0
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
创作中心
发布
  • 发文章

  • 发资料

  • 发帖

  • 提问

  • 发视频

创作活动

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦, 立即完善>

3天内不再提示

意法半导体推出了新系列双非对称氮化镓(GaN)晶体管的首款产品

ss 来源:21ic 作者:21ic 2021-01-20 11:20 次阅读

基于MasterGaN®平台的创新优势,意法半导体推出了MasterGaN2,作为新系列双非对称氮化镓(GaN)晶体管的首款产品,是一个适用于软开关有源钳位反激拓扑的GaN集成化解决方案。

2021年1月18日——基于MasterGaN®平台的创新优势,意法半导体推出了MasterGaN2,作为新系列双非对称氮化镓(GaN)晶体管的首款产品,是一个适用于软开关有源钳位反激拓扑的GaN集成化解决方案。

两个650V常关型GaN晶体管的导通电阻 (RDS(on))分别是150mΩ和225mΩ,每个晶体管都集成一个优化的栅极驱动器,使GaN晶体管像普通硅器件一样便捷易用。集成了先进的驱动功能和GaN本身固有性能优势,MasterGaN2可进一步提升有源钳位反激式变换器等拓扑电路的高能效、小体积和轻量化优势。

MasterGaN电力系统级封装(SiP)系列在同一封装中整合两个GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)和配套的高压栅极驱动器,并内置了所有的必备的保护功能。设计人员可以轻松地将霍尔传感器DSPFPGA或微控制器等外部设备直连MasterGaN器件。输入兼容3.3V-15V逻辑信号,有助于简化电路设计和物料清单,允许使用更小的电路板,并简化产品安装。这种集成方案有助于提高适配器和快充充电器的功率密度。

GaN技术正在推进USB-PD适配器和智能手机充电器向快充方向发展。意法半导体的MasterGaN器件可使这些充电器缩小体积80%,减重70%,而充电速度是普通硅基解决方案的三倍。

内置保护功能包括高低边欠压锁定(UVLO)、栅极驱动器互锁、专用关闭引脚和过热保护。9mm x 9mm x 1mm GQFN是为高压应用优化的封装,高低压焊盘之间的爬电距离超过2mm。

MasterGaN2现已量产。

责任编辑:xj

  • ST
    ST
    +关注

    关注

    32

    文章

    930

    浏览量

    127413
  • 晶体管
    +关注

    关注

    68

    文章

    6585

    浏览量

    131942
  • GaN
    GaN
    +关注

    关注

    15

    文章

    1267

    浏览量

    65405
收藏 人收藏

    评论

    相关推荐

    用于大功率和频率应用的舍入 GaN晶体管

    和频率电子应用中实现更高的效率而制造的。ST’s vipergan50高电压转换器我们首先要宣布的是来自半导体的消息。最近,它推出了 VIPERGAN50,一种基于 GaN 晶体管的功率转换器,为
    发表于 06-15 11:43

    GaN为硅MOSFET提供的主要优点和优势

    ,几代MOSFET晶体管使电源设计人员实现了极性早期产品不可能实现的性能和密度级别。然而,近年来,这些已取得的进步开始逐渐弱化,为下一个突破性技术创造了空间和需求。这就是氮化GaN)引人注目
    发表于 11-14 07:01

    如何用集成驱动器优化氮化性能

    导读:将GaN FET与它们的驱动器集成在一起可以改进开关性能,并且能够简化基于GaN的功率级设计。氮化 (GaN) 晶体管的开关速度比硅MOSFET快很多,从而有可能实现更低的开关损耗。然而,当
    发表于 11-16 06:23

    光隔离探头应用场景之—— 助力氮化GaN)原厂FAE解决客户问题

    客户希望通过原厂FAE尽快找到解决方案,或者将遇到技术挫折归咎为芯片本身设计问题,尽管不排除芯片可能存在不适用的领域,但是大部分时候是应用层面的问题,和芯片没有关系。这种情况对新兴的第三代半导体氮化
    发表于 02-01 14:52

    MACOM:适用于5G的半导体材料硅基氮化GaN

    GaN)那么,问题来了,怎么解决高昂的价格?首先,先了解下什么是硅基氮化,与硅器件相比,由于氮化晶体具备更强的化学键,因此它可以承受比硅器件高出很多倍的电场而不会崩溃。这意味我们可以把晶体管
    发表于 07-18 16:38

    MACOM射频功率产品概览

    耗尽型半导体技术为碳化硅基氮化GaN on SiC)、硅基氮化GaN on Si)、砷化(GaAs)射频功率晶体管或模块提供准确的栅极电压和脉冲漏极电压。射频功率 - 硅极单元和模块
    发表于 08-14 14:41

    MACOM:GaN在无线基站中的应用

    用于无线基础设施的半导体技术正在经历一场重大的变革,特别是功率放大器(PA)市场。横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管在功率放大器领域几十年来的主导地位正在被氮化(GaN)撼动,这将对无线
    发表于 08-30 10:51

    MACOM:硅基氮化器件成本优势

    `作为一家具有60多年历史的公司,MACOM在射频微波领域经验丰富,该公司的产品就是用于微波雷达的磁控管,后来从真空管、晶体管发展到特殊工艺的射频及功率器件(例如砷化GaAs)。进入2000年
    发表于 09-04 15:02

    MACOM和半导体将硅上氮化推入主流射频市场和应用

    赶上甚至超过了成本昂贵的硅上氮化产品的替代技术。我们期待这项合作让这些GaN创新在硅供应链内结出硕果,最终服务于要求最高的客户和应用。”半导体汽车与分立器件产品部总裁Marco Monti表示
    发表于 02-12 15:11

    半导体与远创达签署LDMOS技术许可合作协议

    功率放大器以及商用和工业系统的功率放大器。半导体与远创达的合作协议将扩大意半导体LDMOS产品的应用范围。协议内容保密,不对外披露。 相关新闻MACOM和半导体将硅上氮化推入主流射频市场和
    发表于 02-28 11:44

    MACOM和半导体(ST)携手将硅基氮化引入主流射频应用

    `高性能射频、微波、毫米波和光波半导体产品的领先供应商 MACOM 和横跨多个电子应用领域的全球半导体领先供应商半导体近期宣布,就硅基氮化晶圆的开发达成一项协议,即由ST负责生产,供MACOM
    发表于 03-12 14:51

    SGK1314-50A高功率氮化晶体管

    SGK1314-50A高功率氮化晶体管产品介绍SGK1314-50A询价热线SGK1314-50A现货王先生15989509955 深圳市质诚科技有限SGK1314-50A是一种高功率GaN
    发表于 03-15 12:20

    QPD2731氮化晶体管

    `QPD2731氮化晶体管产品介绍QPD2731报价QPD2731代理QPD2731咨询热线QPD2731现货,王先生深圳市质诚科技有限公司QPD2731是一种非对称多尔蒂功率器件在SiC
    发表于 06-14 09:26

    QPF4006氮化晶体管

    `QPF4006氮化晶体管产品介绍QPF4006报价QPF4006代理QPF4006咨询热线QPF4006现货,王先生深圳市质诚科技有限公司QPF4006是一种多功能氮化MMIC39 GHz
    发表于 06-14 09:48

    QPD1003氮化晶体管

    QPD1003氮化晶体管产品介绍QPD1003报价QPD1003代理QPD1003咨询热线QPD1003现货,王先生 深圳市质诚科技有限公司QPD1003是500 W(p3db)内部匹配离散
    发表于 07-24 10:13

    QPD1016氮化晶体管

    QPD1016氮化晶体管产品介绍QPD1016报价QPD1016代理QPD1016咨询热线QPD1016现货,王先生 深圳市质诚科技有限公司QPD1016是500 W(p3db)预匹配的离散
    发表于 07-24 10:48

    QPD1017氮化晶体管

    QPD1017氮化晶体管产品介绍QPD1017报价QPD1017代理QPD1017咨询热线QPD1017现货,王先生 深圳市质诚科技有限公司QPD1017内部匹配离散GaN
    发表于 07-24 10:56

    TGF2977-SM氮化晶体管

    TGF2977-SM氮化晶体管产品介绍TGF2977-SM报价TGF2977-SM代理TGF2977-SM咨询热线TGF2977-SM现货,王先生 深圳市质诚科技有限公司TGF2977-SM是5
    发表于 07-25 10:06

    TGF3015-SM氮化晶体管

    TGF3015-SM氮化晶体管产品介绍TGF3015-SM报价TGF3015-SM代理TGF3015-SM咨询热线TGF3015-SM现货,王先生 深圳市质诚科技有限公司TGF3015-SM
    发表于 07-25 10:09

    TQP0102氮化晶体管

    TQP0102氮化晶体管产品介绍TQP0102报价TQP0102代理TQP0102咨询热线TQP0102现货,王先生 深圳市质诚科技有限公司TQP0102以上成型QFN离散GaN功率放大器的宽带
    发表于 07-25 10:16

    QPD1018氮化晶体管

    QPD1018氮化晶体管产品介绍QPD1018报价QPD1018代理QPD1018咨询热线QPD1018现货,王先生 深圳市质诚科技有限公司QPD1018内部匹配离散GaN
    发表于 07-27 09:06

    QPD1025L氮化晶体管

    QPD1025L氮化晶体管产品介绍QPD1025L报价QPD1025L代理QPD1025L咨询热线QPD1025L现货,王先生 深圳市质诚科技有限公司QPD1025L 离散GaN
    发表于 07-27 09:44

    QPD1881L氮化晶体管

    QPD1881L氮化晶体管产品介绍QPD1881L报价QPD1881L代理QPD1881L咨询热线QPD1881L现货,王先生深圳市质诚科技有限公司QPD1881L是SiC上的400 W
    发表于 07-27 09:52

    QPD1004氮化晶体管

    QPD1004氮化晶体管产品介绍QPD1004报价QPD1004代理QPD1004咨询热线QPD1004现货,王先生 深圳市质诚科技有限公司QPD1004是25W(p3db),50欧姆输入匹配
    发表于 07-30 15:25

    CGHV96100F2晶体管

    40典型的PAE50欧姆的内部匹配•<0.3 dB的功率下垂•CGHV96100F2产品详情:CGHV96100F2是碳化硅(SiC)衬底上的氮化GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。这种GaN
    发表于 08-13 10:58

    CMPA601C025F晶体管

    •CMPA601C025F产品详情:CMPA601C025F是氮化GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)基于单片微波集成电路(MMIC)在碳化硅(SiC)基板,使用0.25μm栅长的制备工艺。半导体提供25瓦的功率从
    发表于 08-13 11:06

    IFWS 2018:氮化功率电子器件技术分会在深圳召开

    应用。加拿大多伦多大学教授吴伟东分享了关于用于GaN功率晶体管的智能栅极驱动器IC的精彩报告,并提出了一种适用于氮化功率晶体管的智能栅极驱动集成电路,该集成电路带有电流传感特性、可调节输出电阻、可调
    发表于 11-05 09:51

    GaN基微波半导体器件材料的特性

    宽禁带半导体材料氮化GaN)以其良好的物理化学和电学性能成为继第一代元素半导体硅(Si)和第二代化合物半导体砷化(GaAs)、磷化(GaP)、磷化铟(InP)等之后迅速发展起来的第三代半导体
    发表于 06-25 07:41

    什么阻碍氮化器件的发展

    =rgb(51, 51, 51) !important]射频氮化技术是5G的绝配,基站功放使用氮化氮化GaN)、砷化(GaAs)和磷化铟(InP)是射频应用中常用的半导体材料。[color
    发表于 07-08 04:20

    什么是氮化GaN)?

    、高功率、高效率的微电子、电力电子、光电子等器件方面的领先地位。『三点半说』经多方专家指点查证,特推出氮化系列”,告诉大家什么是氮化GaN)?
    发表于 07-31 06:53

    CGHV40030氮化GaN)高电子迁移率晶体管

    Wolfspeed的CGHV40030是无与伦比的氮化GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT),专为高效率,高增益和宽带宽功能而设计。 该器件可部署在L,S和C频段放大器应用中。 数据手册中的规格
    发表于 02-24 10:48

    氮化GaN 来到我们身边竟如此的快

    被誉为第三代半导体材料的氮化GaN。早期的氮化材料被运用到通信、军工领域,随着技术的进步以及人们的需求,氮化产品已经走进了我们生活中,尤其在充电器中的应用逐步布局开来,以下是采用了氮化的快
    发表于 03-18 22:34

    直接驱动GaN晶体管的优点

    受益于集成器件保护,直接驱动GaN器件可实现更高的开关电源效率和更佳的系统级可靠性。高电压(600V)氮化GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)的开关特性可实现提高开关模式电源效率和密度的新型
    发表于 10-27 06:43

    什么是GaN透明晶体管

    地,氮化晶体管以镍和金的薄膜组配作为栅极金属,并采用肖特基接触或金属氧化物半导体(MOS)结构。为确保透明,我们可以调整这种设计,将这些不透明金属改变为透明导电材料如氧化铟锡,它广泛应用于透明
    发表于 11-27 16:30

    CMPA801B025F氮化GaN)高电子迁移率 基于晶体管

    Cree的CMPA801B025是氮化GaN)高电子迁移率基于晶体管(HEMT)的单片微波集成电路(MMIC)。 氮化与硅或砷化相比具有更好的性能,包括更高的击穿电压,更高的饱和电子漂移速度
    发表于 12-03 11:46

    CGHV96100F2氮化GaN)高电子迁移率晶体管

    `Cree的CGHV96100F2是氮化GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)在碳化硅(SiC)基板上。 该GaN内部匹配(IM)FET与其他技术相比,具有出色的功率附加效率。 氮化与硅或砷化
    发表于 12-03 11:49

    CGH40010F氮化GaN)高 电子迁移率晶体管

    `Cree的CGH40010是无与伦比的氮化GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。 CGH40010,正在运行从28伏电压轨供电,提供通用宽带解决方案应用于各种射频和微波应用。 GaN
    发表于 12-03 11:51

    供应氮化功率芯片NV6127+晶体管AON6268丝印6268

    概述:NV6127是一升级产品,导通电阻更小,只有 125 毫欧,是氮化功率芯片IC。型号2:AON6268丝印:6268属性:分立半导体产品 - 晶体管封装:DFN-8参数FET 类型:N 通道
    发表于 01-13 17:46

    氮化功率半导体技术解析

    氮化功率半导体技术解析基于GaN的高级模块
    发表于 03-09 06:33

    SGN2729-250H-R氮化晶体管

    )1.1脉冲条件脉冲宽度:120µsec,占空比10%笔记Tc(op)= + 25°CSG36F30S-D基站用晶体管SGN350H-R氮化晶体管SGN1214-220H-R氮化晶体管
    发表于 03-30 11:14

    SGN2729-600H-R氮化晶体管

    )1.1脉冲条件脉冲宽度:120µsec,占空比10%笔记Tc(op)= + 25°CSG36F30S-D基站用晶体管SGN350H-R氮化晶体管SGN1214-220H-R氮化晶体管
    发表于 03-30 11:24

    氮化场效应晶体管与硅功率器件比拼之包络跟踪,不看肯定后悔

    本文展示氮化场效应晶体管并配合LM5113半桥驱动器可容易地实现的功率及效率。
    发表于 04-13 06:01

    如何设计GaN氮化 PD充电器产品

    如何设计GaN氮化 PD充电器产品
    发表于 06-15 06:30

    请问氮化GaN是什么?

    氮化GaN是什么?
    发表于 06-16 08:03

    《炬丰科技-半导体工艺》氮化 (GaN) 高电子迁移率晶体管

    (SiC) 和氮化 (GaN)。宽带隙材料显示出优于硅的优势,例如带隙大、临界击穿场强高和某些情况下的高热导率 (SiC)。这些值在表1中说明。这些优越的物理特性对器件的转换如图 1.4 所示。高临界
    发表于 06-30 10:34

    《炬丰科技-半导体工艺》氮化发展技术

    书籍:《炬丰科技-半导体工艺》文章:氮化发展技术编号:JFSJ-21-041作者:炬丰科技网址:http://www.wetsemi.com/index.html 摘要:在单个芯片上集成多个
    发表于 07-06 09:38

    《炬丰科技-半导体工艺》GaN 和 SiC 晶体管的区别

    的新应用发现化合物半导体能更好地满足其严格的规范。作为解决方案出现的此类化合物半导体器件是氮化 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 功率晶体管GaN 和 SiC 器件在某些方面相似,但也有显着差异。本文
    发表于 07-14 10:10

    氮化充电器

    是什么氮化GaN)是氮和化合物,具体半导体特性,早期应用于发光二极中,它与常用的硅属于同一元素周期族,硬度高熔点高稳定性强。氮化材料是研制微电子器件的重要半导体材料,具有宽带隙、高热导率等特点,应用在充电器方面,主要是集成
    发表于 09-14 08:35

    传统的硅组件、碳化硅(Sic)和氮化(GaN)

    应用领域,SiC和GaN形成竞争。随着碳化硅(SiC)、氮化(GaN)等新材料陆续应用在二极、场效晶体管(MOSFET)等组件上,电力电子产业的技术大革命已揭开序幕。这些新组件虽然在成本上仍比传统硅
    发表于 09-23 15:02

    《炬丰科技-半导体工艺》不同电解质对多孔氮化的影响

    书籍:《炬丰科技-半导体工艺》文章:不同电解质对多孔氮化的影响编号:JFKJ-21-825作者:炬丰科技 关键词:电解质;光电化学蚀刻;多孔性摘要本文报道了氮化在使用四种不同电解质的光电化学蚀刻
    发表于 10-14 11:45

    氮化功率晶体管与Si SJMOS和SiC MOS晶体管对分分析哪个好?

    转换器,将性能与两种可比场景进行了比较:第一种是所有三种晶体管类型都在500KHz谐振频率下工作,第二种是500KHz基于GaN的LLC与基于100KHz硅的LLC。主要晶体管氮化、硅或碳化硅。初级
    发表于 02-27 09:37

    氮化(GaN)功率半导体之预测

    氮化GaN)是一种非常坚硬且在机械方面非常稳定的宽带隙半导体材料。由于具有更高的击穿强度、更快的开关速度,更高的热导率和更低的导通电 阻,氮化基功率器件明显比硅基器件更优越。 氮化晶体
    发表于 02-15 16:19 0次下载
    <b>氮化</b><b>镓</b>(<b>GaN</b>)功率<b>半导体</b>之预测

    氮化为何这么强 从氮化适配器原理中剖析

    氮化呢?  下图是充电器的主要电子元器件。   其实充电电子元器件里面,是晶体管里面添加了氮化,而其他元器件均是常规电子件。 这里的晶体管是指MOSFET半导体场效益晶体管。 而氮化晶体管与普
    发表于 02-21 15:04 2次下载
    <b>氮化</b><b>镓</b>为何这么强 从<b>氮化</b><b>镓</b>适配器原理中剖析

    半导体推出13单轴和轴陀螺仪

    半导体推出13单轴和轴陀螺仪 半导体(STMicroelectronics)扩大动作传感器产品阵容,新推出13单轴和轴陀螺仪。新系列产品体积比之
    发表于 11-16 08:35 478次阅读

    半导体推出接口串行接口EEPROM存储器M24LR64

    半导体推出接口串行接口EEPROM存储器M24LR64 半导体宣布一全新射频EEPROM芯片系列产品M24LR64样片正式上市。新产品
    发表于 03-20 18:46 951次阅读

    半导体推出航天级功率MOSFET晶体管

    半导体(STMicroelectronics,简称ST) 推出完全符合卫星和运载火箭电子子系统质量要求的功率系列产品。全新抗辐射功率MOSFET系列产品的额定输出电流为6A至80A,由5N沟道和P沟道产
    发表于 06-15 08:49 1103次阅读

    ST推出LET系列射频(RF)功率晶体管

    半导体(STMicroelectronics,简称ST;纽约证券交易所代码:STM)推出系列射频(RF)功率晶体管
    发表于 10-12 11:35 1455次阅读

    TriQuint半导体推出具有卓越增益的新氮化晶体管

    TriQuint半导体公司(纳斯达克代码:TQNT),推出具有卓越增益和效率,并且非常耐用的新氮化GaN)HEMT射频功率晶体管产品
    发表于 12-18 09:13 1042次阅读

    放大器尺寸再减50%!TriQuint卓越增益新氮化晶体管

    TriQuint半导体公司(纳斯达克代码:TQNT),推出具有卓越增益和效率,并且非常耐用的新氮化GaN) HEMT 射频功率晶体管产品。TriQuint的氮化晶体管可使放大器的尺寸减半,同
    发表于 12-19 10:19 1041次阅读

    TriQuint加速氮化的供应速度,推出卓越新产品和代工服务

    技术创新的射频解决方案领导厂商TriQuint半导体(纳斯达克代码:TQNT),今天发布了15新型氮化GaN )放大器和晶体管以及两套全新的氮化工艺。这些产品为通讯系统提供了性能、尺寸和
    发表于 07-01 11:20 814次阅读

    MACOM推出用于无线基站的全新高性能氮化功率晶体管系列

    中国上海,2016年2月24日- 领先的高性能模拟、微波、毫米波和光波半导体产品供应商MACOM日前宣布推出其备受瞩目、应用于宏基站的MAGb系列氮化GaN)功率晶体管
    发表于 02-24 10:40 845次阅读

    准确测量氮化GaN晶体管的皮秒量级上升时间

    当测定氮化GaN晶体管的皮秒量级上升时间时,即使有1GHz的观察仪器和1GHz的探针仍可能不够。准确测定GaN晶体管的上升和下降时间需要细心留意您的测量设置和设备。让我们初步了解一下使用TI最近推出的LMG5200集成式半桥GaN电源模块进行
    发表于 04-18 12:34 2407次阅读
    准确测量<b>氮化</b><b>镓</b>(<b>GaN</b>)<b>晶体管</b>的皮秒量级上升时间

    半导体新发现:氮化晶体缺陷的罪魁祸首

    随着硅基半导体达到其性能极限,氮化GaN)正成为推动发光二极(LED)技术、高频晶体管和光伏器件的下一代材料。然而,阻碍GaN发展的是其体内存在的大量缺陷。
    的头像 发表于 07-09 11:06 9991次阅读

    台积电与半导体合作加速氮化开发

    台积电昨日宣布,与半导体合作加速市场采用氮化产品半导体预计今年晚些时候将首批样品交给其主要客户。
    的头像 发表于 02-21 15:41 2289次阅读

    台积电与半导体合作再度加码GaN

    半导体预计今年稍晚将提供功率氮化分离式元件的首批样品给其主要客户,并于之后数个月内提供氮化集成电路产品。目前氮化因为小米充电器而受到市场热烈的炒作,此次半导体联手台积电合作加速推进氮化
    的头像 发表于 02-24 08:57 3464次阅读

    半导体与台积电携手合作,提高氮化产品市场采用率

    氮化GaN)是一种宽带隙半导体材料,与传统的硅功率半导体相比,优势十分明显,例如,在大功率工作时能效更高,使寄生功率损耗大幅降低。
    发表于 02-24 17:15 1204次阅读

    半导体宣布收购Exagan多数股权 氮化制程技术将加速开发

    以碳化硅(SiC)、氮化GaN)为代表第三代半导体材料越来越受到市场重视,半导体企业正在竞相加速布局。日前,半导体宣布已签署收购法国氮化创新企业Exagan公司的多数股权的并购协议。
    的头像 发表于 03-10 11:22 2444次阅读

    氮化晶体管有什么样的应用

    什么是氮化晶体管?它有什么作用?硅功率MOSFET还没有跟上电力电子行业的发展变化,在这个行业中,效率、功率密度和更小的形式等因素是社区的主要需求。电力电子工业已经达到硅MOSFET的理论极限
    的头像 发表于 05-24 11:30 6682次阅读

    宜普电源转换公司推出100V ~ 200V产品系列的EPC2059氮化场效应晶体管

    宜普电源转换公司是增强型硅基氮化(eGaN)功率场效应晶体管和集成电路的全球领先供应商,致力提高产品性能且降低可发货的氮化晶体管的成本,最新推出EPC2059 (6.8 mΩ、170 V)氮化场效应晶体管
    发表于 11-13 08:01 1062次阅读

    GaN Systems即将要推出1美元以下的GaN晶体管

    GaN氮化)功率晶体管的全球领导者GaN Systems今天宣布,其低电流,大批量氮化晶体管的价格已跌至1美元以下。
    发表于 03-13 11:38 588次阅读

    氮化功率晶体管价格降至1美元以下

    GaN Systems其低电流,大批量氮化晶体管的价格已跌至1美元以下。
    发表于 03-12 09:04 2427次阅读

    半导体最新推出MasterGaN器件

    半导体的MasterGaN4*功率封装集成了两个对称的225mΩ RDS(on)、650V氮化(GaN)功率晶体管,以及优化的栅极驱动器和电路保护功能,可以简化高达200W的高能效电源变换
    的头像 发表于 04-16 14:41 2510次阅读

    半导体氮化功率半导体PowerGaN系列首发,让电源能效更高、体积更纤薄

    半导体推出了一个新系列—— 氮化GaN) 功率半导体。该系列产品属于半导体的STPOWER 产品组合,能够显著降低各种电子产品的能耗和尺寸
    发表于 12-17 17:32 834次阅读

    半导体推出氮化(GaN)功率半导体系列

    半导体(简称ST)推出了一个新系列——氮化(GaN)功率半导体。该系列产品属于半导体的STPOWER产品组合,能够显著降低各种电子产品的能耗
    的头像 发表于 01-17 14:22 1775次阅读

    ST PowerGaN系列实现通过电源能效 OMNIVISION OH08B改变内窥镜技术

      半导体(STMicroelectronics,简称ST;纽约证券交易所代码:STM) 推出了一个新系列—— 氮化GaN) 功率半导体
    的头像 发表于 03-14 10:05 921次阅读

    氮化半导体材料研究

    氮化(GaN)是一种宽禁带隙的半导体材料,在半导体行业是继硅之后最受欢迎的材料。这背后的原动力趋势是led,微波,以及最近的电力电子。新的研究领域还包括自旋电子学和纳米带晶体管,利用了氮化的一些
    发表于 03-23 14:15 880次阅读
    <b>氮化</b><b>镓</b><b>半导体</b>材料研究

    半导体采用氮化(GaN)晶体管的VIPer器件

    VIPERGAN50是VIPerPLUS系列可在宽工作电压(9 V至23 V)下提供高达50 W功率的产品。这也是我们采用氮化(GaN)晶体管的VIPer器件。得益于650 V GaN器件
    的头像 发表于 04-09 13:28 1320次阅读

    半导体氮化功率转换器瞄准下一代50W高能效电源设计

    VIPERGAN50是半导体VIPerPLUS系列可在宽工作电压(9 V至23 V)下提供高达50 W功率的产品。这也是ST采用氮化(GaN)晶体管的VIPer器件
    的头像 发表于 05-12 17:47 5302次阅读
    <b>意</b><b>法</b><b>半导体</b><b>首</b><b>款</b><b>氮化</b><b>镓</b>功率转换器瞄准下一代50W高能效电源设计

    半导体和MACOM射频硅基氮化原型芯片制造成功

    半导体和世界排名前列的电信、工业、国防和数据中心半导体解决方案供应商MACOM技术解决方案控股有限公司宣布,射频硅基氮化(RF GaN-on-Si)原型芯片制造成功。
    的头像 发表于 05-20 09:16 935次阅读

    半导体采用氮化晶体管的VIPer器件介绍

    VIPERGAN50是半导体VIPerPLUS系列可在宽工作电压(9 V至23 V)下提供高达50 W功率的产品。这也是ST采用氮化(GaN)晶体管的VIPer器件
    的头像 发表于 05-20 10:58 1603次阅读

    GaN晶体管的高级优势是什么

    ) 和氮化 (GaN)。在这些潜在材料中,GaN氮化正变得被广泛认可和首选。这是因为 GaN 晶体管与材料对应物相比具有多个优势。
    的头像 发表于 07-29 15:00 794次阅读

    半导体MasterGaN产品系列和解决方案介绍

    本文(上)回顾了氮化的发展历程,并介绍了半导体MasterGaN产品系列和解决方案;本文(下)将介绍半导体VIPerGaN产品系列和解决方案。
    的头像 发表于 09-20 09:07 807次阅读

    氮化晶体管和碳化硅MOSFET产品多方面的对比与分析

    氮化晶体管和碳化硅 MOSFET是近两三年来新兴的功率半导体,相比于传统的硅材料功率半导体,他们都具有许多非常优异的特性:耐压高,导通电阻小,寄生参数小等。他们也有各自与众不同的特性:氮化晶体管
    的头像 发表于 11-02 16:13 1358次阅读

    氮化的优势特点!

    GaN)。在这些潜在材料中,氮化氮化正得到广泛认可和青睐。这是因为GaN晶体管与材料晶体管相比具有几个优势。
    的头像 发表于 12-13 10:00 791次阅读

    氮化与其他半导体的比较(FOM) 氮化晶体管的应用

    了解氮化 -宽带隙半导体:为什么? -氮化与其他半导体的比较(FOM) -如何获得高片电荷和高迁移率?
    发表于 01-15 14:54 234次阅读

    氮化工艺优点是什么

    氮化半导体与微电子产业的新星,其高电子能量的特性使其拥有极高的电能转换效率和优秀的高频特性。业界已经公认氮化GaN半导体器件产品将统治微波放大和电能转换领域,市场规模大于150亿美元。那么
    的头像 发表于 02-05 11:43 689次阅读

    氮化晶体管应用范围

    作为第三代半导体的天之骄子,氮化晶体管日益引起工业界的重视,且被更大规模应用
    发表于 02-07 17:13 142次阅读

    氮化晶体管到底有什么了不起?

    氮化晶体管显然对高速、高性能MOSFET器件构成了非常严重的威胁。氮化上硅(GaN on Si)晶体管预计的低成本,甚至还有可能使IGBT器件取代它们在较低速度、650V,非常高电流电源应用中的统治地位。
    发表于 02-08 09:52 146次阅读
    <b>氮化</b><b>镓</b><b>晶体管</b>到底有什么了不起?

    氮化晶体管的优点

    法国和瑞士科学家首次使用氮化在(100)-硅(晶体取向为100)基座上,成功制造出了性能优异的高电子迁徙率晶体管(HEMTs)。
    发表于 02-08 17:39 237次阅读

    氮化晶体管的结构及优缺点

      氮化晶体管和碳化硅MOSFET是近两三年来新兴的功率半导体,相比于传统的硅材料功率半导体,他们都具有许多非常优异的特性:耐压高,导通电阻小,寄生参数小等。他们也有各自与众不同的特性:氮化
    发表于 02-09 16:59 542次阅读
    <b>氮化</b><b>镓</b><b>晶体管</b>的结构及优缺点

    什么是氮化GaN)?什么是高电子迁移率晶体管

    氮化GaN)是一种宽带隙半导体,用于高效功率晶体管和集成电路。在GaN晶体的顶部生长氮化(AlGaN)薄层并在界面施加应力,从而产生二维电子气(2DEG)。2DEG用于在电场作用下,高效
    发表于 02-10 11:05 1494次阅读
    什么是<b>氮化</b><b>镓</b>(<b>GaN</b>)?什么是高电子迁移率<b>晶体管</b>?

    氮化晶体管历史

    氮化晶体管显然对高速、高性能MOSFET器件构成了非常严重的威胁。氮化上硅(GaN on Si)晶体管预计的低成本,甚至还有可能使IGBT器件取代它们在较低速度、650V,非常高电流电源应用中的统治地位。
    发表于 02-12 17:09 147次阅读

    氮化属于什么晶体GaN材料具有哪些优势

      氮化氮化)是一种半导体材料,是一种用于制造光电子器件的高性能晶体。它的优点是可以提供高功率、低成本、高性能和高可靠性的系统。与硅基解决方案相比,GaN晶体管和集成电路提供了高的电子迁移率
    发表于 02-13 16:28 783次阅读

    什么是氮化半导体GaN如何改造5G网络?

    氮化 (GaN) 是一种半导体材料,因其卓越的性能而越来越受欢迎。与传统的硅基半导体不同,GaN 具有更宽的带隙,这使其成为高频和大功率应用的理想选择。
    发表于 03-03 10:14 274次阅读

    下载硬声App