富士通近日发布了中文版《Fujitsu Technology and Service Vision 2022（富士通技术与服务愿景，以下简称“FT&SV”）》，对富士通面向未来的商业与社会愿景进行了展望。
2022-08-30 10:27:19
612 Everspin科技有限公司是全球领先的设计， 制造嵌入式磁阻 RAM （MRAM） 和自旋转移扭矩 MRAM （STT-MRAM） 的生产商，自从Everspin第一款产品进入市场，由于MRAM
2022-03-15 15:45:22241 是一款非易失性存储器产品，与传统的非易失性存储器相比，具有写入速度快、读/写耐久性高、功耗低等优点。 近日富士通半导体推出配备Quad SPI接口的8Mbit FRAM MB85RQ8MLX，其
2022-02-17 15:33:241343 
Everspin是设计制造MRAM、STT-MRAM的翘楚，其市场和应用涉及数据持久性和完整性，低延迟和安全性至关重要。在磁存储器设计，制造和交付...
2022-01-26 18:14:01
9 Everspin Technologies，Inc是设计制造MRAM和STT-MRAM的全球领导者其市场和应用领域涉及数据持久性和完整性，低延迟和安全性至关重要。E...
2022-01-25 19:29:142 。加贺富仪艾电子旗下代理品牌富士通半导体推出了具有并行接口的新型8Mbit FRAMMB85R8M2TA，这是富士通FRAM产品系列中第一款保证100万亿读/写周期的产品。评估样品目前可用。
2022-01-10 15:50:313522 FRAM是一种非易失性存储器产品，具有读写耐久性高、写入速度快、功耗低等优点，富士通推出了具有并行接口型号MB85R8M2TA的8Mbit FRAM存储芯片，这是富士通FRAM产品系列中第一款保证
2021-12-11 14:46:17288 富士通硬盘电路图
2008-06-19 22:24:04
FRAM是一种写入速度快的非易失性存储器。与传统的非易失性存储器（如EEPROM、闪存）相比，FRAM不需要用于数据保存的备用电池，具有更高的读/写耐久性、更快的写入速度和更低的功耗。
2021-07-27 10:36:09698 的数据传输速率。 MB85RQ4ML具有高速运行和非易失性的特点，非常适合用于需要快速数据重写的工业计算和网络设备，如可编程逻辑控制器（PLC）和路由器。代理商英尚微支持样品测试及技术支持。 富士通半导体20多年来量产的FRAM产品与EEPROM和闪存相比，具有更高的读写耐久性、更快的写入速度和更低的
2021-07-26 18:05:54587 不进行擦除或重写，数据就不会改变。FRAM是一种与Flash相同的非易失性存储器。 经过市场的长期广泛验证以及技术的不断突破，富士通FRAM产品已成功应用于智能卡及IC卡等卡片领域、电力仪表及产业设备等工业领域，医疗设备及医疗RFID标
2021-06-08 16:51:17284 富士通从1999年开始推FRAM产品已经连续推了18年，应该说已经有不少客户采用并认可了FRAM产品。至于富士通为什么这么迫切的推FRAM也可以理解，富士通控制着FRAM的整个生产程序；在日本的芯片
2021-05-11 17:17:09446 
今天介绍Everspin的MR25H40非易失性存储器MRAM如何在RIM的三相智能电表中提供强大的系统存储优势。 Everspin的4Mbit MR25H40 MRAM专为需要数据完整性，内存
2021-05-11 17:15:59257 经过智能电表市场的长期验证，富士通FRAM产品在不断优化性能与降低成本的同时也逐步转向更广泛的智能表计市场。富士通FRAM在近几年也逐渐打入全球智能水和气表的主流供应链，成为准确记录和存储智能水和气
2021-05-08 15:41:37240 
。 富士通FRAM主要具备三大优势：高读写入耐久性、高速写入以及低功耗，这是绝大多数同类型存储器无法比拟的。比如FRAM写入次数寿命高达10万亿次，而EEPROM仅有百万次（10^6）。富士通FRAM写入数据可在150ns内完成，速度约为EEPROM的1/30，000。写入一个字节数据的功耗
2021-05-04 10:17:00749 
不进行擦除或重写，数据就不会改变。FRAM是一种与Flash相同的非易失性存储器。 富士通FRAM技术和工作原理 FRAM是运用铁电材料（PZT等）的铁电性和铁电效应来进行非易失性数据存储又可以像RAM一样操作。 •当一个电场被加到铁电晶体时，
2021-05-04 10:16:00295 
，该系统将被搭载在日本的一颗研究卫星发射进入太空。 在数据存储的可靠性和持久性方面，同类产品无法与Everspin的MRAM产品相比， Everspin的4mbit MRAM器件取代了SpriteSat
2021-04-30 17:17:53240 富士通半导体主要提供高质量、高可靠性的非易失性铁电存储器FRAM， 富士通半导体早在1995年已开始研发FRAM存储器，FRAM应用于智能卡及IC卡等卡片领域、电力仪表及产业设备等产业领域，以及医疗
2021-04-26 15:49:16453 
FRAM是如何崛起的呢？ 以销量数据而论，FRAM一路走来已然大获成功：截止2016年富士通全球FRAM存储器累计销量已超过33亿片，其中面向世界电表客户累计交货4000万片，FRAM在威胜集团、海兴电力、林洋能源、Itron、西门子等业界主流的电表供应商中的应用渗透率非常高
2021-04-26 14:31:28366 与传统的存储技术相比，FRAM在需要非易失性、高速读写、低功耗、高读写耐久等综合性能的应用领域表现出众、口碑良好。富士通 FRAM量产20年以来，出货量更是超过了41亿颗！咱们富士通这么多
2021-04-24 10:56:48295 富士通FRAM是一种融合了在断电的情况下也能保留数据的非易失性、随机存取两个特长的铁电随机存储器（内存）。FRAM的数据保持，不仅不需要备用电池，而且与EEPROM、FLASH等传统的非易失性存储器
2021-04-08 15:42:02393 
温度条件下运行，并且可以防篡改。这使得MRAM适用于汽车，工业，军事和太空应用，这些对于MRAM开发人员来说是重要的部分。 那么MRAM的优势究竟有哪些呢？下面我们分几点一起来看看： 首先，MRAM是非易失性存储器，也就是断电后MRAM依旧可以保存数据。这一
2021-03-03 16:40:05534 Everspin Technologies，Inc是设计制造MRAM和STT-MRAM的全球领导者其市场和应用领域涉及数据持久性和完整性，低延迟和安全性至关重要。Everspin MRAM产品
2021-01-16 11:28:23363 Everspin是设计制造MRAM到市场和应用的翘楚，在这些市场和应用中，数据持久性和完整性，低延迟和安全性是至关重要。MR25H40VDF是一个4194，304位MRAM设备系列，组织为
2020-10-09 16:28:10628 ，读取操作必须将极化恢复到其原始状态，这会增加读取操作的周期时间。写周期需要一个初始的预充电时间，这可能会增加初始访问时间。环境温度高于85C，由于自由电荷的积累导致FRAM磨损，从而导致影响10年的数据保留。 Everspin MRAM将提供最
2020-10-09 16:21:18180 Everspin MRAM存储芯片如何用MRAM这类非易失性存储和NVMe SSD构建未来的云存储的解决方案。 首先STT-MRAM作为异常掉电数据缓存的介质有以下几大优势： 1. 非易失性存储器
2020-09-19 11:38:321884 Everspin器件是一个40MHz/50MHz MRAM，工作于2.7V-3.6V，标称Vdd=3.3V，而SPI FRAM具有更宽的工作电压范围（1.8V至3.6V）。在使用SPI-MRAM替换
2020-09-19 10:07:311245 Everspin MRAM内存技术是如何工作的？ Everspin MRAM与标准CMOS处理集成 Everspin MRAM基于与CMOS处理集成的磁存储元件。每个存储元件都将一个磁性隧道结
2020-09-19 09:52:051279 写入数据，同时在发生总功耗之前保留数据。Everspin一级代理英尚微电子本文介绍MRAM与其他内存技术的相比较。 MRAM与内存 内存选项的比较与其他内存技术选项相比，MRAM具有明显的优势（下表1）。 表格1 MRAM与其他内存技术相比具有相对优势 Flash 这项技术
2020-09-18 14:25:18773 
Everspin是设计制造MRAM、STT-MRAM的翘楚，其市场和应用涉及数据持久性和完整性，低延迟和安全性至关重要。 在磁存储器设计，制造和交付给相关应用方面的知识和经验以及在平面内和垂直磁隧道
2020-08-28 14:19:13304 Everspin器件是一个40MHz/50MHz MRAM，工作于2.7V-3.6V，标称Vdd=3.3V，而SPI FRAM具有更宽的工作电压范围（1.8V至3.6V）。在使用SPI-MRAM替换
2020-08-27 10:17:36198 Everspin主要是设计制造和商业销售MRAM和STT-MRAM的领先者，其市场和应用领域涉及数据持久性和完整性，低延迟和安全性至关重要。Everspin MRAM产品应用在数据中心，云存储，能源
2020-08-17 14:42:141608 易失性内存是苛刻环境下具备高可靠性的汽车和工业应用的理想之选。 富士通去年发布的2Mbit FRAM MB85RS2MTY已在汽车和工业设备中获得广泛应用，而MB85RS4MTY将其容量提高至4M bit，满足用户对更高容量的需求，配有SPI接口，工作电压为1.8V至3.6V。 富士通电子
2020-07-30 14:22:20366 MRAM是一种使用电子自旋来存储信息的存储技术。MRAM具有成为通用存储器的潜力-能够将存储存储器的密度与SRAM的速度结合在一起，同时始终保持非易失性和高能效。Everspin MRAM可以抵抗高
2020-07-17 15:36:19484 
电池。MB85R2001中使用的存储单元可用于1010次读/写操作，与Flash存储器 和E2PROM支持的读和写操作数量相比，有了显着改进。使用与常规异步SRAM兼容的伪SRAM接口。 引脚 富士通
2020-06-28 16:04:16570 富士通半导体利用FRAM的高速写入，高读写耐久性（多次读写次数）特长， 提供RFID用LSI以及应用于电子设备的FRAM内置验证IC产品。富士通提供使用无限接口的FRAM内置RFID用LSI。富士通
2020-05-21 14:01:03563 Everspin的合作伙伴CAES他们共同开发的Toggle MRAM在太空应用中的多功能性和性能。CAES是太空存储器市场的翘楚，并基于Everspin的技术交付生产级，符合太空要求的磁阻
2020-05-14 12:01:15381 Everspin拥有包括40nm，28nm及更高技术节点在内的先进技术节点上进行了全包交钥匙的300mm大批量平面内和垂直MTJ ST-MRAM生产。Everspin生产基于180nm，130nm和
2020-04-30 16:26:21375 Everspin在磁存储器设计，MRAM,STT-MRAM的制造和交付到相关应用中的知识和经验在半导体行业中是独一无二的。拥有超过600多项有效专利和申请的知识产权产品组合，在平面内和垂直磁隧道结
2020-04-15 17:27:05593 都须保留在存储器中，这就要求存储器具有高可靠性及快速写入的性能。 富士通的FRAM被广泛应用于电力仪表、办公设备及产业设备市场。目前提供的FRAM高温端最大工作保证温度为85℃，但为了适应车载设备市场的要求，富士通公司
2020-04-15 16:58:58404 ）STT-MRAM位单元的开发方面处于市场领先地位。 Toggle MRAM为许多行业提供服务，包括交通运输，航空航天和医疗，物联网及工业。Everspin与全球能源管理和自动化专家Schneider
2020-04-09 09:28:05497 富士通是一家通过不断创新全球化信息通信技术的公司。众多的标志性成果和产品里程碑将富士通塑造成为现在这样一家在ICT领域领先的公司。富士通为广大用户开发了众多的优质产品。还开发出业界中具有超小型封装
2020-04-08 13:43:40450 Everspin是专业研发生产MRAM、STT-MRAM等半导体领先供应商，在包括40nm，28nm及更高的技术节点在内的先进技术节点上进行了全包交钥匙的300mm大批量平面内和垂直MTJ
2020-04-07 17:16:07420 MRAM是基于电子自旋而不是电荷的下一代存储技术。MRAM通常被称为存储器的圣杯，具有快速，高密度和非易失性的特点，可以在单个芯片中替代当今使用的所有类型的存储器。 Everspin是全球唯一的磁性
2020-03-25 16:02:57577 在研究FRAM的过程中，富士通发现FRAM的物理频谱特性具有无规律、难以被模仿的特性，因此可替代传统的加密算法，利用FRAM的工作噪声信号来实现设备之间的验证。
2020-01-03 14:27:13845 富士通电子在过去约20年量产各种FRAM非易失性内存产品，具备比EEPROM及闪存更高的读∕写耐久性、高速写入速度及超低功耗。近几年来，这些产品被广泛应用于可穿戴装置、工业机器人与无人机。
2019-11-01 08:38:312362 Everspin 近日宣布，其已开始试生产最新的 1Gb STT-MRAM（自旋转移力矩磁阻）非易失性随机存取器。
2019-06-27 08:59:439481 前不久，富士通半导体有限公司系统存储设计开发部FRAM RFID高级工程师罗建在2018第十四届RFID世界应用创新大会上指出，基于FRAM RFID的创新无源解决方案让产品实现自给能源，更加环保，更易于防水加工制造生产，有着广阔的应用前景。
2018-08-27 16:32:534291 在前不久落下帷幕的深圳国际电子展现场，聚集了大量专业观众的富士通展台格外亮眼，而引发这场围观的黑科技之一就是已上天入地的铁电随机存储器（FRAM）。据富士通展台工程师介绍，从要抗宇宙辐射的卫星装置
2017-10-15 12:11:312 FRAM是集合了ROM和RAM两种存储器的优势。擅于进行高速写入、具有长的耐久力和低功耗。富士通半导体可提供采用串行（I2C和SPI）和并行外设的FRAM产品。 不同接口的产品各自都有哪些特点呢？
2017-09-17 16:34:229054 
文档中内容包含了基于富士通的汽车总线技术的应用，系统原理及介绍。
2017-09-08 16:00:116 本视频主要内容：介绍了富士通半导体的FRAM产品特性：低功耗，快速读写，高读写次数和防辐射特性。
2017-03-29 11:34:27791 富士通半导体内嵌FRAM的RFID产品相比其单体FRAM产品是比较新的，而市场上常用的RFID产品嵌入的是EEPROM。与内嵌EEPROM的RFID产品相比，内嵌FRAM的RFID读写速度快很多，并且其抗辐射性比EEPROM高出不止一个数量级。
2017-03-28 17:56:15836 
在医院里，都有哪些设备用到了富士通半导体的FRAM？并且为什么FRAM会与我们的医疗保健息息相关？我们一起来盘点盘点。
2017-03-28 15:29:503560 联想合并日本富士通在即，富士通总裁Tatsuya Tanaka日前在接受媒体采访时表示，希望在明年3月31日之前与联想签署PC业务合并协议，未来富士通将会专注于企业IT服务。
2016-12-15 10:44:10601 据富士通展台工程师介绍，从要抗宇宙辐射的卫星装置，到颇接地气的无电池舒适智能家居设备，已处处可见这种先进非易失性嵌入式存储技术的身影。除FRAM外，在本次展会上富士通还展示了继电器Relay、设计可追溯管理工具SQTRACER等领先技术。
2016-09-05 11:20:29904 上海，2016年4月15日–富士通电子元器件（上海）有限公司今天宣布，推出具业界最低运行功耗的64 Kbit FRAM—MB85RC64T样品。
2016-04-15 10:01:22760 上海，2016年3月1日–富士通电子元器件（上海）有限公司今天宣布，成功开发具有4 Mbit记忆容量的、带有高速QSPI接口的全新FRAM（铁电随机存取内存）产品MB85RQ4ML，此产品在同类竞品中拥有最高密度和最快传输速度，并开始以样品量供货。
2016-03-01 11:20:583779 
富士通半导体（上海）有限公司今日宣布，成功推出拥有1 Mb内存的FRAM产品---MB85RS1MT。由于该器件采用晶圆级芯片尺寸封装（WL-CSP），使得其体积仅为3.09 × 2.28 × 0.33 mm，一举成为业内拥有SPI接口的、尺寸最小的1 Mb FRAM器件。
2015-07-08 15:03:571414 日本的富士通半导体携带传统优势的FRAM铁电随机存储器全系列产品亮相慕尼黑电子站，此外还展示了其合资公司索喜科技（Socionext）的车载图形显示控制器GDC、图像信号处理器Milbeaut
2015-04-20 17:08:111131 富士通高级产品工程师伍宏杰先生表示，“恰恰是FRAM高速读写的特性，决定了FRAM可以实现在无电池或是突然断电的情况下实现读写，避免数据的丢失。”
2014-07-29 16:59:271276 富士通半导体（上海）有限公司今日宣布，推出两款新型FRAM产品－MB85RS1MT 和 MB85RS2MT，两款产品分别带有1 Mbit 和 2 Mbit的存储器，是富士通半导体提供的最大容量的串口FRAM。这两款产品将于2013年3月起开始提供新品样片。
2013-03-25 16:09:37897 富士通半导体（上海）有限公司今日宣布其低功耗铁电随机存取存储器FRAM又添小封装成员－SON-8封装的MB85RC16。富士通的MB85RC16提供标准封装SOP-8，SON-8是为该产品添加的新型封装。
2012-11-27 10:00:233665 香港商富士通半导体有限公司台湾分公司宣佈推出新款V系列晶片MB85RC256V。富士通半导体目前的V系列FRAM产品涵盖4KB、16KB、 64KB、256KB容量，MB85RC256V是首款可在2.7V-5.5V电压範围内运作的
2012-10-18 14:40:251008 富士通半导体将推出配备FRAM的RFID标签IC“FerVID Family”的新产品——配备9KB FRAM的HF频段RFID标签IC“MB89R112”。该产品可构成符合ISO/IEC15693标准的近旁型无源RFID，存储器容量为HF频段
2012-07-02 10:33:33758 
富士通半导体(上海)有限公司近日宣布推出其基于0.18µm技术的全新系列FRAM产品家族。该系列包括MB85RC64V和MB85RC16V 两个型号，均支持I2C接口且可在5V电压下工作，即日起即可供货。
2012-02-08 09:11:44743 
富士通半导体（上海）有限公司今日宣布推出基于0.18 µm 技术的全新 SPI FRAM产品家族，包括MB85RS256A、MB85RS128A和MB85RS64A这3个型号，并从即日起开始为客户提供样片。
2011-07-20 09:04:26549
电子发烧友App
工商网监
工商网监
评论