的热量，需要更大的散热器。不幸的是，这增加了系统成本、重量和解决方案总尺寸，这在空间受限的应用中是不期望的或不可接受的。氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）具有优于硅MOSFET的多种优势
2017-08-21 14:36:14
如今，越来越多的设计人员在各种应用中使用基于 GaN 的反激式 AC/DC 电源。氮化镓很重要，因为它有助于提高功率晶体管的效率，从而减小电源的尺寸并降低工作温度。
2023-09-13 16:06:07
59 解决方案带来了极高的附加值。采用GaN技术有助于实现上述目标，随着该项技术商用步伐的加快，在功率转换应用中也获得了广泛运用。 GaN晶体管与硅基晶体管相比的优点 与硅基晶体管相比，GaN功率晶体管有什么优点呢？GaN在品质因数（
2023-08-03 14:43:28112 )晶体管已成为能够取代硅基MOSFET的高性能开关，从而可提高能源转换效率和密度。为了发挥GaN晶体管的优势，需要一种具有新规格要求的新隔离方案。 GaN晶体管的开关速度比硅MOSFET要快得多，并可降低开关损耗，原因在于： 栅极电容和输出电容更低。
2023-06-12 10:53:28600 
摘要：栅极控制能力是决定氮化镓高电子迁移率晶体管性能的关键因素。然而在金属-氮化镓界面，金属和半导体的直接接触会导致界面缺陷和固定电荷，这会降低氮化镓高电子迁移率晶体管栅控能力。在本项研究中，二维
2023-05-25 16:11:29263 
当今市场上有许多晶体管选择，它们将各种技术与不同的半导体材料相结合。因此，缩小哪一个最适合特定设计的范围可能会令人困惑。在这些选择中，GaN晶体管是，但是什么使它们与众不同呢？
2023-05-24 11:08:30376 氮化镓（氮化镓）是一种半导体材料，是一种用于制造光电子器件的高性能晶体。它的优点是可以提供高功率、低成本、高性能和高可靠性的系统。与硅基解决方案相比，GaN晶体管和集成电路提供了高的电子迁移率
2023-02-13 16:28:172077 氮化镓晶体管显然对高速、高性能MOSFET器件构成了非常严重的威胁。氮化镓上硅（GaN on Si）晶体管预计的低成本，甚至还有可能使IGBT器件取代它们在较低速度、650V，非常高电流电源应用中的统治地位。
2023-02-12 17:09:49210 氮化镓（GaN）是一种宽带隙半导体，用于高效功率晶体管和集成电路。在GaN晶体的顶部生长氮化铝镓（AlGaN）薄层并在界面施加应力，从而产生二维电子气（2DEG）。2DEG用于在电场作用下，高效
2023-02-10 11:05:172943 
氮化镓晶体管和碳化硅MOSFET是近两三年来新兴的功率半导体，相比于传统的硅材料功率半导体，他们都具有许多非常优异的特性：耐压高，导通电阻小，寄生参数小等。他们也有各自与众不同的特性：氮化镓
2023-02-09 16:59:572753 
法国和瑞士科学家首次使用氮化镓在（100）-硅（晶体取向为100）基座上，成功制造出了性能优异的高电子迁徙率晶体管（HEMTs）。
2023-02-08 17:39:07404 氮化镓晶体管显然对高速、高性能MOSFET器件构成了非常严重的威胁。氮化镓上硅（GaN on Si）晶体管预计的低成本，甚至还有可能使IGBT器件取代它们在较低速度、650V，非常高电流电源应用中的统治地位。
2023-02-08 09:52:02353 
作为第三代半导体的天之骄子，氮化镓晶体管日益引起工业界的重视，且被更大规模应用
2023-02-07 17:13:06234 氮化镓工艺优点是什么呢？ AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）是开关功率晶体管的有希望的候选者，因为它们具有高的断态击穿强度以及导通状态下的优异沟道导电性。这些特征是GaN的特殊物理特性与其异质结构材料AlGaN的组合。最重要的
2023-02-05 11:43:47970 （GaN）。在这些潜在材料中，氮化镓或氮化镓正得到广泛认可和青睐。这是因为GaN晶体管与材料晶体管相比具有几个优势。
2022-12-13 10:00:081377 氮化镓高电子迁移率晶体管GaN HEMT(High Electron Mobility Transistors)作为宽禁带(WBG)功率半导体器件的代表，器件在高频功率应用方面有巨大的潜力。GaN材料相比于 Si 和SiC 具有更高的电子迁移率、饱和电子速度和击穿电场，如图1所示。
2022-09-27 10:30:172248 电源转换器的设计人员正在寻找提高效率同时增加系统功率密度的方法。 宽带隙 (WBG) 技术提供了答案。 由氮化镓 (GaN) 制成的晶体管作为一种解决方案正变得越来越流行，但与其硅对应物一样，单个
2022-08-04 09:35:48599 
Imec 展示了高性能肖特基势垒二极管和耗尽型 （d-mode） 高电子迁移率晶体管 （HEMT） 在基于 p 型氮化镓 （GaN） HEMT 的 200-V GaN- 上的成功共集成。在 200 毫米基板上开发的 on-SOI 智能功率集成电路 （IC） 平台。
2022-07-29 15:34:03628 ) 和氮化镓 (GaN)。在这些潜在材料中，GaN 或氮化镓正变得被广泛认可和首选。这是因为 GaN 晶体管与材料对应物相比具有多个优势。
2022-07-29 15:00:301039 基于氮化镓 (GaN) 的高电子迁移率晶体管 (HEMT) 器件具有出色的电气特性，是高压和高开关频率电机控制应用中 MOSFET 和 IGBT 的有效替代品。我们在这里的讨论集中在 GaN HEMT 晶体管在高功率密度电动机应用的功率和逆变器阶段提供的优势。
2022-07-27 14:03:561311 
Wolfspeed 的 CMPA0060025 是一种基于氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 的单片微波集成电路 (MMIC)。GaN与硅或砷化镓相比具有优越的性能；包括更高的击穿
2022-06-27 16:37:17
Wolfspeed 的 CGHV96130F 是碳化硅 (SiC) 基板上的氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。与其他技术相比，这种 GaN 内部匹配 (IM) FET 可提供
2022-06-27 16:24:32
Wolfspeed 的 CGHV59070 是内部匹配的；氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。CGHV59070；从 50 伏电压轨运行；提供一般用途；适用于各种射频和微波
2022-06-27 14:11:15
Wolfspeed 的 CGHV40180 是一款氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。它具有无与伦比的输入，可在 DC-2.0 GHz 范围内提供最佳的瞬时宽带性能。GaN与硅或砷
2022-06-24 09:22:17
Wolfspeed 的 CGHV40180 是一款氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。它具有无与伦比的输入，可在 DC-2.0 GHz 范围内提供最佳的瞬时宽带性能。GaN与硅或砷
2022-06-24 09:19:36
Wolfspeed 的 CGH40180PP 是无与伦比的；氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。CGH40180PP；从 28 伏电压轨运行；提供通用的；适用于各种射频和微波
2022-06-14 10:58:02
Wolfspeed 的 CGH40120 是无与伦比的；氮化镓（GaN）；高电子迁移率晶体管 (HEMT)。CGH40120；从 28 伏电压轨运行；提供通用的；适用于各种射频和微波应用的宽带
2022-06-13 10:22:02
Wolfspeed 的 CGH40045 是无与伦比的；氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。CGH40045；从 28 伏电压轨运行；提供一般用途；适用于各种射频和微波应用的宽带
2022-06-09 11:33:44
Wolfspeed 的 CGH40025 是无与伦比的；氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。CGH40025；从 28 伏电压轨运行；提供通用的；适用于各种射频和微波应用的宽带
2022-06-09 10:41:30
Wolfspeed 的 CGH40010 是无与伦比的；氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。CGH40010；从 28 伏电压轨运行；提供通用的；适用于各种射频和微波应用的宽带
2022-05-19 10:31:34
Wolfspeed 的 CGH40006 是无与伦比的；氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。CGH40006；从 28 伏电压轨运行；提供通用的；适用于各种射频和微波应用的宽带
2022-05-18 11:55:04
Cree 的 CMPA0060002D 是一种氮化镓 (GaN) 高电子基于移动晶体管 (HEMT) 的单片微波集成电路（MMIC） 。 与硅相比，GaN 具有更优越的性能或砷化镓，包括更高的击穿
2022-05-18 10:06:16
Cree 的 CMPA0060002F 是一种氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管(HEMT) 基于单片微波集成电路 (MMIC)。 GaN具有优越的与硅或砷化镓相比的特性，包括更高的击穿率电压
2022-05-17 18:34:26
本文重点讨论氮化镓功率器件在阵列雷达收发系统中的应用。下面结合半导体的物理特性，对氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）的特点加以说明。
2022-04-24 16:54:333680 
TP65H035G4QS 650V，35MΩ氮化镓（GaN）场效应晶体管是一款使用Transphorm第四代平台的常闭设备。它结合了最先进的高压GaN HEMT和低压硅MOSFET提供卓越的可靠性和可靠性表演。
2022-03-31 15:05:51
9 TPH3206PSB 650V，150mΩ 氮化镓（GaN）场效应晶体管是一个正常关闭的设备。它结合了最先进的高科技电压GaN HEMT和低压硅MOSFET提供卓越可靠性和性能的技术。
2022-03-31 14:51:334 氮化镓 (GaN) 晶体管于 20 世纪 90 年代亮相，目前广泛应用于商业和国防领域，但工程应用可能大相径庭。不相信?可以理解。但在您阅读本书之后，可能会成为忠实支持者。
2022-03-10 09:27:148247 
氮化镓高电子迁移率晶体管GaN HEMT(High Electron Mobility Transistors)作为宽禁带(WBG)功率半导体器件的代表，器件在高频功率应用方面有巨大的潜力。GaN材料相比于 Si 和SiC 具有更高的电子迁移率、饱和电子速度和击穿电场，如图1所示。
2022-02-10 15:27:4315662 
GaN（氮化镓）功率晶体管的全球领导者GaN Systems今天宣布，其低电流，大批量氮化镓晶体管的价格已跌至1美元以下。
2021-03-13 11:38:46618 GaN Systems其低电流，大批量氮化镓晶体管的价格已跌至1美元以下。
2021-03-12 09:04:442527 基于MasterGaN®平台的创新优势，意法半导体推出了MasterGaN2，作为新系列双非对称氮化镓（GaN）晶体管的首款产品，是一个适用于软开关有源钳位反激拓扑的GaN集成化解决方案。 2021
2021-01-20 11:20:442503 什么是氮化镓晶体管？它有什么作用？硅功率MOSFET还没有跟上电力电子行业的发展变化，在这个行业中，效率、功率密度和更小的形式等因素是社区的主要需求。电力电子工业已经达到硅MOSFET的理论极限
2020-05-24 11:30:057064 氮化镓（GaN）场效应晶体管具备高速的开关速度优势，需要使用良好的测量技术及能够描述高速波形细节的良好技巧来进行评估。本文专注于如何基于用户的要求及测量技术，利用测量设备来准确地评估高性能的氮化镓晶体管。此外，本文评估高带宽差分探头与不接地参考波形一起使用时的情况。
2018-06-08 16:43:002885 
低压氮化镓（GaN）器件市场越来越重要，EPC是低压硅上氮化镓（GaN-on-silicon）高电子迁移率晶体管（HEMT）器件的主要供应商。
2017-10-18 17:22:0710236 这篇文章的目的是提供一个指南，高功率SiC MESFET和GaN HEMT晶体管的热性能的克里宽禁带半导体设备的用户。
2017-06-27 08:54:1122 当测定氮化镓（GaN）晶体管的皮秒量级上升时间时，即使有1GHz的观察仪器和1GHz的探针仍可能不够。准确测定GaN晶体管的上升和下降时间需要细心留意您的测量设置和设备。让我们初步了解一下使用TI最近推出的LMG5200集成式半桥GaN电源模块进行准确测量的最佳实践方法。
2017-04-18 12:34:042593 
TriQuint半导体公司（纳斯达克代码：TQNT），推出四款具有卓越增益和效率，并且非常耐用的新氮化镓 （GaN） HEMT 射频功率晶体管产品。TriQuint的氮化镓晶体管可使放大器的尺寸减半，同
2012-12-19 10:19:091076 TriQuint半导体公司（纳斯达克代码：TQNT），推出四款具有卓越增益和效率，并且非常耐用的新氮化镓（GaN）HEMT射频功率晶体管产品。
2012-12-18 09:13:261107
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