及工作原理 DS1302是美国DALLAS公司推出的一种高性能、低功耗、带RAM的实时时钟电路，它可以对年、月、日、周日、时、分、秒进行计时，具有闰年补偿功能，工作电压为2.5V～5.5V。采用
2009-03-31 15:11:31
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2023-09-15 16:01:01
1 在许多系统当中都需要精确的时钟功能，因此时钟芯片孕育而生。其中美国达拉斯 DALLAS 公司设计的 DS1302 是一款非常流行的数字时钟芯片。DS1302 是一款具有涓细电流充电能力的低功耗实时时钟芯片。它可以对年、月、日、星期、时、分、秒进行计时，并且具有闰年功能。年计数可达到 2100 年。
2023-07-27 18:27:16
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具有隐含时钟的DS1251 4096k NV SRAM为全静态非易失RAM (按照8位、512k字排列)，内置实时时钟。DS1251Y自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容差范围
2023-07-24 09:32:13
具有隐含时钟的DS1248 1024k NV SRAM为全静态非易失RAM (按照8位、128k字排列)，内置实时时钟。DS1248自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容差范围，一
2023-07-24 09:29:49
STM32处理器内部集成了实时时钟控制器（RTC）,因此在实现实时时钟功能时，无须外扩时钟芯片即可构建实时时钟系统。
2023-07-22 15:41:201337 
具有隐含时钟的DS1244 256k、NV SRAM为全静态非易失RAM (NV SRAM) (按照8位、32k字排列)，内置实时时钟。DS1244自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否
2023-07-21 16:58:16
DS1245 1024k非易失(NV) SRAM为1,048,576位、完全静态的非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否
2023-07-21 15:38:54
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2023-06-15 14:35:410 （安全的非易性存储）里面主要是一些低功耗的外设，其可以在芯片掉电后由电池供电继续运行。RTC需要外接晶振来提供时钟，本实验中I.MX6ULL芯片外接了一个32.768KHz的晶振，原理图如下
2023-05-26 15:06:11488 
作为使用PAL、GAL或CPLD器件实现非易失性门控功能的替代方案，这些电路使用串行接口控制的数字电位器（MAX5427或MAX5527）存储门控信号（模块或发送）。
2023-01-12 11:30:52473 
一些时候，在我们的嵌入式产品中需要记录时间，所以我们就需要获取时钟，当然实现的方式多种多样，有的MCU本身就有这一功能，不过精度较低。当我们的应用要求较高时就需要使用专门的实时时钟芯片，如DS17887。在本篇中，我们来实现DS17887的驱动。
2022-12-08 12:00:29945 
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2022-11-21 23:08:10
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2022-11-21 23:07:48
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2022-11-21 21:34:22
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2022-11-21 21:32:56
并非所有非易失性或闪存 FPGA 器件都是一样的。本文探讨了真正的非易失性FPGA的优势 - 包括显著降低功耗、更快的响应时间、无与伦比的可靠性和不折不扣的安全性 - 是无法复制的。
2022-11-14 15:34:191035 
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2022-08-08 10:23:096 电子发烧友网站提供《实时时钟DS1302开源项目.zip》资料免费下载
2022-07-29 11:29:144 VDRF128M16XS54XX2V90是一种128Mbit高密度同时读/写非易失性闪存内存模块组织为8M x 16位。
2022-06-08 11:02:482 2012.1.11 读取实时时钟： 1、 RTCRDY 为0时，不能取读取实时时钟 RT0PS源于ACLK，为了实时时钟日历的正确的运行，ACLK必须是32768Hz。(易出错) 定时
2021-12-16 16:56:5510 现在流行的串行时钟电路很多，如DS1302、 DS1307、PCF8485等。这些电路的接口简单、价格低廉、使用方便，被广泛地采用。本文介绍的实时时钟电路DS1302是DALLAS公司的一种具有涓细
2021-05-18 09:34:235128 AD5111/AD5113/AD5115：单通道、128/64/32位、升/降接口、±8%电阻容差、非易失性数字电位计
2021-03-21 06:43:004 AD5110/AD5112/AD5114：单通道、128/64/32位、I2C、±8%电阻容差、非易失性数字电位计
2021-03-19 09:37:215 电子发烧友网站提供《非易失性NVSRAM存储器的详细讲解.pdf》资料免费下载
2020-11-25 11:12:0025 周期的地址部分期间AD6上显示的逻辑电平决定。锂能源、石英晶体和写保护电路包含在一个24针双列直插式封装中。因此，DS12887是一个完整的子系统，可在典型应用中替换16个组件。这些功能包括非易失性
2020-09-14 08:00:005 求的。一个锂能源，石英晶体，和写保护电路包含在一个24引脚双在线封装。因此，DS12C887是一个完整的子系统，取代了典型应用中的16个组件。这些功能包括非易失性日钟、闹钟、百年历、可编程中断、方波发生器和113字节的非易失性静态RAM。实时时钟的特点在于，即使在没有电源的情况下，
2018-11-28 08:00:0040 。另外，实时时钟芯片一般内置闰年补偿系统，计时很准确。其采用备份电池供电，在系统断电时仍可以工作。实时时钟芯片的这些优点，使得其广泛应用于需要时间显示的场合。本章详细介绍了美国DALLAS公司推出实时时钟芯片DS1302的功能、
2018-03-16 15:31:3814 DS1307是一款低功耗，具有56字节非失性RAM的全BCD码时钟日历实时时钟芯片，地址和数据通过两线双向的串行总线的传输，芯片可以提供秒，分，小时等信息，每一个月的天数能自动调整。并且有闰年补偿功能
2018-01-26 10:08:128329 
DS1307是I2C接口的8引脚实时时钟芯片，片内含有8个特殊功能寄存器和56bit的SRAM。它是一款按BCD码存取、低功耗的时钟／日历芯片，已被应用到人造板尺寸检测以及电控单元中。介绍了一个简单
2018-01-26 10:01:132769 
基于实时时钟模块 时钟芯片DS1302
2017-10-16 11:35:0739 SRAM 1-Mbit (128 K × 8) 串行 SPI nvSRAM，带实时时钟
2017-10-10 09:07:0516 SRAM 8 Mbit (1024K x 8/512K x 16) nvSRAM带实时时钟
2017-10-10 08:56:325 SPI接口和DS1302实时时钟（12864显示），有兴趣的同学可以下载学习
2016-04-27 16:18:1237 DS1855双路非易失性（NV）数字电位器和安全存储器由一个100级线性变化电位器、一个256级线性变化电阻器、256字节EEPROM存贮器、和2线接口组成。
2013-02-19 16:53:302354 
DS1685/DS1687为一款实时时钟(RTC)，设计作为工业标准的DS1285、DS1385、DS1485以及DS1585 PC RTC的替代产品。
2012-10-19 14:04:462090 
DS1210非易失控制器芯片是CMOS电路，解决了转换成非易失性内存的CMOS RAM中的应用问题。
2012-07-19 14:30:073272 
DS1218非易失控制器芯片供应电路要求提供标准CMOS RAM非易失性。
2012-07-19 14:28:141422 
DS1312电池监视器非易失控制器是CMOS电路，解决了转换成非易失性内存的CMOS RAM中的应用问题。
2012-07-19 14:26:37867 
DS1746是一个全功能的，2000年的兼容(Y2KC)，实时时钟/日历(RTC)和128K×8非易失性静态RAM
2012-03-19 16:28:12780 
DS1243Y 64K非易失SRAM，带有隐含时钟是一个内置的实时时钟(8192字由8位)是由完全静态非易失性内存 。
2012-01-04 10:53:261213 
具有隐含时钟的DS1248 1024k NV SRAM为全静态非易失RAM (按照8位、128k字排列)，内置实时时钟。
2012-01-04 10:49:181136 
具有隐含时钟的DS1251 4096k NV SRAM为全静态非易失RAM (按照8位、512k字排列)，内置实时时钟。
2012-01-04 10:41:50868 
DS1244,DS1244P具有隐含时钟的DS1244 256k、NV SRAM为全静态非易失RAM (NV SRAM) (按照8位、32k字排列)，内置实时时钟
2011-12-19 11:15:391612 
DS1500为完备的、2000年兼容的、实时时钟/日历(RTC)，具有报警、看门狗定时器、上电复位、电池监控、256字节内置非易失(NV) SRAM、为备份外围SRAM提供NV控制以及一个32.768kHz频率的输出
2011-12-19 11:08:181673 
DS1346/DS1347的SPI™兼容的实时时钟(RTC)含有一个实时时钟/日历和31 × 8位静态随机存取存储器(SRAM)。
2011-08-19 09:55:331548 
DS3911是一款四，10位Δ-Σ输出，非易失(NV)控制器，具有片上温度传感器和相关的模拟到数字转换器(ADC)
2011-06-30 10:05:021242 
DS1904 RTC的iButton ®是一个坚固的实时时钟模块，可以以最小的硬件访问。串行传输的数据由1 - Wire ®协议，只需一根数据线和一条地线
2011-04-28 10:25:412072 DS3605集成非易失(NV) SRAM控制器、实时时钟(RTC)、CPU监控电路和温度传感器，可以为加密交易终端和其它安全敏感应用提供篡改保护
2011-04-27 10:23:37841 DS1851双路温度控制非易失性(NV) DAC由两路DAC，两个EEPROM查询表，和一个数字式温度传感器组成。两个DAC可以编程为任意的温度系数，这意味着无需任何外部器件，就可以修正任何系统的温度影响。
2011-01-22 09:29:11534 
DS1250W 3.3V 4096k NV SRAM为4,194,304位、全静态非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控
2010-12-07 10:21:02910 
DS1250 4096k、非易失SRAM为4,194,304位、全静态非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每个完整的NV SRAM均自带锂电池及
2010-12-07 10:18:011367 
DS3070W是Dallas公司最新推出的单片、内含实时时钟的非易失性静态存储器。该器件内部集成了16 Mb NV SRAM、非易失性控制器、实时时钟和一个锂锰（ML）可充电电池。介绍了DS3070W的性能
2010-12-06 15:31:4622 DS1230W 3.3V 256k非易失SRAM为262,144位、全静态非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每个NV SRAM自带锂电池及控制电路，控
2010-11-24 09:53:311781 
DS1245W 3.3V 1024k非易失SRAM为1,048,576位、全静态非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路
2010-11-24 09:47:28906 
DS1225AB及DS1225AD为65,536位、全静态非易失(NV) SRAM，按照
2010-11-10 09:36:271480 
DS1265W 8Mb非易失(NV) SRAM为8,388,608位、全静态NV SRAM，按
2010-11-07 09:37:51726 
DS1225Y 64K非易失SRAM为65,536位、全静态非易失RAM，按照
2010-11-03 09:26:231418 MXIM推出DS3065WP，一个1米x 8非易失(NV)与一个嵌入式实时时钟(RTC)和电池包在一个PowerCap
2010-10-28 08:46:50658 DS1330W 3.3V、256k NV SRAM为262,144位、全静态非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制
2010-10-22 09:04:04956 
DS1330 256k非易失(NV) SRAM为262,144位、全静态非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电
2010-10-22 09:00:581337 
DS1345 1024k非易失(NV) SRAM为1,048,576位、全静态非易失SRAM，
2010-10-22 08:58:38856 
DS1647为512k x 8非易失性静态RAM，包括一个完备的实时时钟，两者均以字节宽度格式访问。非易失性时间保持RAM功能等
2010-10-22 08:52:091167 
DS1350W 3.3V、4096k非易失SRAM为4,194,304位、全静态非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电
2010-10-21 09:03:59814 DS1350 4096k非易失(NV) SRAM为4,194,304位、全静态NV SRAM，
2010-10-21 09:01:27826 DS1220Y 16k非易失SRAM为16,384位、全静态非易失RAM，按照8位、2048字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路
2010-10-20 09:04:421128 DS1554是一个全功能的，2000年兼容(Y2KC)，实时时钟RTC的闹钟，看门狗定时器/日历(RTC)上电复位，电池监控，和32K × 8非易失
2010-09-28 09:11:081285 
DS1744是功能完备、2000年兼容(Y2KC)的实时时钟/日历(RTC)和32k x 8 NV SRAM。用户可通过如完整数据资料中的图1所示的单字
2010-09-28 09:05:42918 
DS1747是功能完备、2000年兼容(Y2KC)的实时时钟/日历(RTC)和512k x 8非易失性SRAM。用户可通过如图1所示的单字节宽
2010-09-28 08:58:301054 
该DS1557是一个全功能实时时钟/日历(RTC的同一个RTC报警，看门狗定时器，上电复位，电池监控)，以及512K的× 8非易失性静态RAM。用户访问DS1557内部所有寄存器完成了一个字节宽
2010-09-15 09:51:32693 
实时时钟模DS1302程序列子 /*********************************************************************//* 实时时钟模块 时钟芯片型号：DS1302 *//*//*****************
2010-07-08 16:26:07142 DS1643, DS1643P 非易失时钟RAM
概述
DS1643 is an 8K x 8 nonvolatile static RAM with a full function Real Time Clock (RTC) that a
2009-12-19 12:50:45990 
ds1302实时时钟
现在流行的串行时钟电路很多，如DS1302、DS1307、PCF8485等。这些电路的接口简单、价格低廉、使用方便，被广泛地
2009-10-09 09:34:513618 
M48T86是意法半导体公司生产的一种实时时钟,日历芯片.它具有精确计时、定时报警输出等功能,由于其内置128字节的非易失性RAM,因而具有功能强、使用方便等特点.文中详细介绍了M4
2009-04-24 16:22:3636 DS4301非易失、32抽头数字电位器
DS4301是一款单32抽头线性数字电位器，具有200kΩ端到端电阻。滑动端位置存储在EEPROM中，因此DS4301上电时就处于最近
2008-10-01 23:49:53712 
实时时钟电路DS1302的原理及应用
现在流行的串行时钟电路很多，如DS1302、DS1307、PCF8485等。这些电路的接口简单、价格低廉、使用方便，被广泛
2006-01-01 00:19:064834 
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