随机存取存储器）和OUM(Ovshinsky电统一随机存取存储器)，三者科技内涵各有所长,市场预测尚难预料。本篇文章Everspin MRAM代理商宇芯电子要介绍的是关于非易失性MRAM的单元结构
2020-10-20 14:34:03
作为使用PAL、GAL或CPLD器件实现非易失性门控功能的替代方案，这些电路使用串行接口控制的数字电位器（MAX5427或MAX5527）存储门控信号（模块或发送）。
2023-01-12 11:30:52
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DS1647为512k x 8非易失性静态RAM，包括一个完备的实时时钟，两者均以字节宽度格式访问。非易失性时间保持RAM功能等
2010-10-22 08:52:091163 
并非所有非易失性或闪存 FPGA 器件都是一样的。本文探讨了真正的非易失性FPGA的优势 - 包括显著降低功耗、更快的响应时间、无与伦比的可靠性和不折不扣的安全性 - 是无法复制的。
2022-11-14 15:34:191014 
DS1250 4096k、非易失SRAM为4,194,304位、全静态非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每个完整的NV SRAM均自带锂电池及
2010-12-07 10:18:011362 
DS1747是功能完备、2000年兼容(Y2KC)的实时时钟/日历(RTC)和512k x 8非易失性SRAM。用户可通过如图1所示的单字节宽
2010-09-28 08:58:301051 
DS1646是一个128K的× 8非易失性与全功能实时时钟，都在一个字节宽的格式访问静态RAM。非易失性RAM是计时功能等同于
2010-10-22 08:55:09884 
DS1243Y 64K非易失SRAM，带有隐含时钟是一个内置的实时时钟(8192字由8位)是由完全静态非易失性内存 。
2012-01-04 10:53:261208 
DS1554是一个全功能的，2000年兼容(Y2KC)，实时时钟RTC的闹钟，看门狗定时器/日历(RTC)上电复位，电池监控，和32K × 8非易失
2010-09-28 09:11:081279 
DS1225Y 64K非易失SRAM为65,536位、全静态非易失RAM，按照
2010-11-03 09:26:231409 DS1345 1024k非易失(NV) SRAM为1,048,576位、全静态非易失SRAM，
2010-10-22 08:58:38851 
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2023-06-15 14:35:41
0 DS1330 256k非易失(NV) SRAM为262,144位、全静态非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电
2010-10-22 09:00:581328 
电子发烧友网站提供《非易失性NVSRAM存储器的详细讲解.pdf》资料免费下载
2020-11-25 11:12:0025 这款新Qorivva微控制器(MCU)系列基于Power Architecture ·技术，采用独特的55纳米(nm)非易失性内存(NVM)构建而成，旨在
2010-11-11 18:05:13838 可靠性和低能耗的强大环境而设计，其系统具有快速，对称的读/写性能和无限的耐用性。这些优势使RIM的三相智能电表能够快速，频繁且即时地非易失性存储关键电表数据。在断电或篡改的情况下，RIM系统能够立即将关键数据保存并保护到MRAM，而无需外部电池或超级电容器。 因此在重新启动或授权访问RIM仪表
2021-05-11 17:15:59327 大型厂商的产品导入、存储级内存（SCM）的新兴应用以及五大逻辑代工厂的涉足将推动非易失性存储市场的增长。 新兴非易失性存储（NON-VOLATILE MEMORY, NVM）有利的市场环境 相变存储
2018-07-04 11:55:006482 
DS1230W 3.3V 256k非易失SRAM为262,144位、全静态非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每个NV SRAM自带锂电池及控制电路，控
2010-11-24 09:53:311776 
DS1245W 3.3V 1024k非易失SRAM为1,048,576位、全静态非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路
2010-11-24 09:47:28897 
DS1350 4096k非易失(NV) SRAM为4,194,304位、全静态NV SRAM，
2010-10-21 09:01:27823 DS1350W 3.3V、4096k非易失SRAM为4,194,304位、全静态非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电
2010-10-21 09:03:59801 DS1220Y 16k非易失SRAM为16,384位、全静态非易失RAM，按照8位、2048字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路
2010-10-20 09:04:421123 ADM1166：带余量控制和非易失性故障记录的超级序列器
2021-04-24 12:29:412 非易失性半导体存储器的相变机制
2017-01-19 21:22:5414 概述
可编程逻辑器件已经越来越多地用于汽车电子应用，以替代ASIC和ASSP器件。Actel FPGA基于非易失性技术(快闪和反熔丝)，不易发生由中子引发的固件错误，
2010-08-26 10:52:38444 文章介绍一些应用在血液透析机上的非易失性MRAM. 血液透析机使用Everspin 4Mb和16Mb MRAM产品是因为MRAM固有的非易失性、不需要电池或电容器、无限的非易失性写入耐久性和非易失性写入周期和读取周期的高速。这些独特的MRAM属性提高了
2021-11-11 16:26:49319 该DS1557是一个全功能实时时钟/日历(RTC的同一个RTC报警，看门狗定时器，上电复位，电池监控)，以及512K的× 8非易失性静态RAM。用户访问DS1557内部所有寄存器完成了一个字节宽
2010-09-15 09:51:32688 
英特矽尔Intersil推出小型非易失性按钮式数控电位器ISL22511/12
Intersil公司近日宣布推出全球最小的非易失性按钮式数控电位器（DCP）ISL22511和ISL22512。Intersil
2008-08-05 09:23:55642 电子发烧友网站提供《FM18W08非易失性SRAM FRAM适配器.zip》资料免费下载
2022-07-12 10:20:410 事实上，除了这些传统要求，在前两代非易失FPGA产品的经验基础上，莱迪思半导体（Lattice Semiconductor）公司还认识到需要灵活的片上非易失存储器，以及作为非易失FPGA新要求的用于现场逻辑更新的全面解决方案。
2019-06-16 09:48:471237 摘要：本文讨论如何使用安全数字(SD)媒体格式扩展MAXQ2000的非易失数据存储器。 低功耗、低噪声的MAXQ2000微控制器适合于多种应用。MAXQ2000在闪存中存储非易失性数据，
2009-04-23 16:25:25978 
现有非易失性内存文件系统都以DRAM模拟非易失性内存（Non- Volatile memory，NVM）进行测试，而没有充分考虑两者间的写时延和写磨损特性差异，使得测试结果无法准确反映文件系统在
2021-05-07 11:05:2013 低功耗设计的植入人体的增强生命的患者监护设备，小尺寸内存，赛普拉斯FRAM 提供即时非易失性和几乎无限的耐用性，而不会影响速度或能源效率。本篇文章介绍64Kbit非易失性铁电存储器FM25640B。
2021-06-30 15:42:461418 ROHM确立了非易失性逻辑IC技术的可靠性，已经开始进行批量生产阶段。此次采用了非易失性逻辑CMOS同步式的技术开发了4 Pin非易失性逻辑计算IC“BU70013TL”。这个产品于2009年6月
2020-08-30 08:28:00488 MAX5417/MAX5418/MAX5419为非易失性、线性变化的数字电位器，实现机械电位器的功能，采用简单的2线数字接口就取代了机
2010-12-21 09:51:061094 
赛普拉斯半导体子公司AgigA技术公司日前宣布，推出业界最高存储密度的DDR3解决方案，成为其无需电池供电的高速非易失性RAM系列产品中新的一员。AGIGARAM™非易失性产品系列中的这一新解决方案可提供高达8GB的存储密度，从而为系统架构师和设计者提供了充
2011-01-26 16:45:37599 影响，相关的存储与事务处理技术是其中值得关注的重要环节．首先，概述了事务型数据库系统随存储环境发展的历史与趋势；然后，对影响上层数据管理系统设计的非易失性存储技术以及面向大数据应用领域与硬件环境优化的事务技术进行综述
2018-01-02 19:04:400 AD5110/AD5112/AD5114：单通道、128/64/32位、I2C、±8%电阻容差、非易失性数字电位计
2021-03-19 09:37:215 AD5258非易失性、兼容I2C®的64位数字电位器数据表
2021-06-16 17:24:029 AD5123/AD5143: 四通道、128/256位、I2C、非易失性数字电位计
2021-03-21 05:50:205 计算机、游戏机、电信、汽车、工业系统以及无数电子设备和系统都依赖于各种形式的固态存储器进行操作。设计人员需要了解易失性和非易失性存储器件的各种选项，以优化系统性能。
2023-09-14 16:06:26389 
使用赛道存储单元的近阈值非易失SRAM_孙忆南
2017-01-07 21:45:571 ADM1169：带裕度控制和非易失性故障记录数据表的超级序列器
2021-04-17 10:06:150 UG-932：使用芯片间总线和非易失性故障记录评估ADM1260超级序列器
2021-04-24 14:38:011 ADM1260：带芯片间总线和非易失性故障记录数据表的超级序列器
2021-04-16 17:27:200 Xicro公司生产的X25Fxx 系列非易失性快速擦写串行 RAM 具有功耗低, 擦写速度快的特点 ,它采用 SPI 三总线接口,可与各种单片机连接,且具有很完善的数据保护功能。本文从应用角度出发
2009-04-25 16:01:3518 新一代器件已通过QML-Q和高可靠性工业规格的认证，支持苛刻环境下的非易失性代码存储和数据记录应用，包括航天和工业应用。
2021-04-01 11:10:542462 非易失性半导体存储器的相变机制
非易失性存储器(NVM)在半导体市场占有重要的一席之地，特别是主要用于手机和
2010-01-11 10:02:22583 英尚微提供的Netsol的Parallel MRAM具有非易失特性和几乎无限的耐用性。对于需要快速存储和搜索数据和程序的应用程序来说，这是最理想的内存。适用于工业设备中的代码存储、数据记录、备份和工作存储器。可替代NOR Flash、FeRAM、nvSRAM等，具有卓越的性能和非易失特性。
2023-02-23 14:52:5580 STT-MRAM非易失性随机存取存储器是一款像SRAM一样 高速、高耐久性、单字节访问的工作，也可以像ROM/Flash一样非挥发性，保留时间长的存储。MRAM供应商英尚微支持提供相关技术支持。
2022-11-29 15:57:581124 为了实现 对非易失内存的管理与利用、对文件数据缓存的管理与访问，本文设计并实现了面向非易失内存的MPI-IO接口优化（NVMPI-IO）。本文的工作主要包括：
2022-10-09 10:53:10771 近日，英特尔宣称即将推出的Optane非易失性内存将在今年第二季度以16GB和32GB M.2扩展卡形式发售。
2017-01-09 17:14:42975 几乎可以将整个图形系统集成到非易失性 FPGA 中。该系统具有极长的生命周期、系统内现场可升级性以及对不同总线、接口和显示器的适应性，满足嵌入式市场对即时、高可靠性、安全显示器的要求。
2022-06-14 16:48:11716 
VDRF128M16XS54XX2V90是一种128Mbit高密度同时读/写非易失性闪存内存模块组织为8M x 16位。
2022-06-08 11:02:482 AD5258：非易失性I2C®兼容64位数字电位器产品手册
2021-05-12 17:43:542 日前，德州仪器 (TI) 宣布推出业界首款应用于严苛环境的高温非易失性(nonvolatile)闪存器
2012-11-26 09:23:052036 其数据始终是非易失性的，可以取代具有相同功能的FRAM、低功耗SRAM或nvSRAM，并有助于简化系统设计。由于STT-MRAM的非易失性和几乎无限的续航特性，它适用于工业设计中的代码存储、数据记录、备份存储器和工作存储器。
2023-05-12 16:31:39141 具有隐含时钟的DS1248 1024k NV SRAM为全静态非易失RAM (按照8位、128k字排列)，内置实时时钟。
2012-01-04 10:49:181130 
具有隐含时钟的DS1251 4096k NV SRAM为全静态非易失RAM (按照8位、512k字排列)，内置实时时钟。
2012-01-04 10:41:50865 
DS1855双路非易失性（NV）数字电位器和安全存储器由一个100级线性变化电位器、一个256级线性变化电阻器、256字节EEPROM存贮器、和2线接口组成。
2013-02-19 16:53:302347 
因需要持续、反复地保存数据，内存需要快速的写入速度与高耐久性。英尚微提供的非易失性存储芯片NETSOL MRAM的主要优势包括:与SRAM不同，无需电压控制器、电池及电池插座；与nvSRAM不同，无需电容器；写入速度快；近乎无限的耐用性（100兆次的写入次数）；断电即时数据备份。
2023-03-22 14:41:07260 充分利用MAXQ®处理器的非易失存储服务
摘要：需要非易失数据存储的应用通常都需要使用外部串行EEPROM。这篇文章介绍了仅使用MAXQ微控制器中已有的闪存提供非易失
2009-05-02 09:28:54721 
DS1330W 3.3V、256k NV SRAM为262,144位、全静态非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制
2010-10-22 09:04:04949 
DS1250W 3.3V 4096k NV SRAM为4,194,304位、全静态非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控
2010-12-07 10:21:02902 
(MCP41XX/42XX)非易失性数字电位器。全新7位及8位器件集成了串行外设接口(SPI),适用于-40℃-+125℃更广泛的工业温度范围
2011-02-23 14:30:3453 ，如只读存储器和闪存）结合起来。接下来宇芯电子介绍关于非易失性FRAM中的预充电操作。 预充电是FRAM的内部条件，在该条件下，存储器被调适以进行新的访问。 FRAM设备中的预充电操作在以下任何条件下启动： 1.驱动芯片使能信号/CE至高电平
2020-08-18 15:22:32595 
存储器概况 存储器是计算机系统中的记忆设备，主要是用来存放程序和数据。存储器按存储特性可分为非易失和易失两大类。目前常见的多为半导体存储器。 非易失性存储器 非易失存储器是指在系统停止供电的时候仍然
2020-12-07 14:26:134926 
NAND Flash是一种非易失存储器，也就是掉电不丢失类型，现在我们常见的存储设备基本都是NAND Flash，比如U盘、固态硬盘，手机存储等等，电脑传统硬盘除外。
2022-11-10 17:08:321380 
AD5124/AD5144/AD5144A: 四通道、128/256位、I2C/SPI、非易失性数字电位计
2021-03-20 16:59:036 AD5259：非易失性I2C兼容256位数字电位器数据表
2021-04-26 09:00:1711
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