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华林科纳半导体设备制造
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行政品宣部 苏州华林科纳半导体设备技术有限公司
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  • 关注了版块 2022-7-19 14:21

    RISC-V技术论坛

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  • 关注了版块 2022-7-19 14:14

    电路设计论坛

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  • 发布了文章 2022-5-16 15:00

    晶片清洗和热处理对硅片直接键合的影响
    本实验通过这两种清洗方法进行标识分为四个实验组，进行了清洗实验及室温接合， 以上工艺除热处理工艺外，通过最小化工序内部时间间隔，抑制清洗的基板表面暴露在大气中的灰尘等杂质粒子下。...
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  • 发布了文章 2022-5-11 14:49

    使用KOH各向异性蚀刻Si的光学器件的单掩模微制造（下）
    接上回的实验演示   实验演示  非球面的制造包括以下步骤: 1.光刻掩模的设计和图案到沉积在硅晶片上的氧化层的转移； 2.KOH蚀刻以形成金字塔形凹坑； 3.去除氧化物掩模并进一步各向异性蚀刻以形成非球面表面。 我们使用 100 525 ...
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  • 发布了文章 2022-2-15 14:55

    研究碳化硅衬底和外延的实验报告
    摘要 本发明提供一种能够提供低位错缺陷的高质量衬底的单晶碳化硅锭，和由此获得的衬底和外延晶片。 它是一种包含单晶碳化硅的单晶碳化硅锭，该单晶碳化硅含有浓度为2X1018 cm-3至6X 1020cm-3的施主型杂质和浓度为X1018cm-3...
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  • 发布了文章 2022-2-8 15:26

    GaN衬底制造过程中N面氮化镓清洗工艺的研究报告
    氮化镓由于其宽的直接带隙、高热和化学稳定性，已成为短波长发射器（发光二极管和二极管激光器）和探测器等许多光电应用的诱人半导体，以及高功率和高温电子器件。对于实现先进的氮化镓器件，如激光二极管或高功率灯，对低线程位错密度(<106cm-...
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  • 发布了文章 2022-2-8 14:27

    SPM光刻工艺的研究报告
    在这篇文章中，我们华林科纳演示了在钛薄膜上形成纳米尺度阳极氧化物的设备，以及在接触或半接触模式下使用NTMDT公司的求解器PROTM AFM对其进行表征。...
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  • 发布了文章 2022-2-8 13:10

    薄膜MLCC的技术报告
    本文讨论了传统MLCC技术的最新技术，并将该技术与潜在的MLCC薄膜制造技术进行了比较,讨论了MLCC制造、相关限制、潜在制造技术和设计理念方面的薄膜技术的实用性。同时还考虑了电子行业的总体趋势的影响、MLCC形状因子的预期演变以及薄膜技术...
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  • 发布了文章 2022-1-25 13:51

    关于硅的湿化学蚀刻机理的研究报告
    摘要 本文从晶体生长科学的角度回顾了单晶的湿化学蚀刻。起点是有光滑和粗糙的晶体表面。光滑面的动力学是由粗糙面上不存在的成核势垒控制的。因此后者蚀刻速度更快数量级。对金刚石晶体结构的分析表明，晶面是该晶格中唯一光滑的面，其他面可能只是因为表面...
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  • 发布了文章 2022-1-25 13:18

    关于薄膜金刚石的化学机械抛光的研究报告
    摘要 纳米晶金刚石(NCD)可以保留单晶金刚石的优越杨晶模量(1100GPa)，以及在低温下生长的能力(450C)，这推动了NCD薄膜生长和应用的复兴。然而，由于晶体的竞争生长，所产生的薄膜的粗糙度随着薄膜厚度的增加而变化，阻止了NCD薄膜...
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  • 发布了文章 2022-1-25 10:32

    关于硫酸-过氧化氢-水系统中砷化镓的化学蚀刻研究报告
    摘要 我们华林科纳对h2so4-h202-h20体系中（100）砷化镓的蚀刻情况进行了详细的研究。研究了特定蚀刻剂成分的浓度对蚀刻速率和晶体表面形状的影响。从这些结果中，蚀刻浴组成的吉布斯三角形被划分为与晶体表面的不同状态和各种蚀刻机制相对...
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  • 发布了文章 2022-1-18 14:08

    关于氧化锌的基本性质和应用的报告
    本文概述了氧化锌的基本性质，包括晶体结构、能带结构和热性质，并介绍了其应用前景、氧化锌块体、薄膜和纳米结构，氧化锌的机械性质、基本电子和光学性质以及潜在的应用。 晶体结构在环境压力和温度下，氧化锌在纤锌矿(B4型)结构中结晶，如图...
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  • 发布了文章 2022-1-13 14:19

    用于刻蚀多晶硅表面的HF-HNO3-H2SO4/H2O混合物
    硅表面常用的HF-HNO3-H2O蚀刻混合物的反应行为因为硫酸加入而受到显著影响。HF (40%)-HNO3 (65%)-H2SO4 (97%)混合物的最大蚀刻速率为4000–5000 NMS-1，w (40%-HF)/w (65%-HNO...
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  • 发布了文章 2022-1-13 14:02

    半导体有机酸清洗液中的铜的蚀刻速率和氧化机理分析
    引言 用电化学和原子力显微镜方法对有机酸与铜的相互作用进行了表征可以建立用于湿铜加工的高效清洗公式。本文研究了单有机酸、二有机酸和三有机酸中铜的蚀刻速率和氧化机理。除了草酸的钝化性能外，其他铜的电化学行为都观察出类似的电化行为。有机酸与稀释...
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  • 发布了文章 2022-1-12 16:27

    蚀刻工艺关于湿化学处理后InP表面的研究
    引言 本文将讨论在不同的湿化学溶液中浸泡后对InP表面的氧化物的去除。本文将讨论接收衬底的各种表面成分，并将有助于理解不同的外原位湿化学处理的影响。这项工作的重点将是酸性和碱性溶液。许多报告表明，硫可以用来钝化III-V表面。本研究通过SR...
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