基于氮化镓 (GaN) 的产品可以取得更高的能效,帮助工程师设计出更紧凑的电源,适合各种消费、工业和汽车应用
意法半导体PowerGaN系列第一款产品现已投产;很快还将推出其他的不同封装和规格的产品
意法半导体(简称ST)推出了一个新系列——氮化镓(GaN)功率半导体。该系列产品属于意法半导体的STPOWER产品组合,能够显著降低各种电子产品的能耗和尺寸。该系列的目标应用包括消费类电子产品的内置电源,例如,充电器、PC机外部电源适配器、LED照明驱动器、电视机等家电。消费电子产品的全球产量很大,如果提高能效,可大幅减少二氧化碳排放。在功率更高的应用中,意法半导体的 PowerGaN器件也适用于电信电源、工业驱动电机、太阳能逆变器、电动汽车及其充电设施。
意法半导体汽车与分立器件产品部副总裁、功率晶体管事业部经理Edoardo Merli 表示:
基于GaN的产品商用是功率半导体的下一个攻坚阶段,我们已准备好释放这一激动人心的技术潜力。今天,ST发布了STPOWER产品组合的新系列的首款产品,为消费、工业和汽车电源带来突破性的性能。我们将逐步扩大 PowerGaN产品组合,让任何地方的客户都能设计更高效、更小的电源。
参考技术信息
氮化镓 (GaN)是一种宽带隙复合半导体材料,电压耐受能力比传统硅材料高很多,而且不会影响导通电阻性能,因此可以降低导通损耗。此外,GaN产品的开关能效也比硅基晶体管高,从而可以取得非常低的开关损耗。开关频率更高意味着应用电路可以采用尺寸更小的无源器件。所有这些优点让设计人员能够减少功率变换器的总损耗(减少热量),提高能效。因此,GaN能更好地支持电子产品轻量化,举例来说,与目前随处常见的充电器相比,采用GaN晶体管的PC机电源适配器更小、更轻。
据第三方测算,在使用GaN器件后,标准手机充电器最多可瘦身40%,或者在相同尺寸条件下输出更大的功率,在能效和功率密度方面也可以取得类似的性能提升,适用于消费、工业、汽车等各种电子产品。
作为意法半导体新的G-HEMT晶体管产品家族的首款产品,650VSGT120R65AL具有120mΩ的最大导通电阻 (Rds(on))、15A 的最大输出电流和优化栅极驱动的开尔文源极引脚。该产品目前采用行业标准的 PowerFLAT 5x6 HV 紧凑型贴装封装,其典型应用是PC适配器、USB壁式充电器和无线充电。
正在开发的650V GaN晶体管现在有工程样品提供,其中120mΩ Rds(on)的SGT120R65A2S采用2SPAK高级层压封装,取消了引线键合工序,提高了大功率高频应用的能效和可靠性,SGT65R65AL和SGT65R65A2S的导通电阻都是65mΩ Rds(on),分别采用PowerFLAT 5x6 HV 和2SPAK封装。这些产品预计在2022年下半年量产。
此外,G-FET系列还推出一个新的共源共栅GaN晶体管SGT250R65ALCS,采用PQFN 5x6封装,导通电阻为250mΩ Rds(on),将于2022年第三季度提供样品。
G-FET晶体管系列是一种非常快、超低Qrr、稳健的GaN共源共栅或d模式FET,带有标准硅栅极驱动,适用于各种电源设计。
G-HEMT晶体管系列是一种超快、零Qrr的增强模式HEMT,并联简易,非常适合频率和功率非常高的应用。
G-FET和G-HEMT都属于STPOWER产品组合的PowerGaN系列。
原文标题:ST首发PowerGaN功率半导体新系列,加速释放氮化镓技术潜能
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氮化镓(GaN)主要是指一种由人工合成的半导体材料,是第三代半导体材料的典型代表, 研制微电子器件、光电子器件的新型材料。氮化镓技术及产业链已经初步形成,相关器件快速发展。第三代半导体氮化镓产业范围涵盖氮化
发表于 02-07 09:36
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意法半导体怎么样 意法半导体(ST)集团于1987年成立,是由意大利的SGS微电子公司和法国Thomson半导体公司合并而成。1998年5月,SGS-THOMSON Microelectronics
发表于 02-08 14:24
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氮化镓(GaN)功率半导体技术和模块式设计的进步,使得微波频率的高功率连续波(CW)和脉冲放大器成为可能。
发表于 02-08 17:41
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来源:《半导体芯科技》杂志12/1月刊 近年来,芯片材料、设备以及制程工艺等技术不断突破,在高压、高温、高频应用场景中第三代半导体材质优势逐渐显现。其中,氮化镓凭借着在消费产品快充电源领域的如
发表于 02-17 18:13
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氮化镓 (GaN) 是一种半导体材料,因其卓越的性能而越来越受欢迎。与传统的硅基半导体不同,GaN 具有更宽的带隙,这使其成为高频和大功率应用的理想选择。
发表于 03-03 10:14
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