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标签 > 失效机理

失效机理

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失效机理技术

MOSFET的失效机理:dV/dt失效和雪崩失效

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当向MOSFET施加高于绝对最大额定值BVDSS的电压时,会造成击穿并引发雪崩击穿。

2023-04-15 标签:二极管转换器MOSFET 60 0

IGBT功率模块封装主要面临哪些问题?

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2023-03-20 标签:二极管MOSFET失效机理 105 0

MOSFET的失效机理:什么是dV/dt失效

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MOSFET的失效机理本文的关键要点・dV/dt失效是MOSFET关断时流经寄生电容Cds的充电电流流过基极电阻RB,使寄生双极晶体管导通而引起短路从而...

2023-02-13 标签:MOSFET晶体管失效机理 247 0

MOSFET的失效机理:什么是雪崩失效

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当向MOSFET施加高于绝对最大额定值BVDSS的电压时,就会发生击穿。当施加高于BVDSS的高电场时,自由电子被加速并带有很大的能量。这会导致碰撞电离...

2023-02-13 标签:二极管MOSFET失效机理 313 0

MOSFET的失效机理:什么是SOA(Safety Operation Area)失效

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MOSFET的失效机理本文的关键要点・SOA是“Safety Operation Area”的缩写,意为“安全工作区”。・需要在SOA范围内使用MOSF...

2023-02-13 标签:MOSFET失效机理SOA 207 0

保护器件过电应力失效机理和失效现象浅析

半导体元器件在整机应用端的失效主要为各种过应力导致的失效,器件的过应力主要包括工作环境的缓变或者突变引起的过应力,当半导体元器件的工作环境发生变化并产生...

2023-01-06 标签:芯片半导体静电 746 0

工程师必知的那些元器件失效机理

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温度导致失效 环境温度是导致元件失效的重要因素。 温度变化对半导体器件的影响:构成双极型半导体器件的基本单元P-N结对温度的变化很敏感,当P-N结反向偏...

2022-08-22 标签:元器件元件失效机理 628 0

工程师必知的那些元器件失效机理

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环境温度是导致元件失效的重要因素。

2022-08-22 标签:元器件热敏电阻失效机理 932 0

元器件失效机理分析

元件的失效直接受湿度、温度、电压、机械等因素的影响。

2022-08-19 标签:元器件电容失效机理 592 0

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失效机理资讯

MLCC电容烧损失效机理分析及改善建议

马达产品在客户端运行一段时间后,发生功能失效。经过初步检测,新阳检测中心(下文简称中心)判断该问题是组件中的MLCC电容发生失效导致的。

2022-06-10 标签:电容MLCC失效机理 1275 0

元器件的失效机理有哪些

元件的失效直接受湿度、温度、电压、机械等因素的影响。 1、温度导致失效: 1.1 环境温度是导致元件失效的重要因素。 温度变化对半导体器件的影响:构成双...

2020-11-03 标签:元器件失效机理 185 0

MEMS惯性器件在典型应用环境下的主要失效模式和失效机理进行分析和总结

MEMS惯性器件在典型应用环境下的主要失效模式和失效机理进行分析和总结

Yang Chunhua和Liu Qin等人通过对MEMS加速度计的冲击试验,发现悬臂梁、梳齿的受力集中点均在根部,即连接点处。当冲击应力引起的悬臂梁变...

2020-07-31 标签:mems失效机理惯性器件 2520 0

芯片缺陷失效分析的主要目的

图2是器件来源的汇总数据。从图中可以看到,总数 56批中,进口器件是 19批次,约占总批次的 34% ; 失效样品有 41只,约占总样品数的28. 5%...

2020-06-24 标签:芯片ESD失效机理 7706 0

从安全工作区探讨IGBT的失效机理

从安全工作区探讨IGBT的失效机理

从安全工作区探讨IGBT的失效机理  1、  引言   半导体功率器件失效的原因多种多样。换效后进行换效分析也是十分困难和复杂的。其中失效的主要原因之

2010-02-22 标签:IGBT失效机理 2313 0

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