电子发烧友App

硬声App

0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

电子发烧友网>电源/新能源>稳压电源>GaN Systems即将要推出1美元以下的GaN晶体管?

GaN Systems即将要推出1美元以下的GaN晶体管?

收藏

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉

评论

查看更多

相关推荐

未来5年,GaN功率半导体市场会发生哪些变化?

Conversion;EPC)、GaNSystems与Transphorm等公司。各大功率半导体业者的不同GaN功率晶体管专利(来源:Yole)然而,这一市场也存在整并压力,这一点从英飞凌收购IR、英飞凌
2015-09-15 17:11:46

INN650DA260A增强功率晶体管GaN

650V硅上GaN增强型功率品体,采用5mm双扁平无引线封装(DFN)X6毫米大小。增强型晶体管-正常关闭电源开关,符合JEDEC标准的工业应用。
2023-08-16 23:36:51208

INN650D150A增强功率晶体管GaN

650V硅上GaN增强模式功率晶体管,英诺赛科INN650D150A采用双扁平无引线封装(DFN),8mmx8mm尺寸,增强型晶体管-正常关闭电源开关
2023-08-07 17:22:17259

GaN晶体管的优点是什么?ST量产氮化镓器件PowerGaN 即将推出车规器件

解决方案带来了极高的附加值。采用GaN技术有助于实现上述目标,随着该项技术商用步伐的加快,在功率转换应用中也获得了广泛运用。 GaN晶体管与硅基晶体管相比的优点 与硅基晶体管相比,GaN功率晶体管有什么优点呢?GaN在品质因数(
2023-08-03 14:43:28125

未来智能城市的动力引擎:润新微电子的650V GaN功率晶体管(FET)

润新微电子(Runxin Microelectronics)荣幸推出了最新一代的650V GaN功率晶体管(FET),该产品具备卓越的性能和广泛的应用领域。 产品特点: 易于使用:650V GaN
2023-06-12 16:38:34347

iCoupler技术为AC/DC设计中的氮化镓(GaN)晶体管带来诸多优势

)晶体管已成为能够取代硅基MOSFET的高性能开关,从而可提高能源转换效率和密度。为了发挥GaN晶体管的优势,需要一种具有新规格要求的新隔离方案。 GaN晶体管的开关速度比硅MOSFET要快得多,并可降低开关损耗,原因在于: 栅极电容和输出电容更低。
2023-06-12 10:53:28629

Airfast GaN射频晶体管带来大量创新设计理念

Airfast GaN A3G26D055N是一款55W峰值GaN分立晶体管,采用紧凑型DFN 7 x 6.5 mm超模压塑封。该器件具有优异的输出,可填充多个频段,在48 V下运行时,能效提升超过50%,增益超过13 dB。
2023-05-25 10:04:49249

什么是GaN氮化镓?Si、GaN、SiC应用对比

由于 GaN 具有更小的晶体管、更短的电流路径、超低的电阻和电容等优势,GaN 充电器的运行速度,比传统硅器件要快 100 倍。GaN 在电力电子领域主要优势在于高效率、低损耗与高频率,GaN 材料的这一特性令其在充电器行业大放异彩。
2023-04-25 15:08:21943

什么是氮化镓(GaN)?什么是高电子迁移率晶体管

氮化镓(GaN)是一种宽带隙半导体,用于高效功率晶体管和集成电路。在GaN晶体的顶部生长氮化铝镓(AlGaN)薄层并在界面施加应力,从而产生二维电子气(2DEG)。2DEG用于在电场作用下,高效
2023-02-10 11:05:172992

基于模型的GAN PA设计基础知识:GAN晶体管S参数、线性稳定性分析与电阻稳定性

基于模型的 GAN PA 设计基础知识:GAN 晶体管 S 参数、线性稳定性分析与电阻稳定性
2022-12-26 10:16:211042

深度解析GaN功率晶体管技术及可靠性

GaN功率晶体管:器件、技术和可靠性详解
2022-12-21 16:07:11277

GaN HEMT基本概述、分类及工作原理

氮化镓高电子迁移率晶体管GaN HEMT(High Electron Mobility Transistors)作为宽禁带(WBG)功率半导体器件的代表,器件在高频功率应用方面有巨大的潜力。GaN材料相比于 Si 和SiC 具有更高的电子迁移率、饱和电子速度和击穿电场,如图1所示。
2022-09-27 10:30:172306

GaN 增长因效率提升而呈爆炸式增长

电力电子系统的性能发生了重大转变,它由比硅 MOSFET 和 IGBT 更快、更小的 GaN 晶体管驱动。GaN 的性能表明效率和功率密度得到了显着提高,从而在几个新应用中实现了系统性能,这是过去
2022-08-08 11:56:15512

用于多种电源应用的GaN晶体管

是一种高度移动的半导体电子半导体 (HEMT),被证明在满足新应用方面具有真正的附加值。 GaN 晶体管比硅 MOSFET 更快、更小。GaN 的性能表明效率和性能得到了显着提高,从而带来了一些硅技术无法实现的新应用。板空间非常昂贵。eGaN®的FET,从EPC,在低电感,低电阻,
2022-08-08 09:38:241523

GaN晶体管热管理指南

GaN 晶体管越来越多地用于各个领域:汽车领域、电力供应以及电流的转换和使用。这些组件将很快取代它们各自的前身。让我们来看看如何更好地管理不同的操作条件,包括关键的操作条件,以优化电路的性能并获得出色的冷却效果。
2022-08-05 09:34:23571

面向汽车的GaN FET和SiGe整流器

GaN 晶体管比硅 MOSFET 更快、更小。GaN 的性能表明效率和性能得到了显着提高,从而带来了一些硅技术无法实现的新应用。
2022-08-05 08:05:04458

电源设计中尝试使用GaN晶体管

GaN 晶体管是新电源应用的理想选择。它们具有小尺寸、非常高的运行速度并且非常高效。它们可用于轻松构建任何电力项目。在本教程中,我们将使用 GaN SystemsGaN GS61008T 进行实验。
2022-08-05 08:04:55623

电源设计中的模拟GaN晶体管

GaN 晶体管是新电源应用的理想选择。它们具有小尺寸、非常高的运行速度并且非常高效。它们可用于轻松构建任何电力项目。在本教程中,我们将使用 EPC 的 GaN EPC2032 进行实验。
2022-08-05 08:04:54424

测量基于GaN的电源中的交叉传导

这种测量交叉传导的简单且经济高效的方法利用了GaN 晶体管的独特特性。
2022-08-04 11:19:45301

GaN晶体管的高级优势是什么

) 和氮化镓 (GaN)。在这些潜在材料中,GaN 或氮化镓正变得被广泛认可和首选。这是因为 GaN 晶体管与材料对应物相比具有多个优势。
2022-07-29 15:00:301066

用于电机控制的GaN技术

基于氮化镓 (GaN) 的高电子迁移率晶体管 (HEMT) 器件具有出色的电气特性,是高压和高开关频率电机控制应用中 MOSFET 和 IGBT 的有效替代品。我们在这里的讨论集中在 GaN HEMT 晶体管在高功率密度电动机应用的功率和逆变器阶段提供的优势。
2022-07-27 14:03:561338

UMS毫米波内部匹配GAN功率晶体管

GaN材料是第三代半导体的典型代表,具备宽禁带、高击穿场强、高热导率和高峰值电子漂移速度等优质性能。因此,GaN材料可以很好地满足耐高温、高频率和功率大的工作要求,GaN功率晶体管一直是L和S波段
2022-04-14 09:12:14275

GaN HEMT概述/分类/结构/工作原理

氮化镓高电子迁移率晶体管GaN HEMT(High Electron Mobility Transistors)作为宽禁带(WBG)功率半导体器件的代表,器件在高频功率应用方面有巨大的潜力。GaN材料相比于 Si 和SiC 具有更高的电子迁移率、饱和电子速度和击穿电场,如图1所示。
2022-02-10 15:27:4315835

GaN晶体管与其驱动器的封装集成消除了共源电感

) 晶体管的开关速度比硅MOSFET快很多,从而有可能实现更低的开关损耗。然而,当压摆率很高时,特定的封装类型会限制GaN FET的开关性能。将GaN FET与驱动器集成在一个封装内可以减少寄生电感
2022-01-26 15:11:021444

什么不在加快氮化镓 (GaN) 晶体管的部署和采用方面加大合作力度

我经常感到的奇怪的是,我们的行业为什么不在加快氮化镓 (GaN) 晶体管的部署和采用方面加大合作力度;毕竟,大潮之下,没人能独善其身。每年,我们都看到市场预测的前景不太令人满意。通过共同努力,我们
2022-01-21 15:22:40407

如何高效、安全地驱动Rad-Hard E型GaN晶体管

如何高效、安全地驱动Rad-Hard E型GaN晶体管
2021-11-29 16:31:421

GaN功率晶体管的动态导通电阻测量技术的挑战和方法

动态导通电阻对于 GaN 功率晶体管的可靠和稳定运行至关重要。然而,许多工程师都在努力评估动态 RDS(ON),因为很难以足够的分辨率对其进行一致测量。在本文中,我们将讨论使用带钳位电路的双脉冲测试系统测量动态 RDS(ON) 的技术
2021-10-27 17:43:035014

GaN 晶体管,开关电源的效率超过96%

可以使用极快的开关晶体管:超级结 MOSFET (SJ)、碳化硅 MOSFET (SiC) 和基于氮化镓 (GaN) 的晶体管;这些仍然比传统晶体管昂贵得多,但它们使设计更小、更高效的开关电源
2021-10-14 15:33:003359

基于GaN的功率晶体管和集成电路硅分立功率器件

基于GaN的功率晶体管和集成电路的早期成功最初源于GaN与硅相比的速度优势。GaN-on-Si晶体管的开关速度比MOSFET快10倍,比IGBT快100倍。
2021-04-23 11:27:112842

功率GaN晶体管中的散热设计指南

GaN晶体管越来越多地用于各个领域:汽车领域中的电源供应以及电流的转换和使用。这些组件将很快取代它们各自的前身。让我们看一下如何更好地管理包括临界条件在内的不同工作条件,以优化电路性能并获得
2021-04-01 14:23:253369

氮化镓功率晶体管价格降至1美元以下

GaN Systems其低电流,大批量氮化镓晶体管的价格已跌至1美元以下
2021-03-12 09:04:442541

意法半导体推出了新系列双非对称氮化镓(GaN晶体管的首款产品

1月18日——基于MasterGaN®平台的创新优势,意法半导体推出了MasterGaN2,作为新系列双非对称氮化镓(GaN晶体管的首款产品,是一个适用于软开关有源钳位反激拓扑的GaN集成化
2021-01-20 11:20:442534

为什么选择GaN晶体管?MASTERGAN1来告诉你答案

ST 发布了市场首个也是唯一的单封装集成 600 V 栅极驱动器和两个加强版氮化镓(GaN晶体管的 MASTERGAN1。同类竞品只提供一颗 GaN 晶体管,而 ST 决定增加一颗 GaN,实现半
2020-10-30 12:04:45208

GaN晶体管在AC/DC电路设计中的重要性和作用

晶体管已成为能够取代硅基MOSFET的高性能开关,从而可提高能源转换效率和密度。为了发挥GaN晶体管的优势,需要一种具有新规格要求的新隔离方案。
2020-09-30 14:30:213132

iCoupler技术驱动新兴GaN开关和晶体管应用

晶体管已成为能够取代硅基MOSFET的高性能开关,从而可提高能源转换效率和密度。为了发挥GaN晶体管的优势,需要一种具有新规格要求的新隔离方案。
2020-09-28 14:16:52507

贸泽备货GaN Systems的新款GS-EVB-AUD-xx1-GS 音频评估板

D类放大器和SMPS板均包含GaN Systems的增强型高电子迁移率晶体管 (E-HEMT)。E-HEMT采用GaN Systems的岛技术 (Island Technology®) 单元布局以减小器件尺寸和成本,同时提供比其他GaN器件更高的电流和更优异的性能。
2020-07-06 14:10:19964

贸泽电子将备货GaN Systems的GS-EVB-HB-66508B-ON1评估板

贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起开始备货GaN Systems的GS-EVB-HB-66508B-ON1评估板。
2020-03-16 15:04:331101

应用于工程系统控制的GaN磁性高电子迁移率晶体管

英国斯旺西大学和塞尔维亚尼斯大学的研究人员声称他们首次制造出氮化镓(GaN)磁性高电子迁移率晶体管(MagHEMT)。
2018-09-23 10:45:003295

CGH09120F GaN高电子迁移率晶体管的详细数据手册免费下载

CRE的CGH09120是一种氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT),专为高效率、高增益和宽带能力,这使得CGH09120理想的MC-GSM,WCDMA和LTE放大器应用。晶体管提供在陶瓷/金属法兰封装中。
2018-08-14 08:00:0016

电源设计趋势逐渐转向GaN晶体管

经过大量实践检验,已被证明安全可靠的硅MOSFET已经成为电源电路设计的中流砥柱,但随着基于氮化镓的最新功率器件技术的发展,电源设计的趋势正逐渐转向GaN晶体管
2018-08-06 15:04:375513

Qorvo推出业内最强大的GaN-on-SiC晶体管

GaN-on-SiC)RF晶体管---QPD1025。QPD1025在65 V下运行1.8KW,提供出色的信号完整性和更大的范围,这对L频段航空电子应用来说至关重要。 Strategy Analytics公司
2018-04-06 11:18:006732

Qorvo® 推出业内最强大的GaN-on-SiC晶体管

移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中 RF 解决方案的领先供应商 Qorvo®, Inc.(纳斯达克代码:QRVO)今天推出全球功率最高的碳化硅基氮化镓(GaN-on-SiC)RF晶体管
2018-03-21 16:37:1012373

松下研发出新型MIS结构的Si基GaN功率晶体管

松下宣布研发出新型MIS结构的Si基GaN功率晶体管,可以连续稳定的工作,栅极电压高达10V,工作电流在20A,击穿电压达到730V。
2018-03-15 09:56:086533

SMT晶体管(Qorvo的QPD1013)的GaN PA的设计与实现

氮化镓技术的不断进步促使设备在更高的功率、电源电压和频率下工作。 本文介绍了使用市售SMT晶体管(Qorvo的QPD1013)的GaN PA的设计与实现。该放大器覆盖1.2至1.8 GHz的频段
2017-12-13 17:27:523471

EPC增强型GaN-on-Silicon功率晶体管:EPC2045

低压氮化镓(GaN)器件市场越来越重要,EPC是低压硅上氮化镓(GaN-on-silicon)高电子迁移率晶体管(HEMT)器件的主要供应商。
2017-10-18 17:22:0710263

GaN HEMT晶体管功率放大器热优化

氮化镓功率晶体管具有非常高的射频功率密度,其范围为栅极外围的每毫米4至12瓦,取决于工作漏极电压。即使在SiC衬底上GaN和AlGaN具有高的热导率,有必要了解通道的温度上升的DC和射频设计功率放大器时产生的刺激。
2017-06-27 10:10:0715

高功率SiC MESFET和GaN HEMT晶体管的热性能指南

这篇文章的目的是提供一个指南,高功率SiC MESFET和GaN HEMT晶体管的热性能的克里宽禁带半导体设备的用户。
2017-06-27 08:54:1122

准确测量氮化镓(GaN晶体管的皮秒量级上升时间

当测定氮化镓(GaN晶体管的皮秒量级上升时间时,即使有1GHz的观察仪器和1GHz的探针仍可能不够。准确测定GaN晶体管的上升和下降时间需要细心留意您的测量设置和设备。让我们初步了解一下使用TI最近推出的LMG5200集成式半桥GaN电源模块进行准确测量的最佳实践方法。
2017-04-18 12:34:042609

Modelithics和Qorvo大力扩展GaN RF仿真模型库

Modelithics, Inc. 和 Qorvo 宣布,近期将扩展用于 Qorvo GaN 晶体管的 Modelithics™ 高精度非线性模型库。当前的 GaN 模型版本 (v1.5) 广受欢迎
2015-08-28 17:00:002701

美高森美750W GaN on SiC RF功率晶体管 为航空应用提供无与伦比的高功率性能

半导体技术产品的领先供应商美高森美公司推出新型750W RF晶体管扩展其基于碳化硅(silicon carbide,SiC)衬底氮化镓(gallium nitride,GaN)高电子迁移率晶体管
2013-09-30 15:34:161479

飞思卡尔提供多款新型LDMOS和GaN功率晶体管

日前,射频功率技术领先供应商飞思卡尔宣布为其Airfast RF功率解决方案推出最新成员:包括三个LDMOS功率晶体管与一个氮化镓(GaN晶体管,所有产品均超越地面移动市场要求。
2013-06-09 10:18:371765

放大器尺寸再减50%!TriQuint卓越增益新氮化镓晶体管

TriQuint半导体公司(纳斯达克代码:TQNT),推出四款具有卓越增益和效率,并且非常耐用的新氮化镓 (GaN) HEMT 射频功率晶体管产品。TriQuint的氮化镓晶体管可使放大器的尺寸减半,同
2012-12-19 10:19:091086

TriQuint半导体推出具有卓越增益的新氮化镓晶体管

TriQuint半导体公司(纳斯达克代码:TQNT),推出四款具有卓越增益和效率,并且非常耐用的新氮化镓(GaN)HEMT射频功率晶体管产品。
2012-12-18 09:13:261116

科锐推出新型S波段GaN晶体管器件

全新60W GaN HEMT Psat晶体管帮助降低军用和民用雷达系统,对于高功率放大器尺寸、重量以及散热的要求
2012-07-10 09:36:52974

已全部加载完成