048，576个16位字。 MR4A16B提供SRAM兼容的35 ns读/写时序，具有无限的耐久性。数据在20
2021-03-19 16:27:48436 MRAM是一种使用电子自旋来存储信息的存储技术。MRAM具有成为通用存储器的潜力-能够将存储存储器的密度与SRAM的速度结合在一起，同时始终保持非易失性和高能效。MRAM可以抵抗高辐射，可以在极端
2021-03-03 16:40:05534 自旋注入MRAM在功能方面兼具了DRAM及NAND闪存等现有存储器的优点，同时在性能方面又超过了现有几乎所有的存储器，因此有可能会赢得巨大的市场（见表1）。具体在功能方面，自旋注入MRAM与闪存一样
2021-03-03 16:35:01289 MRAM即磁阻式随机访问存储器的简称。经过10多年不间断的研发，全球第一款正式量产并供货的MRAM芯片型号为MR2A16A，它采用44脚的TSOP封装，容量为4M比特。它采用一个3.3V的单电源供电
2021-01-04 14:10:21790 “永久性存储器”通常是指驻留在存储器总线上的高性能，可字节寻址的非易失性存储设备。MRAM（磁性只读存储器）和 FRAM（铁电 RAM）都具有相似的性能优势：低电压运行，长寿命和极高的速度。它们以
2020-12-14 11:30:0038 everspin的MR25H10是一个1,048,576位磁阻随机存取存储器（MRAM）设备，由131,072个8位字组成。MR25H10提供串行EEPROM和串行闪存兼容的读...
2020-12-10 21:09:062 MRAM是一种非易失性的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器（SRAM）的高速读取写入能力;以及动态随机存储器（DRAM）的高集成度，而且基本上可以无限次地重复写入。 MRAM的存储原理 MRAM
2020-12-09 15:54:191690 
虚拟存储器是存储管理中一个特别重要的概念，你要认真掌握虚存的定义和特征。此外，你还要知道为何要引入虚存、实现虚存技术的物质基础、虚存容量受到哪两方面的限制。
2020-11-25 16:37:2210543 MRAM在读写方面可以实现高速化，这一点与静态随机存储器（SRAM）类似。由于磁体本质上是抗辐射的﹐MRAM芯片本身还具有极高的可靠性，即MRAM本身可以免受软错误之害。 MRAM可以做到与动态随机
2020-11-25 14:32:19596 
MRAM是磁阻式随机存取存储器（Magneto-resistiveRandom Access Memory ）的缩写。MRAM是一种非挥发性电脑存储器（ NVRAM ）技术，从20世纪90年代以来
2020-11-24 14:45:22315 随机存取存储器（MRAM）最早于1980年代开发，并被推广为通用存储器。与其他存储技术不同，MRAM将数据存储为磁性元素，而不是电荷或电流。在性能方面由于使用足够的写入电流，因此MRAM与SRAM类似。但是这种依赖性也妨碍了它以更高的密度与
2020-11-20 15:45:59607 磁阻式随机存储器MRAM是一种新型存储器，其优点有读取速度快和集成度高及非挥发性等。目前许多研究主要是致力于将MRAM运用于计算机存储系统中。同时非易失性MRAM存储器也应用于各级高速缓存
2020-11-09 16:46:48430 对于存储器而言，重要的技术指标无非就是速度、是否为非易失性、功耗、成本、体积、寿命等。已经有很多种类的产品做出了各种各样的努力，但是始终只能偏重某一方面，而不是面面俱到。也许大家最为看重的是MRAM
2020-10-30 14:27:28879 524，288个8位字。对于必须使用少量I/O引脚快速存储和检索数据和程序的应用程序，它们是理想的内存解决方案。它们具有串行EEPROM和串行闪存兼容的读/写时序，没有写延迟并且读/写寿命不受限制。与其他串行存储器不同，使用MR25H40VDF系列，读取和写入都可以在内存中随机发生，而写入之间没
2020-10-09 16:28:10628 经常有人将MRAM称作是非易失性存储器（NVRAM）未来的关键性技术。作为一项非易失性存储器技术，MRAM存储芯片是可以在掉电时保留数据并且不需要定期刷新。MRAM存储芯片利用磁性材料和传统的硅电路
2020-09-24 16:19:43754 MR25H256是一个串行MRAM，具有使用串行外围设备接口的芯片选择（CS），串行输入（SI），串行输出（SO）和串行时钟（SCK）的四针接口在逻辑上组织为32Kx8的存储器阵列。 SPI）总线
2020-09-19 09:33:051839 MR25H256是一个串行MRAM，具有使用串行外围设备接口的芯片选择（CS），串行输入（SI），串行输出（SO）和串行时钟（SCK）的四针接口在逻辑上组织为32Kx8的存储器阵列。 SPI）总线
2020-09-07 17:26:46855 
随着有希望的非易失性存储器架构的可用性不断增加，以增加并潜在地替代传统的易失性存储器，新的SoC级存储器测试和修复挑战正在出现。通过将自旋转移扭矩MRAM（STT-MRAM）作为嵌入式MRAM技术
2020-08-04 17:24:262893 并行MRAM是大多数手机、移动设备、膝上机、PC等数字产品的存储器的潜在替代产品。从MRAM芯片技术的特性上来看，可以预计它将能解决包括计算机或手机启动慢、数据丢失、数据装载缓慢、电池寿命短等
2020-07-20 15:33:52444 新式存储器技术队伍包括MRAM、PCRAM和ReRAM，受惠技术、材料、设备等环节的关键突破，正迈向大规模量产的路上，眼前我们正处于见证存储器历史的转折点。新式存储器可分为独立型产品，以及嵌入于逻辑
2020-06-30 16:21:58512 Everspin MR25H40-4Mb SPI串行接口MRAM适用于医疗设备中的非易失存储器，例如在医用呼吸中，4Mb （MR25H40）的MRAM可用于存储操作软件程序变量。存储在MRAM的数据
2020-06-02 15:09:01578 可靠性使工程师们能够使用Everspin的标准商业/工业级产品来满足患者关键医疗设备市场的苛刻要求。 MR5A16A是一个33，554，432位磁阻随机存取存储器（MRAM）设备，由16位
2020-05-29 14:31:28626 后，资料能持续保存超过20年。与其它存储器不同，MRAM还可免除因宇宙射线所产生的软错误率(SER, soft error rate)。这款16Mb MRAM由
2020-04-25 11:11:33653 
目前新型存储器上受到广泛关注的新型存储器主要有相变存储器(PCM)，其中有以英特尔与美光联合研发的3D Xpoint为代表;MRAM以美国Everspin公司推出的STT-MRAM为代表;阻变存储器
2020-04-25 11:05:571957 
MR20H40CDF是Everspin 所生产的由4194,304位磁阻随机存取存储器（MRAM）设备系列，组织为524,288个8位字
2020-04-15 17:27:05593 MRAM)在新兴非挥发存储器中发展较为成熟，2018年主要供应商Everspin营收可望年增36%，2019~2020年以后，随GlobalFoundries、台积电、三星、联电等晶圆代工厂商逐步
2019-09-11 17:33:292971 过去存储器与晶圆代工可以说是“楚河汉界，井水不犯河水”。但在即将来临的时代，存储器业者觊觎占了全球65%的非存储器市场，而存储器技术从过去的DRAM、3D NAND，正逐渐走向磁阻式存储器(MRAM)等完全不同模式的新技术。
2019-09-10 15:24:41606 和RAM一样快的永久存储被广泛认为会使服务器和存储行业摆脱一年或三年的换代周期，而这个改变如今随着美国公司Everspin开始提供256Mb磁阻式随机存取存储器(MRAM)样品更近了一步。
2019-03-16 10:34:08748 MRAM是一种非易失性存储器，可与其他的NVM技术相媲美，如闪存，英特尔的Optane，以及FRAM和RRAM （图1）。每种NVM都有自己的优缺点。虽然MRAM的扩展性好，但其容量仍远低于NAND闪存， SSD中的高密度存储介质大都是NAND闪存。
2018-12-22 14:37:344201 新兴存储器(emerging memory)现在多指的是新的非挥发性存储器，最主要包括相变半导体(Phase Change Memory；PCM)、可变电阻式存储器(Resistive RAM；ReRAM)以及MRAM。
2018-10-19 10:41:053346 该FM25W256是一个256千位非易失性存储器采用先进的铁电过程。铁电随机存取存储器或FRAM是非易失性的，并执行类似于RAM的读写。它提供了151年的可靠数据保留，同时消除了由串行闪存、EEPROM和其他非易失性存储器引起的复杂性、开销和系统级可靠性问题。
2018-08-27 08:00:0082 存储器是单片机的又一个重要组成部分，图给出了一种存储容量为256个单元的存储器结构示意图。其中每个存储单元对应一个地址，256个单元共有256个地址，用两位16进制数表示，即存储器的地址（00H～FFH）。
2017-11-23 16:23:0814610 FM25L256是由RAMTRON生产，以铁电存储介质的256Kb（32K字节）串行3V非易失性存储器，采用SPI总线控制，构成的系统具有简单，占用硬件资源少，存取快速的特点。下面将具体的来说说FM25L256的驱动测试。
2017-11-04 09:10:423074 FM25L256是由RAMTRON生产，以铁电存储介质的256Kb（32K字节）串行3V非易失性存储器，采用SPI总线控制，构成的系统具有简单，占用硬件资源少，存取快速的特点。同时，由于铁电存储器（以下简称FRAM）有着固有的优势，因此，可用于高可靠场合信息存储设备。
2017-11-03 17:26:3821 这是一个256bit的非易失性存储器FM25L256采用先进的铁电的过程。铁电随机存取存储器或FRAM是非易失性和执行读取和写入内存一样。它提供了可靠的数据保持10年，同时消除了复杂性，开销和系统级的可靠性问题所造成的EEPROM和其他非易失性存储器。
2017-11-03 17:15:34122 Flash 存储器的简介
在众多的单片机中都集成了 Flash 存储器系统，该存储器系统可用作代码和数据
2010-11-11 18:25:093260 
串行MRAM以40MHz的时钟速度高速运行，没有写延迟。和传统的EEPROM技术不同，MRAM允许无限次擦除。容量为256Kb到1Mb，数据保存时间长达20年以上。低电压保护电路可在掉电时自动保护
2010-06-24 17:25:2767 旺宏电子推出全球首颗256Mbit序列快闪存储器
全球最大的序列式快闪存储器(Serial Flash)生产制造公司宣布，领先业界推出全球第一颗256Mbit序列快闪存储器产品─MX25L25635E
2009-11-02 15:30:01581 TCL AT25206(25英寸)存储器数据
2009-06-12 10:40:4226 TCL AT25U159-F3725E11(25英寸)存储器数据
2009-06-12 10:39:0316 TCL AT25S168(25英寸)存储器数据
2009-06-12 10:38:0717 TCL AT2565(25英寸)存储器数据
2009-06-11 16:51:0171 TCL 2502 (25英寸)存储器数据
2009-06-05 13:35:3015 TCL 2501 (25英寸)存储器数据
2009-06-05 13:31:407 海尔H-2516存储器数据
2009-06-03 13:23:087 海尔H-2116存储器数据
2009-06-03 13:22:167 海尔25TA存储器数据
2009-06-02 09:50:008 海尔25F99存储器数据
2009-06-01 09:33:5911
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