倍增器

NI Multisim 10经典教程分享--电容倍增器

NI Multisim 10经典教程分享--电容倍增器

2023-02-01 标签：电容NIMultisim 516 0

有源直流电压倍增器的电路图

该电路从 12V 电源驱动 24 和 18VDC 继电器。使用该电路可以与几乎任何 PNP 或 NPN 功率晶体管一起工作，当然，具有特定特性的晶体管类...

2022-06-14 标签：倍增器电路直流电压倍增器 950 0

为稳压器ICLM78xx设计的电流输出倍增器的电路图

这是为稳压器ICLM78xx设计的电流输出倍增器的电路图。默认情况下，稳压器ID78xx系列将提供1A–1.5A的最大电流输出。为了增加这个调节器的电流...

2022-05-09 标签：倍增器电路倍增器 919 0

不同电压倍增器及电路

电压倍增器在许多方面类似于整流器，它们将交流 - 直流电压转换为许多电气和电子电路应用，如微波炉，阴极射线管的强电场线圈，静电和高压测试设备等，这些都是必要的

2019-06-13 标签：二极管电路电压 13271 0

BCM8152 具有总线偏移和限幅放大器的10 Gb / s收发器

完全集成的MSA兼容多速率SONET / SDH / 10GE / FEC收发器，工作在OC-192 / STM-64（9.953 Gb / s），10GE（10.3125） Gb / s），10GFC（10.315 Gb / s）或三个FEC（前向纠错）之一（10.664 / 10.709,11.096或11.31 Gb / s）数据速率，带串行器，解串器，集成时钟倍增器（CMU），10G时钟，总线偏移，限幅放大器，数据恢复电路（CDR）和增强功能集。   片上时钟合成由高频，低抖动执行BCM8152收发器芯片上的锁相环（PLL）允许使用可选择线速率除以16或64的低频参考时钟。通过同步其片内电压在器件上执行时钟恢复 - 受控振荡器（VCO）直接连接到输入数据流。片上相位检测器和电荷泵以及外部VCXO实现了清理PLL。清理PLL可用于清除CDR恢复时钟以用于环路定时应用或清除嘈杂的系统时钟。 功能 10-Gigabit MSA（多源协议）兼容   完全集成的多速率CDR，DEMUX，CMU和MUX  提供符合光互联网论坛（OIF），Telcordia，ITU- T和IEEE 802.3ae标准。   缩短设计周期和上市时间。 应用程序 添加/删除多路复用器 EDGE和太比特路由器 多业务平台 中继...

2019-07-04 标签：数字博通atm 288 0

BCM8220 2.488 / 2.667-Gb / s SONET / SDH收发器

世界上功耗最低，集成度最高，体积最小的OC-48 SONET收发器芯片。 BCM8220仅需要竞争解决方案功耗的四分之一。它也是世界上第一款采用引脚高效，4位，622.08 Mb / s LVDS接口的OC-48收发器，是下一代SONET设备的首选接口标准。   BCM8220支持FEC（前向纠错），SONET / SDH收发器是一个完全集成的SONET OC-48（2.488 / 2.667 Gb / s）接口串行/解串器件，带有集成时钟倍增器（CMU）和集成时钟和数据恢复（CDR）电路。输出频率可选择为2.488 Gb / s或2.667 Gb / s，允许用户使用FEC功能。片上时钟合成由BCM8220收发器芯片上的高频，低抖动锁相环执行，允许使用较慢的77.76 / 155.52 MHz（83.35 / 166.71 MHz）外部发送时钟参考。 功能 OC-48 / STM-16 SONET / SDH收发器  标准速率为2.488 Gb / s或可转发的可选全双工传输纠错率为2.667 Gb / s  包含多路复用器（Mux），时钟倍增单元（CMU），多路分解器（Demux）和时钟数据恢复（CDR）功能的单芯片集成解决方案 应用程序 添加/删除多路复用器 ATM交换机主干 EDGE和太比特路由器 数字交叉连接 网络接...

2019-07-04 标签：控制器RAID博通 320 0

AFBR-S4N66C013 NUV-HD单硅光电倍增器

Broadcom® AFBR-S4N66C013是一款单硅光电倍增管（SiPM），用于单光子的超灵敏精密测量。 有效面积为6.14倍; 6.14 mm 2 。使用穿硅通孔（TSV）技术实现单个芯片的高封装密度。通过将多个AFBR-S4N66C013芯片平铺到阵列中可以覆盖更大的区域，几乎没有任何边缘损耗。保护层由高度透明的玻璃制成，直至紫外波长，在可见光谱中产生广泛响应，对光谱的蓝光和近紫外区域具有高灵敏度。 特征 420 nm时的高PDE超过55％ 高填充因子 优异的SPTR和CRT 优异的均匀性击穿电压 增益均匀性 采用TSV技术（4面可用） 尺寸6.14 × 6.14  mm 2 n细胞间距30次; 30微米 2 高度透明的玻璃保护层 工作温度范围从– 40°C到+ 85°C 符合RoHS和REACH 应用 X射线和伽马射线检测 伽玛射线光谱 安全性 核医学 正电子发射断层扫描 生命科学n流式细胞术 荧光–发光测量 时间相关单光子计数 高能物理学 天体物理学...

2019-07-04 标签：芯片封装博通 256 0

AFBR-S4N44P163 采用高清技术的4x4 NUV硅光电倍增管（SiPM）

AFBR-S4N44P163是一个4x4像素硅光电倍增管（SiPM）阵列，用于单光子的超灵敏精确计数。 该器件采用硅通孔（TSV）技术有效利用表面积，无需电线即可实现高封装密度。通过平铺多个阵列可以覆盖更大的探测器区域，几乎没有边缘损失。 探测器在可见光谱中具有广泛的响应，特别优化了蓝光和近紫外光。  低至紫外波长的高透明薄玻璃层保护阵列，非常适合检测来自最常见闪烁体的闪烁或Cherenkov光，如LSO，LYSO，GSO，BGO，NaI，CsI，BaF， LaBr。  功能 420 nm以上的高PDE超过55％ 高填充因子（像素和平铺） 优秀的SPTR和CRT 击穿电压的均匀性（和瓷砖之间的差值...

2019-07-04 标签：光电封装mi 414 0

电阻倍增器电路

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2011-12-16 标签：电阻倍增器 1736 0

电子可变电容器和可变电容倍增器

电子可变电容器和可变电容倍增器

2009-04-20 标签：电容器倍增器 1190 0