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《炬丰科技-半导体工艺》IC制造工艺

2021-7-8 13:13:06

3802 半导体工艺

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书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：IC制造工艺

编号：JFSJ-21-046

作者：炬丰科技

网址：http://www.wetsemi.com/index.html

摘要：

集成电路的制造主要包括以下工艺步骤：

光刻：通过在晶片表面涂上均匀的薄薄一层粘性液体（光刻胶）来定义图案的过程。光刻胶通过烘烤硬化，然后通过光穿过包含掩模信息的掩模版进行投射而选择性地去除。

蚀刻：从晶片表面选择性地去除不需要的材料。光刻胶的图案通过蚀刻剂转移到晶片上。

沉积：各种材料的薄膜被施加在晶片上。为此，主要使用两种工艺，物理气相沉积 (PVD) 和化学气相沉积 (CVD)。

制作步骤：

1.从空白晶圆开始

2.自下而上构建逆变器

3.第一步将是形成n

（1）用 SiO2（氧化物）保护层覆盖晶圆

（2）删除应构建 n 阱的层

（3）植入或扩散 n 掺杂剂进入暴露的晶圆

（4）剥离 SiO2

如有侵权，请联系作者删除

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