本文旨在讨论各种MRAM的技术路径，其中包括磁场驱动型、自旋转移扭矩（spin-transfer torque：STT）、自旋轨道扭矩（spin-orbit torque：SOT）、电压控制磁
2022-09-29 15:30:25
500 磁阻随机存取存储器 (MRAM) 是一种非易失性存储器技术，它依靠两个铁磁层的（相对）磁化状态来存储二进制信息。多年来，出现了不同风格的 MRAM 存储器，这使得 MRAM 对缓存应用程序和内存计算越来越感兴趣。
2022-07-26 11:08:34937 
可以保持数据持久性和完整性、低功耗等特性，在应用程序设计中起到了安全性至关重要的作用，应用在数据中心、云存储、能源、工业、汽车和运输市场等， Everspin 科技公司为世界上 MRAM 用户建立了最强
2022-03-15 15:45:22241 )市。2006年，Everspin推出业界第一款商业化MRAM产品。今日，Everspin MRAM已广泛用在数据存储、工业自动化、游戏、能源管理、通讯、运输、和航空电子领域。Parallel
2013-07-12 15:42:06
STT-MRAM是通过自旋电流实现信息写入的一种新型非易失性磁随机存储器，是磁性存储器MRAM的二代产品。STT-MRAM存储的结构简单，它省略了...
2022-02-07 12:36:25
5 在新型 RAM 技术中，MRAM 对物联网和边缘计算设备具有特别有吸引力。因为它能实现比目前这类硬件上的首选存储类内存 -NAND闪存-低得多的...
2022-02-07 11:58:101 高密度MRAM作为新兴内存的潜力取代DRAM和闪存等现有设备,通常使它已经成功取代Toggle MRAM形式的成熟技术的阴影。
2022-01-26 18:46:465 Everspin是设计制造MRAM、STT-MRAM的翘楚，其市场和应用涉及数据持久性和完整性，低延迟和安全性至关重要。在磁存储器设计，制造和交付...
2022-01-26 18:14:019 Everspin Technologies，Inc是设计制造MRAM和STT-MRAM的全球领导者其市场和应用领域涉及数据持久性和完整性，低延迟和安全性至关重要。E...
2022-01-25 19:29:142 它无法满足高速RAM应用必须兼具高速写入、无限耐久性，以及可接受的数据保存能力之需求。 STT-MRAM（也称为STT-RAM或有时称为ST-MRAM和ST-RAM）是一种高级类型的MRAM设备。与常规设备相比，STT-MRAM可实现更高的密度、低功耗和更低的成本。 STT-MRAM 相对于
2021-12-11 14:47:44229 文章介绍一些应用在血液透析机上的非易失性MRAM. 血液透析机使用Everspin 4Mb和16Mb MRAM产品是因为MRAM固有的非易失性、不需要电池或电容器、无限的非易失性写入耐久性和非易失性写入周期和读取周期的高速。这些独特的MRAM属性提高了
2021-11-11 16:26:49214 Everspin公司生产的MRAM用于数据持久性和应用的市场和应用。Everspin MRAM应用在数据中心和云存储、汽车和运输市场。MRAM是一种利用电子自旋来存储信息的存储技术。MRAM具有成为通用存储器的潜力——能够将存储存储器的密度与 SRAM 的速度相结合，同时具有非易失性和节能性。
2021-08-17 16:26:191381 Everspin是设计制造MRAM到市场和应用程序的翘楚，在这些市场和应用程序中，数据持久性和完整性，低延迟和安全性至关重要。Everspin是MRAM产品的长期可靠制造商，并在亚利桑那州钱德勒
2021-04-26 14:25:21284 
MRAM是一种使用电子自旋来存储信息的存储技术。MRAM具有成为通用存储器的潜力-能够将存储存储器的密度与SRAM的速度结合在一起，同时始终保持非易失性和高能效。MRAM可以抵抗高辐射，可以在极端
2021-03-03 16:40:05534 对于长期处于困境的MRAM行业来说，自旋注人方式可以说是一项能够扭转危机的革新技术。 MRAM轰轰烈烈地问世。但此后，MRAM在工艺发展和大容量方面并没有取得预期的进展。在目前大批量生产的产品中
2021-03-03 16:33:25410 Everspin Technologies，Inc是设计制造MRAM和STT-MRAM的全球领导者其市场和应用领域涉及数据持久性和完整性，低延迟和安全性至关重要。Everspin MRAM产品
2021-01-16 11:28:23363 MRAM是一种非易失性的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器（SRAM）的高速读取写入能力;以及动态随机存储器（DRAM）的高集成度，而且基本上可以无限次地重复写入。 MRAM的存储原理 MRAM
2020-12-09 15:54:191690 
磁阻式随机存储器MRAM是一种新型存储器，其优点有读取速度快和集成度高及非挥发性等。目前许多研究主要是致力于将MRAM运用于计算机存储系统中。同时非易失性MRAM存储器也应用于各级高速缓存
2020-11-09 16:46:48430 的可扩展性和可靠性，同时还在开发嵌入式MRAM，研究用于未来几代技术的新架构、材料和设备，从而继续保持其在MRAM研发方
2020-10-26 14:40:191422 MRAM是一种非易失性的磁性随机存储器。它拥有SRAM的高速读取写入能力，以及DRAM的高集成度，基本上可以无限次地重复写入。专注于代理销售MRAM芯片等存储芯片供应商英尚微电子详细介绍关于MRAM
2020-10-21 14:32:59914 
嵌入式内存测试和修复的挑战是众所周知的，包括最大程度地扩大故障覆盖范围以防止测试失败以及使用备用元件来最大程度地提高制造良率。随着有前途的非易失性存储器架构的可用性不断增加，以增加并潜在地替代传统
2020-10-14 15:52:19386 
经过超过八年的MRAM研发，Everspin MR2A16A是第一款4Mbit MRAM商业设备。该器件采用256K x 16位配置（图1），并具有异步设计，带有标准的芯片，写入和输出使能引脚
2020-09-21 14:09:49307 
临界点，在更多应用中它比以往任何时候都有意义。然而，从工艺和材料角度来看，它的确面临着一系列制造挑战，因为它使用的材料和工艺与传统CMOS制造不同。 目前MRAM是在单独的工厂中作为［线的后端］（BEOL）工艺制造的。需要传统的CMOS制造中不使用的新设备，例如
2020-09-19 10:49:551147 。串行MRAM实现了当今SPI EEPROM和闪存组件通用的命令子集，从而允许MRAM替换同一插槽中的这些组件并在共享SPI总线上进行互操作。与可用的串行存储器替代方案相比，串行MRAM具有卓越的写入速度，无限的耐用性，低待机和运行能力以及更可靠的数据保留。 对于MRAM，基于Everspin
2020-09-19 09:33:051839 MRAM是一种非易失性存储技术，可以在不需要电源的情况下将其内容保留至少10年。它适用于在系统崩溃期间需要保存数据的商业应用。基于MRAM的设备可以为黑匣子应用提供解决方案，因为它以SRAM的速度
2020-09-18 14:25:18773 
Everspin是设计制造和商业销售MRAMSTT-MRAM的全球领导者，其市场和应用涉及数据持久性和完整性，低延迟和安全性至关重要。Everspin在数据中心，云存储，能源，工业，汽车和运输市场
2020-09-18 14:13:16495 Everspin是设计制造MRAM、STT-MRAM的翘楚，其市场和应用涉及数据持久性和完整性，低延迟和安全性至关重要。 在磁存储器设计，制造和交付给相关应用方面的知识和经验以及在平面内和垂直磁隧道
2020-08-28 14:19:13304 新兴MRAM市场的主要参与者之一已经开发了专有技术，该技术表示将通过增加保持力并同时降低电流来增强任何MRAM阵列的性能。 自旋转移技术（STT）的进动自旋电流（PSC）结构，它有潜力提高MRAM
2020-08-18 17:34:53569 
Everspin主要是设计制造和商业销售MRAM和STT-MRAM的领先者，其市场和应用领域涉及数据持久性和完整性，低延迟和安全性至关重要。Everspin MRAM产品应用在数据中心，云存储，能源
2020-08-17 14:42:141606 随着有希望的非易失性存储器架构的可用性不断增加，以增加并潜在地替代传统的易失性存储器，新的SoC级存储器测试和修复挑战正在出现。通过将自旋转移扭矩MRAM（STT-MRAM）作为嵌入式MRAM技术
2020-08-04 17:24:262893 临界点，在更多应用中它比以往任何时候都有意义。然而，从工艺和材料角度来看，它的确面临着一系列制造挑战，因为它使用的材料和工艺与传统CMOS制造不同。 目前MRAM是在单独的工厂中作为［线的后端］（BEOL）工艺制造的。需要传统的CMOS制造中不使用的新设备，例如
2020-07-30 15:25:311415 在其他产品领域的雄心壮志，并且最近宣布了其新的32Mb Toggle MRAM，其容量是其当前解决方案的两倍。Everspin表示，它旨在支持需要更高密度选项的关键应用，例如在嵌入式系统和物联网设备中存储配置，设置和数据记录，以及预测5G网络驱动的设备需求。 那么，为什么不让客户使用两个16Mb设备
2020-07-28 11:26:41661 MRAM是一种使用电子自旋来存储信息的存储技术。MRAM具有成为通用存储器的潜力-能够将存储存储器的密度与SRAM的速度结合在一起，同时始终保持非易失性和高能效。Everspin MRAM可以抵抗高
2020-07-17 15:36:19484 
MRAM正在开发支持人工智能、物联网和先进网络技术的下一代嵌入式设备；在数据中心、边缘和端点。此外独立MRAM已经成为许多应用的重要非易失性缓存和缓冲区。为所有这些应用提供MRAM需要在生产环境中进
2020-07-17 13:56:10318 
切换（或场驱动）MRAM包括大部分的独立MRAM设备。然而切换MRAM的规模不足以取代大多数其他记忆。STT-MRAM产品将扩展到更高的密度，需要更低的能量写比切换MRAM。2019年已发运大部分
2020-06-23 15:31:03796 Everspin MR25H40-4Mb SPI串行接口MRAM适用于医疗设备中的非易失存储器，例如在医用呼吸中，4Mb （MR25H40）的MRAM可用于存储操作软件程序变量。存储在MRAM的数据
2020-06-02 15:09:01578 和医疗设备市场的领导者，在其血液透析机中使用MRAM作为机器性能参数以及各个患者参数的数据日志。 Nikkiso的工程师选择
2020-04-30 16:26:21375 MRAM是一种使用电子自旋来存储信息的存储技术（MRAM设备是Spintronics设备）。MRAM具有成为通用存储器的潜力-能够将存储存储器的密度与SRAM的速度结合在一起，同时始终保持非易失性和
2020-04-09 09:13:144425 实现其潜力，但截至2020年初，市场上有从很小的MRAM到1Gb芯片的MRAM芯片，并且公司正在将该技术用于许多应用。 虽然有了这么多的论文和研究成果，但是目前并没有MRAM实际产品制造出来。 另一个有趣的问题就是MRAM保存数据的稳定性，热稳定性毫无疑问会影
2020-04-08 15:01:55697 非易失性MRAM芯片组件通常在半导体晶圆厂的后端工艺生产，下面英尚微电子介绍关于MRAM关键工艺步骤包括哪几个方面. (1)底部电极的形成(参考图1)：经由传统图案化与镶嵌工艺形成的底部电极层需要
2020-04-07 17:46:031167 
在新型 RAM 技术中，MRAM对物联网和边缘计算设备具有特别有吸引力。因为它能实现比目前这类硬件上的首选存储类内存 -NAND闪存-低得多的功耗，同时实现非易失性数据存储。非易失性MRAM 本身
2020-04-07 14:08:17577 随着制造成本下降以及其他存储器技术面临可扩展性挑战，嵌入式MRAM正在获得更多考虑。
2019-09-16 16:25:42719 8月5日，在美国举行的MRAM开发者日活动上，Yole Development分析师Simone Bertolazzi分享了MRAM技术和市场的最新趋势。他指出，MRAM作为下一代非易失性存储器的替代者市场正在迅速扩大。到2024年，MRAM的市场规模将增加40倍。
2019-08-08 12:02:219018 在商品化方面，目前MRAM已发展到第三代，具有非挥发性、读写速度快、能耗低、制程仍有持续微缩空间等优点。就产品发展上，MRAM可分为独立式(stand-alone)及嵌入式两大类，目前独立式占MRAM市场规模达95%以上。
2019-01-05 09:43:523064 
电子发烧友App
工商网监
工商网监
评论