并非所有非易失性或闪存 FPGA 器件都是一样的。本文探讨了真正的非易失性FPGA的优势 - 包括显著降低功耗、更快的响应时间、无与伦比的可靠性和不折不扣的安全性 - 是无法复制的。
2022-11-14 15:34:19
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2022-07-12 10:20:41
0 可以保持数据持久性和完整性、低功耗等特性，在应用程序设计中起到了安全性至关重要的作用，应用在数据中心、云存储、能源、工业、汽车和运输市场等， Everspin 科技公司为世界上 MRAM 用户建立了最强
2022-03-15 15:45:22241 STT-MRAM是通过自旋电流实现信息写入的一种新型非易失性磁随机存储器，是磁性存储器MRAM的二代产品。STT-MRAM存储的结构简单，它省略了...
2022-02-07 12:36:255 Everspin是设计制造MRAM、STT-MRAM的翘楚，其市场和应用涉及数据持久性和完整性，低延迟和安全性至关重要。在磁存储器设计，制造和交付...
2022-01-26 18:14:019 的时间里始终是非易失性的。数据通过低压抑制电路在断电时自动保护，以防止电压超出规格的写入。MR0D08BMA45R是必须快速永久存储和检索关键数据和程序的应用的理想内存解决方案。 MR0D08BMA45R
2022-01-26 14:44:53161 Everspin Technologies，Inc是设计制造MRAM和STT-MRAM的全球领导者其市场和应用领域涉及数据持久性和完整性，低延迟和安全性至关重要。E...
2022-01-25 19:29:142 )市。2006年，Everspin推出业界第一款商业化MRAM产品。今日，Everspin MRAM已广泛用在数据存储、工业自动化、游戏、能源管理、通讯、运输、和航空电子领域。Parallel
2013-07-12 15:42:06
MRAM速度快且非易失性。实时监控的传感器数据可以实时写入，无需负载均衡或ECC开销。AEC-Q1001级合格MRAM将在发动机罩下应用的扩展温度（-40℃至125℃）内保留数据20年。意外断电不会
2021-12-07 17:30:24254 文章介绍一些应用在血液透析机上的非易失性MRAM. 血液透析机使用Everspin 4Mb和16Mb MRAM产品是因为MRAM固有的非易失性、不需要电池或电容器、无限的非易失性写入耐久性和非易失性写入周期和读取周期的高速。这些独特的MRAM属性提高了
2021-11-11 16:26:49214 MRAM像SRAM一样是快速写入的，而像Flash一样也是非易失性的，但是不需要页面擦除或长写入周期。事件数据可以以总线速度保存到MRAM，并且即使意外断电或掉电也可以保持持久性。本篇
2021-09-28 16:51:52538 Everspin公司生产的MRAM用于数据持久性和应用的市场和应用。Everspin MRAM应用在数据中心和云存储、汽车和运输市场。MRAM是一种利用电子自旋来存储信息的存储技术。MRAM具有成为通用存储器的潜力——能够将存储存储器的密度与 SRAM 的速度相结合，同时具有非易失性和节能性。
2021-08-17 16:26:191381 低功耗设计的植入人体的增强生命的患者监护设备，小尺寸内存，赛普拉斯FRAM 提供即时非易失性和几乎无限的耐用性，而不会影响速度或能源效率。本篇文章介绍64Kbit非易失性铁电存储器FM25640B。
2021-06-30 15:42:461018 Everspin成立于2006年，是从飞思卡尔分离出来的一家半导体科技公司，以领导非易失性MRAM存储芯片为公司主导致力于非易失性存储芯片的发展，是全球唯一一家专业生产销售磁性随机存取内存（MRAM），目前该产品已经应用于多个行业，如人工智能，金融数据等。
2021-06-25 09:39:34578 MRAM是一种非易失性存储技术，可以在不需要电源的情况下将其内容保留至少10年。它适用于在系统崩溃期间需要保存数据的商业应用。基于MRAM的设备可以为“黑匣子”应用提供解决方案，因为它以SRAM
2021-06-23 16:16:26428 现有非易失性内存文件系统都以DRAM模拟非易失性内存（Non- Volatile memory，NVM）进行测试，而没有充分考虑两者间的写时延和写磨损特性差异，使得测试结果无法准确反映文件系统在
2021-05-07 11:05:2013 Everspin半导体为环境苛刻的应用，如军事、航空航天、工业和汽车系统等提供非易失性存储技术。Angstrom Aerospace在其磁力计子系统中使用Everspin的温度范围更大的4Mbit
2021-04-30 17:17:53240 Everspin是设计制造MRAM到市场和应用程序的翘楚，在这些市场和应用程序中，数据持久性和完整性，低延迟和安全性至关重要。Everspin是MRAM产品的长期可靠制造商，并在亚利桑那州钱德勒
2021-04-26 14:25:21284 
UG-932：使用芯片间总线和非易失性故障记录评估ADM1260超级序列器
2021-04-24 14:38:011 ADM1166：带余量控制和非易失性故障记录的超级序列器
2021-04-24 12:29:412 ADM1169：带裕度控制和非易失性故障记录数据表的超级序列器
2021-04-17 10:06:150 ADM1260：带芯片间总线和非易失性故障记录数据表的超级序列器
2021-04-16 17:27:200 新一代器件已通过QML-Q和高可靠性工业规格的认证，支持苛刻环境下的非易失性代码存储和数据记录应用，包括航天和工业应用。
2021-04-01 11:10:542330 MRAM是一种使用电子自旋来存储信息的存储技术。MRAM具有成为通用存储器的潜力-能够将存储存储器的密度与SRAM的速度结合在一起，同时始终保持非易失性和高能效。MRAM可以抵抗高辐射，可以在极端
2021-03-03 16:40:05534 是Spintronics设备）。MRAM具有成为通用存储器的潜力-能够将存储存储器的密度与SRAM的速度结合在一起，同时始终保持非易失性和高
2021-01-16 11:28:23363 电子发烧友网站提供《非易失性NVSRAM存储器的详细讲解.pdf》资料免费下载
2020-11-25 11:12:0024 磁阻式随机存储器MRAM是一种新型存储器，其优点有读取速度快和集成度高及非挥发性等。目前许多研究主要是致力于将MRAM运用于计算机存储系统中。同时非易失性MRAM存储器也应用于各级高速缓存
2020-11-09 16:46:48430 MRAM是一种非易失性的磁性随机存储器。它拥有SRAM的高速读取写入能力，以及DRAM的高集成度，基本上可以无限次地重复写入。专注于代理销售MRAM芯片等存储芯片供应商英尚微电子详细介绍关于MRAM
2020-10-21 14:32:59914 
，读取操作必须将极化恢复到其原始状态，这会增加读取操作的周期时间。写周期需要一个初始的预充电时间，这可能会增加初始访问时间。环境温度高于85C，由于自由电荷的积累导致FRAM磨损，从而导致影响10年的数据保留。 Everspin MRAM将提供最
2020-10-09 16:21:18180 在单个器件中提供了SRAM的高速度和闪存的非易失性，它的寿命几乎是没有限制的。MRAM芯片器件可以用于高速缓冲器﹑配置内存，以及其他要求高速且耐用和非易失性的商业应用。 Everspin半导体在磁存储器设计和制造及交付给相关应用方面的知识和经验在半导
2020-09-24 16:19:43754 经过超过八年的MRAM研发，Everspin MR2A16A是第一款4Mbit MRAM商业设备。该器件采用256K x 16位配置（图1），并具有异步设计，带有标准的芯片，写入和输出使能引脚
2020-09-21 14:09:49307 
MRAM是一种非易失性的磁性随机存储器。所谓非易失性是指掉电后﹐仍可以保持存储内容完整，此功能与Flash闪存相同;而随机存取是指处理器读取资料时，不定要从头开始，随时都可用相同的速率，从内存的任何
2020-09-21 13:50:341469 Everspin MRAM存储芯片如何用MRAM这类非易失性存储和NVMe SSD构建未来的云存储的解决方案。 首先STT-MRAM作为异常掉电数据缓存的介质有以下几大优势： 1. 非易失性存储器
2020-09-19 11:38:321884 Everspin MRAM内存技术是如何工作的？ Everspin MRAM与标准CMOS处理集成 Everspin MRAM基于与CMOS处理集成的磁存储元件。每个存储元件都将一个磁性隧道结
2020-09-19 09:52:051279 MRAM是一种非易失性存储技术，可以在不需要电源的情况下将其内容保留至少10年。它适用于在系统崩溃期间需要保存数据的商业应用。基于MRAM的设备可以为黑匣子应用提供解决方案，因为它以SRAM的速度
2020-09-18 14:25:18773 
Everspin是设计制造和商业销售MRAMSTT-MRAM的全球领导者，其市场和应用涉及数据持久性和完整性，低延迟和安全性至关重要。Everspin在数据中心，云存储，能源，工业，汽车和运输市场
2020-09-18 14:13:16495 ROHM确立了非易失性逻辑IC技术的可靠性，已经开始进行批量生产阶段。此次采用了非易失性逻辑CMOS同步式的技术开发了4 Pin非易失性逻辑计算IC“BU70013TL”。这个产品于2009年6月
2020-08-30 08:28:00388 Everspin是设计制造MRAM、STT-MRAM的翘楚，其市场和应用涉及数据持久性和完整性，低延迟和安全性至关重要。 在磁存储器设计，制造和交付给相关应用方面的知识和经验以及在平面内和垂直磁隧道
2020-08-28 14:19:13304 宇芯电子本篇文章提供智能电表或智能电子式电表的概述，并且说明在智能电子式电表的设计中用非易失性串行FRAM而不是使用EEPROM的优势。图1显示的是智能电子式电表的简化框图。 非易失性存储器是一个
2020-08-27 10:21:55283 
Everspin器件是一个40MHz/50MHz MRAM，工作于2.7V-3.6V，标称Vdd=3.3V，而SPI FRAM具有更宽的工作电压范围（1.8V至3.6V）。在使用SPI-MRAM替换
2020-08-27 10:17:36198 ，工业，汽车和运输市场等领域范围，为全球MRAM用户奠定了最强大，增长最快的基础。Everspin代理商英尚微电子本篇文章介绍非易失性MRAM主要应用领域。 工业：工业应用需要长期支持，而某些应用则需
2020-08-17 14:42:141608 MRAM是一种使用电子自旋来存储信息的存储技术。MRAM具有成为通用存储器的潜力-能够将存储存储器的密度与SRAM的速度结合在一起，同时始终保持非易失性和高能效。Everspin MRAM可以抵抗高
2020-07-17 15:36:19484 
MRAM正在开发支持人工智能、物联网和先进网络技术的下一代嵌入式设备；在数据中心、边缘和端点。此外独立MRAM已经成为许多应用的重要非易失性缓存和缓冲区。为所有这些应用提供MRAM需要在生产环境中进
2020-07-17 13:56:10320 
存储器芯片。Everspin总代理宇芯电子可提供技术支持和产品解决方案。 MRAM可能是当今最有前途的下一代非易失性存储技术。Toggle MRAM和STT-MRAM已经进入市场，在许多应用中获得了
2020-07-13 11:25:58883 在2019全球闪存峰会上，Everspin作为MRAM存储芯片供应商分享如何用MRAM这类非易失性存储和NVMe SSD构建未来的云存储的解决方案。 首先STT-MRAM作为异常掉电数据缓存的介质有
2020-07-10 14:19:20429 MRAM内存的Everspin开始向STT-MRAM发运最高1Gb的芯片容量，这种内存密度使这些设备在许多应用中更受关注。Everspin代理商英尚微电子提供产品技术支持及解决方案。 主要的嵌入式半导体制造商为工业和消费应用中使用的嵌入式产品提供MRAM非易失性存储器选项。这些铸造厂包括全球
2020-06-23 15:31:03796 随机存取存储器（MRAM），为太空工业提供辐射硬化，高度可靠的非易失性不受单事件翻转（SEU），低压单事件闩锁（SEL）和单事件门破裂（SEGR）影响的存储器。该产品还在-40C至+ 105C的温度范围内提供
2020-05-14 12:01:15381 Everspin拥有包括40nm，28nm及更高技术节点在内的先进技术节点上进行了全包交钥匙的300mm大批量平面内和垂直MTJ ST-MRAM生产。Everspin生产基于180nm，130nm和
2020-04-30 16:26:21375 Everspin的MRAM技术具高可靠性、快速读/写、即时开启、非挥发性、和无限次擦除等特性。Everspin的产品组合包括提供BGA和TSOP两种可选封装、容量从256Kb到16Mb的8位和16位
2020-04-25 11:11:33653 
保持至少20年的非易失性。没有数据从易失性存储单元传输到非易失性存储单元，也没有外部电容器或备用电池。消除了外部组件，高度可靠的数据保留以及35ns SRAM兼容的读/写访问时间，使Everspin
2020-04-15 17:02:031353 ）STT-MRAM位单元的开发方面处于市场领先地位。 Toggle MRAM为许多行业提供服务，包括交通运输，航空航天和医疗，物联网及工业。Everspin与全球能源管理和自动化专家Schneider
2020-04-09 09:28:05497 Everspin是专业研发生产MRAM、STT-MRAM等半导体领先供应商，在包括40nm，28nm及更高的技术节点在内的先进技术节点上进行了全包交钥匙的300mm大批量平面内和垂直MTJ
2020-04-07 17:16:07420 时，MTJ的隧道结便会显现出低电阻特性。而当自由层被施予反方向的极化时，MTJ便会有高电阻。此一磁阻效应可使MRAM不需改变内存状态，便能快速读取数据。在MRAM存储器中有一个富含创造性的设计，这也是EVERSPIN的专利。 在MRAM的诞生过程中，设计的难点和关
2020-04-07 17:06:30364 MRAM是基于电子自旋而不是电荷的下一代存储技术。MRAM通常被称为存储器的圣杯，具有快速，高密度和非易失性的特点，可以在单个芯片中替代当今使用的所有类型的存储器。 Everspin是全球唯一的磁性
2020-03-25 16:02:57577 Everspin 近日宣布，其已开始试生产最新的 1Gb STT-MRAM（自旋转移力矩磁阻）非易失性随机存取器。
2019-06-27 08:59:439481 事实上，除了这些传统要求，在前两代非易失FPGA产品的经验基础上，莱迪思半导体（Lattice Semiconductor）公司还认识到需要灵活的片上非易失存储器，以及作为非易失FPGA新要求的用于现场逻辑更新的全面解决方案。
2019-06-16 09:48:471087 （phase-change memory, PCM）、磁阻式随机存储（magnetoresistive random access memory, MRAM以及阻变式存储（resistive random access memory, RRAM）等主要非易失性存储技术已经有了较长的开发历史。
2018-07-04 11:55:005809 
影响，相关的存储与事务处理技术是其中值得关注的重要环节．首先，概述了事务型数据库系统随存储环境发展的历史与趋势；然后，对影响上层数据管理系统设计的非易失性存储技术以及面向大数据应用领域与硬件环境优化的事务技术进行综述
2018-01-02 19:04:400 非易失性半导体存储器的相变机制
2017-01-19 21:22:5414 DS1243Y 64K非易失SRAM，带有隐含时钟是一个内置的实时时钟(8192字由8位)是由完全静态非易失性内存 。
2012-01-04 10:53:261126 
赛普拉斯半导体子公司AgigA技术公司日前宣布，推出业界最高存储密度的DDR3解决方案，成为其无需电池供电的高速非易失性RAM系列产品中新的一员。AGIGARAM™非易失性产品系列中的这一新解决方案可提供高达8GB的存储密度，从而为系统架构师和设计者提供了充
2011-01-26 16:45:37518 DS1250 4096k、非易失SRAM为4,194,304位、全静态非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每个完整的NV SRAM均自带锂电池及
2010-12-07 10:18:011219 
这款新Qorivva微控制器(MCU)系列基于Power Architecture ·技术，采用独特的55纳米(nm)非易失性内存(NVM)构建而成，旨在
2010-11-11 18:05:13733 DS1646是一个128K的× 8非易失性与全功能实时时钟，都在一个字节宽的格式访问静态RAM。非易失性RAM是计时功能等同于
2010-10-22 08:55:09771 
DS1647为512k x 8非易失性静态RAM，包括一个完备的实时时钟，两者均以字节宽度格式访问。非易失性时间保持RAM功能等
2010-10-22 08:52:091019 
DS1747是功能完备、2000年兼容(Y2KC)的实时时钟/日历(RTC)和512k x 8非易失性SRAM。用户可通过如图1所示的单字节宽
2010-09-28 08:58:30941 
概述
可编程逻辑器件已经越来越多地用于汽车电子应用，以替代ASIC和ASSP器件。Actel FPGA基于非易失性技术(快闪和反熔丝)，不易发生由中子引发的固件错误，
2010-08-26 10:52:38391 Xicro公司生产的X25Fxx 系列非易失性快速擦写串行 RAM 具有功耗低, 擦写速度快的特点 ,它采用 SPI 三总线接口,可与各种单片机连接,且具有很完善的数据保护功能。本文从应用角度出发
2009-04-25 16:01:3518 摘要：本文讨论如何使用安全数字(SD)媒体格式扩展MAXQ2000的非易失数据存储器。 低功耗、低噪声的MAXQ2000微控制器适合于多种应用。MAXQ2000在闪存中存储非易失性数据，
2009-04-23 16:25:25880 
英特矽尔Intersil推出小型非易失性按钮式数控电位器ISL22511/12
Intersil公司近日宣布推出全球最小的非易失性按钮式数控电位器（DCP）ISL22511和ISL22512。Intersil
2008-08-05 09:23:55545
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