蚀刻后残留物和光刻胶的去除方法
0引言
在未来几代器件中，光刻胶(PR)和残留物的去除变得非常关键。在前端制程(FEOL)离子注入后(源极/漏极、扩展、haIos、深阱)，使用PR封闭部分电路导致PR实质上硬化且难以去除。在后段制程(BEOL)蚀刻中，在不去除低k材料的情况下去除抗蚀剂和残留物的选择性是非常具有挑战性的。概述了现状、问题和一些新的方法。
介绍
光致抗蚀剂用于保护晶片的某些区域免受干蚀刻化学物质、离子注入等的影响。工艺完成后，需要选择性地去除光致抗蚀剂并清洁表面，以确保表面没有残留物和颗粒。原则上，使用湿化学物质如热SPM、有机溶剂或通过使用干等离子体的“灰化”去除抗蚀剂是可能的。然而，在干法蚀刻或注入处理过程中，抗蚀剂会发生化学改性，这种改性会显著降低剥离速率。如果更具侵略性-例如，使用高度氧化的化学物质，这可能导致晶片上其他材料的不希望的侵蚀。虽然这些考虑几十年来，对于单元工艺开发非常重要，对于45纳米技术节点和更高技术节点的某些iTRS路线图要求变得越来越严格，以至于工业实验室正在考虑对cMOS集成流程的几个模块进行根本性的范式转变。同时，新的替代集成方案，包括使用应变硅、金属硬掩模和金属栅电极，导致不同的要求。这使得对这一主题的研究更加复杂。
在下文中，我们华林科纳总结了现状、问题和新方法，重点关注FEOL中的源漏注入模块和BEOL的低k干法刻蚀模块。
FEOL:植入后抗蚀剂剥离
源极-漏极注入模块场效应晶体管的源极/漏极(S/D)结是通过将掺杂剂离子注入硅衬底而形成的。这种注入通常涉及离子as、P、B或BF2的面密度约为。1012到几个1015cm。离子能量的范围从非常浅的S/D扩展的几100eV到深注入的几十keV。为了确保在同一芯片/晶片上制造的各种器件，特别是nFETs和pFETs，每个器件只接受适当的注入，需要进行选择性注入。这是通过用图案化的光致抗蚀剂进行掩蔽来实现的，如图1示意性所示。因此，S/D区域中复杂的掺杂剂几何形状是通过光致抗蚀剂应用和图案化、离子注入、抗蚀剂剥离和表面清洁的循环产生的。
注入抗蚀剂的离子导致近表面区域的化学改性。抗蚀剂聚合物的化学键被来自撞击离子的能量破坏，这会导致聚合物主链断裂。
结论
开发下一代光刻胶剥离剂和残留物去除剂并不容易。它来自于大量的辛勤工作和致力于创造一种满足90纳米节点或以下技术需求的化学。
我们最新的化学技术可有效去除low-电介质上的大块光刻胶、灰渣和抗反射涂层。它还是100%水溶性的，是一种更加环保的解决方案。
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多晶硅蚀刻残留物的的形成机理
引起的，湿法清洗和干法蚀刻清洗工艺被用于去除多晶硅蚀刻残留物，这可能影响电特性和进一步的器件工艺。XPS结果表明，湿法清洗适用于蚀刻残留物的去除。
发表于 05-06 15:49
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用于光刻胶去除的单晶片清洗技术
本文的目标是讨论一种新技术，它可以在保持竞争力的首席运营官的同时改善权衡。 将开发湿化学抗蚀剂去除溶液的能力与对工艺和工具要求的理解相结合，导致了用于光刻胶去除的单晶片清洗技术的发展。 该技术针对晶
发表于 05-07 15:11
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使用全湿法去除Cu BEOL中的光刻胶和BARC
蚀刻后光刻胶和BARC层的去除，扫描电子显微镜(SEM)和X射线光电子能谱(XPS)用于评估清洗效率，使用平面电容器结构确定暴露于等离子体和湿化学对低k膜的介电常数的影响。 对图案化结构的横截面SEM检查表明，在几种实验条件和化学条件下可以实现
22nm互连的光刻蚀刻后残留去除的挑战和新方法
本文描述了我们华林科纳研究去除金属硬掩模蚀刻后光致抗蚀剂去除和低k蚀刻后残留物去除的关键挑战并概述了一些新的非等离子体为基础的方法。 随着图案尺寸的不断减小，金属硬掩模(MHM)蚀刻后留下的
刻蚀后残留物的去除方法
(BCB)。蚀刻工艺的固有副产物是形成蚀刻后残留物，该残留物包含来自等离子体离子、抗蚀剂图案、蚀刻区域的物质混合物，以及最后来自浸渍和涂覆残留物的蚀刻停止层(Au)的材料。普通剥离剂对浸金的蚀刻后
使用清洗溶液实现蚀刻后残留物的完全去除
我们华林科纳半导体开发了一种新的湿法清洗配方方法，其锡蚀刻速率在室温下超过30/min，在50°c下超过100/min。该化学品与铜和低k材料兼容，适用于铜双镶嵌互连28 nm和更小的技术节点
BEOL应用中去除蚀刻后残留物的不同湿法清洗方法
)开口的低k图案化中，观察到两个主要问题。首先，MHM开口后的干剥离等离子体对暴露的低k材料以及MHM下面的低k材料造成一些损伤。受损低k是非常易碎的材料，不应该被去除，否则将获得一些不良的轮廓结构。其次，连续的含氟低k蚀刻等离子体导致聚合物
一种穿过衬底的通孔蚀刻工艺
和扫描电子显微镜(SEM)来确定缺陷密度和通孔尺寸。使用光学显微镜、SEM和俄歇电子能谱(AES)完成对蚀刻后去除的分析。通过一系列评估，来自通用化学公司的化学物质被确定为能有效地同时去除光刻胶掩模和
发表于 06-23 14:26
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适用于清洁蚀刻后残留物的定制化学成分（1）
引言 介绍了一种蚀刻后残留物清洗配方，该配方基于平衡氢氟酸的腐蚀性及其众所周知的残留物去除特性。在最初由基于高k电介质的残留物提供的清洁挑战所激发的一系列研究中，开发了一种配方平台，其成功地清洁了由
光刻胶剥离用组合物及用其进行剥离的方法介绍
本文章介绍了我们华林科纳一种光刻胶剥离用组合物，该组合物不仅对离子注入工艺后或离子注入工艺和高温加热工艺后硬化或变质为聚合物的光刻胶具有良好的去除力，而且使膜质腐蚀性最小化。半导体工艺中离子注入工艺
干法刻蚀去除光刻胶的技术
灰化，简单的理解就是用氧气把光刻胶燃烧掉，光刻胶的基本成分是碳氢有机物，在射频或微波作用下，氧气电离成氧原子并与光刻胶发生化学反应，生成一氧化碳，二氧化碳和水等，再通过泵被真空抽走，完成光刻胶的去除。
A股半导体光刻胶企业营收靓丽！打造光刻胶全产业链 博康欲成国产光刻胶的中流砥柱
光刻胶为何要谋求国产替代？中国国产光刻胶企业的市场发展机会和挑战如何？光刻胶企业发展要具备哪些核心竞争力？在南京半导体大会期间，徐州博康公司董事长傅志伟和研发总监潘新刚给我们带来前沿观点和独家分析。
半导体光刻胶企业营收靓丽！打造光刻胶全产业链 博康欲成国产光刻胶的中流砥柱
领域进行激烈竞争的时候，中国国产光刻胶企业在国内晶圆厂布局的成熟制程领域，展开了新产品上市和量产的争夺战。 南大光电最新消息显示，国产193nm（ArF）光刻胶研发成功，这家公司成为通过国家“02专项”验收的ArF光刻胶项目实施主体；徐州博康宣布，该
光刻胶为何要谋求国产替代
南大光电最新消息显示，国产193nm（ArF）光刻胶研发成功，这家公司成为通过国家“02专项”验收的ArF光刻胶项目实施主体；徐州博康宣布，该公司已开发出数十种高端光刻胶产品系列，包括
光刻胶的原理和正负光刻胶的主要组分是什么
光刻胶的组成：树脂（resin/polymer），光刻胶中不同材料的粘合剂，给与光刻胶的机械与化学性质（如粘附性、胶膜厚度、热稳定性等）；感光剂，感光剂对光能发生光化学反应；溶剂（Solvent
国产光刻胶市场前景 国内厂商迎来发展良机
半导体光刻胶用光敏材料仍属于“卡脖子”产品，海外进口依赖较重，不同品质之间价 格差异大。以国内 PAG 对应的化学放大型光刻胶（主要是 KrF、ArF 光刻胶）来看，树脂在 光刻胶中的固含量占比约
半导体光刻胶重要性凸出，国产替代加速推进
光刻胶是IC制造的核心耗材，技术壁垒极高。根据TECHCET数据，预计2022年全球半导体光刻胶市场规模达到23亿美元，同比增长7.5%，2025年超过25亿美元。
高端光刻胶通过认证 已经用于50nm工艺
此前该公司指出，公司已建成年产5吨ArF干式光刻胶生产线、年产20吨ArF浸没式光刻胶生产线及年产45吨的光刻胶配套高纯试剂生产线，具备ArF光刻胶及配套关键组分材料的生产能力，目前公司送样验证的产品均由该自建产线产出。
浅谈EUV光刻中的光刻胶和掩模等材料挑战
新的High NA EUV 光刻胶不能在封闭的研究环境中开发，必须通过精心设计的底层、新型硬掩模和高选择性蚀刻工艺进行优化以获得最佳性能。为了迎接这一挑战，imec 最近开发了一个新的工具箱来匹配光刻胶和底层的属性。
发表于 04-13 11:52
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工商网监
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