与等效硅基解决方案相比，氮化镓基HEMT的开关更快、热导率更高和导通电阻更低，因此在电路中采用氮化镓晶体管和集成电路，可提高效率、缩小尺寸并降低各种电源转换系统的成本。
2023-09-14 12:49:31
79 如今，越来越多的设计人员在各种应用中使用基于 GaN 的反激式 AC/DC 电源。氮化镓很重要，因为它有助于提高功率晶体管的效率，从而减小电源的尺寸并降低工作温度。
2023-09-13 16:06:0759 2023 年 9 月 6 日，中国 ——意法半导体推出了首款具有电流隔离功能的氮化镓 (GaN) 晶体管栅极驱动器，新产品 STGAP2GS缩小了芯片尺寸，降低了物料清单成本，能够满足应用对宽禁带芯片的能效以及安全性和电气保护的更高要求。
2023-09-07 10:12:1379 晶体管如今已与碳化硅基氮化镓具有同样的电源效率和热特性。MACOM 的第四代硅基氮化镓 (Gen4 GaN) 代表了这种趋势，针对 2.45GHz 至 2.7GHz 的连续波运行可提供超过 70
2017-08-15 17:47:34
解决方案带来了极高的附加值。采用GaN技术有助于实现上述目标，随着该项技术商用步伐的加快，在功率转换应用中也获得了广泛运用。 GaN晶体管与硅基晶体管相比的优点 与硅基晶体管相比，GaN功率晶体管有什么优点呢？GaN在品质因数（
2023-08-03 14:43:28112 摘要：栅极控制能力是决定氮化镓高电子迁移率晶体管性能的关键因素。然而在金属-氮化镓界面，金属和半导体的直接接触会导致界面缺陷和固定电荷，这会降低氮化镓高电子迁移率晶体管栅控能力。在本项研究中，二维
2023-05-25 16:11:29263 
当今市场上有许多晶体管选择，它们将各种技术与不同的半导体材料相结合。因此，缩小哪一个最适合特定设计的范围可能会令人困惑。在这些选择中，GaN晶体管是，但是什么使它们与众不同呢？
2023-05-24 11:08:30376 氮化镓 (GaN) 晶体管的开关性能要优于硅MOSFET，因为在同等导通电阻的情况下，氮化镓 (GaN) 晶体管的终端电容较低，并避免了体二极管所导致的反向恢复损耗。正是由于这些特性，GaN FET可以实现更高的开关频率，从而在保持合理开关损耗的同时，提升功率密度和瞬态性能。
2023-04-14 09:22:30783 
了氮化镓呢？ 下图是充电器的主要电子元器件。 其实充电电子元器件里面，是晶体管里面添加了氮化镓，而其他元器件均是常规电子件。 这里的晶体管是指MOSFET半导体场效益晶体管。 而氮化镓晶体管与普
2023-02-21 15:04:24
5 氮化镓(GaN)是一种宽禁带隙的半导体材料，在半导体行业是继硅之后最受欢迎的材料。这背后的原动力趋势是led，微波，以
及最近的电力电子。新的研究领域还包括自旋电子学和纳米带晶体管，利用了氮化镓
2023-02-21 14:57:374 氮化镓功率器件可以分为三类：MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）、IGBT（晶闸管）和JFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。
2023-02-19 14:32:391071 氮化镓是一种半导体材料，具有良好的电子特性，可以用于改善电子器件的性能。氮化镓的主要用途是制造半导体器件，如晶体管、集成电路和光电器件。
2023-02-15 18:01:011310 氮化镓晶体管型号参数主要包括电压限值、电流密度、功率密度、效率、温度系数、漏电流、漏电压、抗电磁干扰能力等。
2023-02-14 16:24:031075 氮化镓（氮化镓）是一种半导体材料，是一种用于制造光电子器件的高性能晶体。它的优点是可以提供高功率、低成本、高性能和高可靠性的系统。与硅基解决方案相比，GaN晶体管和集成电路提供了高的电子迁移率
2023-02-13 16:28:172079 引言：氮化镓作为第三代宽禁带半导体材料的代表之一,因其优越的性能,例如高电子迁移率、高电子饱和速率、耐高温及高热导率等优点吸引了越来越多的关注,也正是因为这些优点,垂直氮化镓功率晶体管在未来的电力
2023-02-13 10:42:54496 
氮化镓（GaN）是一种宽带隙半导体，用于高效功率晶体管和集成电路。在GaN晶体的顶部生长氮化铝镓（AlGaN）薄层并在界面施加应力，从而产生二维电子气（2DEG）。2DEG用于在电场作用下，高效
2023-02-10 11:05:172943 
氮化镓晶体管和碳化硅MOSFET是近两三年来新兴的功率半导体，相比于传统的硅材料功率半导体，他们都具有许多非常优异的特性：耐压高，导通电阻小，寄生参数小等。他们也有各自与众不同的特性：氮化镓
2023-02-09 16:59:572753 
法国和瑞士科学家首次使用氮化镓在（100）-硅（晶体取向为100）基座上，成功制造出了性能优异的高电子迁徙率晶体管（HEMTs）。
2023-02-08 17:39:07404 一个器件的成本效益，从生产基础设施开始计算。宜普公司的工艺技术，基于不昂贵的硅晶圆片。在硅基板上有一层薄薄的氮化铝 （Aluminum Nitride/Al），隔离了器件结构和基底。这个隔离层能隔离300V电压。在这隔离层上是一层厚厚的氮化镓，晶体管就建立于这个基础上。
2023-02-08 09:57:30749 
氮化镓晶体管显然对高速、高性能MOSFET器件构成了非常严重的威胁。氮化镓上硅（GaN on Si）晶体管预计的低成本，甚至还有可能使IGBT器件取代它们在较低速度、650V，非常高电流电源应用中的统治地位。
2023-02-08 09:52:02353 
作为第三代半导体的天之骄子，氮化镓晶体管日益引起工业界的重视，且被更大规模应用
2023-02-07 17:13:06234 氮化镓是一种二元III/V族直接带隙半导体晶体，也是一般照明LED和蓝光播放器最常使用的材料。另外，氮化镓还被用于射频放大器和功率电子器件。氮化镓是非常坚硬的材料;其原子的化学键是高度离子化的氮化镓化学键，该化学键产生的能隙达到3.4 电子伏特。
2023-02-05 15:38:184258 
氮化镓工艺优点是什么呢？ AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）是开关功率晶体管的有希望的候选者，因为它们具有高的断态击穿强度以及导通状态下的优异沟道导电性。这些特征是GaN的特殊物理特性与其异质结构材料AlGaN的组合。最重要的
2023-02-05 11:43:47970 **氮化镓**晶体管和**碳化硅** MOSFET是近两三年来新兴的功率半导体，相比于传统的硅材料功率半导体，他们都具有许多非常优异的特性：耐压高，导通电阻小，寄生参数小等。
他们也有各自
2023-02-03 14:35:40470 
**氮化镓**晶体管和**碳化硅** MOSFET是近两三年来新兴的功率半导体，相比于传统的硅材料功率半导体，他们都具有许多非常优异的特性：耐压高，导通电阻小，寄生参数小等。
他们也有各自
2023-02-03 14:34:201001 
了解氮化镓
-宽带隙半导体：为什么？
-氮化镓与其他半导体的比较(FOM)
-如何获得高片电荷和高迁移率？
2023-01-15 14:54:25511 （GaN）晶体管已成为取代硅基MOSFET的高性能开关，可提供更高的能量转换效率并实现更大的密度。需要具有新规格的新隔离概念来解决GaN晶体管的优势。
2022-12-19 16:39:45546 
（GaN）。在这些潜在材料中，氮化镓或氮化镓正得到广泛认可和青睐。这是因为GaN晶体管与材料晶体管相比具有几个优势。
2022-12-13 10:00:081377 氮化镓晶体管和碳化硅 MOSFET是近两三年来新兴的功率半导体，相比于传统的硅材料功率半导体，他们都具有许多非常优异的特性：耐压高，导通电阻小，寄生参数小等。他们也有各自与众不同的特性：氮化镓晶体管
2022-11-02 16:13:062151 电源转换器的设计人员正在寻找提高效率同时增加系统功率密度的方法。 宽带隙 (WBG) 技术提供了答案。 由氮化镓 (GaN) 制成的晶体管作为一种解决方案正变得越来越流行，但与其硅对应物一样，单个
2022-08-04 09:35:48602 
) 和氮化镓 (GaN)。在这些潜在材料中，GaN 或氮化镓正变得被广泛认可和首选。这是因为 GaN 晶体管与材料对应物相比具有多个优势。
2022-07-29 15:00:301039 宜普电源转换公司（EPC）新推100 V、2.2 mΩ的氮化镓场效应晶体管（EPC2071）,为设计工程师提供比硅MOSFET更小、更高效的器件，用于高性能、占板面积受限的应用。 全球行业领先供应商
2022-05-17 17:51:112703 
本文重点讨论氮化镓功率器件在阵列雷达收发系统中的应用。下面结合半导体的物理特性，对氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）的特点加以说明。
2022-04-24 16:54:333680 
TP65H035BS 650V，35mΩ 氮化镓（GaN）场效应晶体管增强模式常关设备。TransphormGaN FET通过更低的栅极电荷提供更好的效率，更快的切换速度和更小的反向恢复充电，与传统充电相比具有显著优势硅（Si）器件。
2022-03-31 15:07:388 TP65H035G4QS 650V，35MΩ氮化镓（GaN）场效应晶体管是一款使用Transphorm第四代平台的常闭设备。它结合了最先进的高压GaN HEMT和低压硅MOSFET提供卓越的可靠性和可靠性表演。
2022-03-31 15:05:519 TPH3206PSB 650V，150mΩ 氮化镓（GaN）场效应晶体管是一个正常关闭的设备。它结合了最先进的高科技电压GaN HEMT和低压硅MOSFET提供卓越可靠性和性能的技术。
2022-03-31 14:51:334 TP90H180PS 900V 165mΩ 氮化镓（GaN）场效应晶体管是一个正常关闭的设备。Transphorm GaN FET提供更好的性能通过更低的栅极电荷和更快的开关来提高效率速度和更小的反向恢复费用，提供与传统硅（Si）器件相比具有显著优势。
2022-03-31 14:50:492 GaN（氮化镓）功率晶体管的全球领导者GaN Systems今天宣布，其低电流，大批量氮化镓晶体管的价格已跌至1美元以下。
2021-03-13 11:38:46619 GaN Systems其低电流，大批量氮化镓晶体管的价格已跌至1美元以下。
2021-03-12 09:04:442527 基于MasterGaN®平台的创新优势，意法半导体推出了MasterGaN2，作为新系列双非对称氮化镓（GaN）晶体管的首款产品，是一个适用于软开关有源钳位反激拓扑的GaN集成化解决方案。 2021
2021-01-20 11:20:442503 大规模数据中心、企业服务器或电信交换站使得功耗快速增长,因此高效AC/DC电源对于电信和数据通信基础设施的发展至关重要。但是,电力电子行业中的硅MOSFET已达到其理论极限。同时,近来氮化镓(GaN)晶体管已成为能够取代硅基MOSFET的高性能开关,从而可提高能源转换效率和密度
2020-12-26 04:10:19310 宜普电源转换公司是增强型硅基氮化镓（eGaN）功率场效应晶体管和集成电路的全球领先供应商，致力提高产品性能且降低可发货的氮化镓晶体管的成本，最新推出EPC2059 （6.8 mΩ、170 V）氮化镓场效应晶体管
2020-11-13 08:01:001176 什么是氮化镓晶体管？它有什么作用？硅功率MOSFET还没有跟上电力电子行业的发展变化，在这个行业中，效率、功率密度和更小的形式等因素是社区的主要需求。电力电子工业已经达到硅MOSFET的理论极限
2020-05-24 11:30:057065 氮化镓（GaN）场效应晶体管具备高速的开关速度优势，需要使用良好的测量技术及能够描述高速波形细节的良好技巧来进行评估。本文专注于如何基于用户的要求及测量技术，利用测量设备来准确地评估高性能的氮化镓晶体管。此外，本文评估高带宽差分探头与不接地参考波形一起使用时的情况。
2018-06-08 16:43:002885 
当测定氮化镓（GaN）晶体管的皮秒量级上升时间时，即使有1GHz的观察仪器和1GHz的探针仍可能不够。准确测定GaN晶体管的上升和下降时间需要细心留意您的测量设置和设备。让我们初步了解一下使用TI最近推出的LMG5200集成式半桥GaN电源模块进行准确测量的最佳实践方法。
2017-04-18 12:34:042593 
中国上海，2016年2月24日- 领先的高性能模拟、微波、毫米波和光波半导体产品供应商MACOM日前宣布推出其备受瞩目、应用于宏基站的MAGb系列氮化镓（GaN）功率晶体管。
2016-02-24 10:40:21895 TriQuint半导体公司（纳斯达克代码：TQNT），推出四款具有卓越增益和效率，并且非常耐用的新氮化镓 （GaN） HEMT 射频功率晶体管产品。TriQuint的氮化镓晶体管可使放大器的尺寸减半，同
2012-12-19 10:19:091076 TriQuint半导体公司（纳斯达克代码：TQNT），推出四款具有卓越增益和效率，并且非常耐用的新氮化镓（GaN）HEMT射频功率晶体管产品。
2012-12-18 09:13:261107 氮化镓是一种具有较大禁带宽度的半导体，属于所谓宽禁带半导体之列。它是微波功率晶体管的优良材料，也是蓝色光发光器件中的一种具有重要应用价值的半导体。 增强型氮化镓(e
2012-06-06 13:56:3135 本内容讲解了氮化镓在射频通信中应用。氮化镓并非革命性的晶体管技术,与现有技术相比，氮化镓(GaN)的优势在于更高的漏极效率、更大的带宽、更高的击穿电压和更高的结温操作
2011-12-12 15:19:281441 与晶体管相关历史事件
IBM将于12月在旧金山国际电子设备大会上介绍新晶体管设计方案的详细内容，并于2005～2006年投入生产，其210GHz晶体管已于2001年6月推出，相关
2009-11-05 10:57:19625
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