基于MasterGaN®平台的创新优势,意法半导体推出了MasterGaN2,作为新系列双非对称氮化镓(GaN)晶体管的首款产品,是一个适用于软开关有源钳位反激拓扑的GaN集成化解决方案。
2021年1月18日——基于MasterGaN®平台的创新优势,意法半导体推出了MasterGaN2,作为新系列双非对称氮化镓(GaN)晶体管的首款产品,是一个适用于软开关有源钳位反激拓扑的GaN集成化解决方案。
两个650V常关型GaN晶体管的导通电阻 (RDS(on))分别是150mΩ和225mΩ,每个晶体管都集成一个优化的栅极驱动器,使GaN晶体管像普通硅器件一样便捷易用。集成了先进的驱动功能和GaN本身固有性能优势,MasterGaN2可进一步提升有源钳位反激式变换器等拓扑电路的高能效、小体积和轻量化优势。
MasterGaN电力系统级封装(SiP)系列在同一封装中整合两个GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)和配套的高压栅极驱动器,并内置了所有的必备的保护功能。设计人员可以轻松地将霍尔传感器和DSP、FPGA或微控制器等外部设备直连MasterGaN器件。输入兼容3.3V-15V逻辑信号,有助于简化电路设计和物料清单,允许使用更小的电路板,并简化产品安装。这种集成方案有助于提高适配器和快充充电器的功率密度。
GaN技术正在推进USB-PD适配器和智能手机充电器向快充方向发展。意法半导体的MasterGaN器件可使这些充电器缩小体积80%,减重70%,而充电速度是普通硅基解决方案的三倍。
内置保护功能包括高低边欠压锁定(UVLO)、栅极驱动器互锁、专用关闭引脚和过热保护。9mm x 9mm x 1mm GQFN是为高压应用优化的封装,高低压焊盘之间的爬电距离超过2mm。
MasterGaN2现已量产。
责任编辑:xj
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氮化镓晶体管显然对高速、高性能MOSFET器件构成了非常严重的威胁。氮化镓上硅(GaN on Si)晶体管预计的低成本,甚至还有可能使IGBT器件取代它们在较低速度、650V,非常高电流电源应用中的统治地位。
发表于 02-12 17:09
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氮化镓(氮化镓)是一种半导体材料,是一种用于制造光电子器件的高性能晶体。它的优点是可以提供高功率、低成本、高性能和高可靠性的系统。与硅基解决方案相比,GaN晶体管和集成电路提供了高的电子迁移率
发表于 02-13 16:28
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氮化镓 (GaN) 是一种半导体材料,因其卓越的性能而越来越受欢迎。与传统的硅基半导体不同,GaN 具有更宽的带隙,这使其成为高频和大功率应用的理想选择。
发表于 03-03 10:14
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