作为使用PAL、GAL或CPLD器件实现非易失性门控功能的替代方案，这些电路使用串行接口控制的数字电位器（MAX5427或MAX5527）存储门控信号（模块或发送）。
2023-01-12 11:30:52
192 
达拉斯半导体非易失性（NV）SRAM由内部电池备份。市场上的其他一些NV存储器，如NOVRAM，使用内部EEPROM备份数据。本应用笔记讨论了电池供电NV SRAM和NOVRAM之间的差异。
2023-01-10 14:25:59136 
STT-MRAM非易失性随机存取存储器是一款像SRAM一样 高速、高耐久性、单字节访问的工作，也可以像ROM/Flash一样非挥发性，保留时间长的存储。MRAM供应商英尚微支持提供相关技术支持。
2022-11-29 15:57:58831 并非所有非易失性或闪存 FPGA 器件都是一样的。本文探讨了真正的非易失性FPGA的优势 - 包括显著降低功耗、更快的响应时间、无与伦比的可靠性和不折不扣的安全性 - 是无法复制的。
2022-11-14 15:34:19623 
为了实现 对非易失内存的管理与利用、对文件数据缓存的管理与访问，本文设计并实现了面向非易失内存的MPI-IO接口优化（NVMPI-IO）。本文的工作主要包括：
2022-10-09 10:53:10396 电子发烧友网站提供《Amiga 1000 A1050 256K芯片内存扩展带插座.zip》资料免费下载
2022-08-05 11:54:54
0 DS1243, DS1243Y资料介绍,64k NV SRAM，带有隐含时钟DS1243, DS1243Y概述The DS1243Y 64K NV SRAM with Phantom Clock
2012-01-04 12:11:06
电子发烧友网站提供《FM18W08非易失性SRAM FRAM适配器.zip》资料免费下载
2022-07-12 10:20:410 NV-SRAM（非易失性 SRAM 或NVRAM）是一种独立的非易失性存储器，业界最快的 NV-SRAM，具有无限的耐用性。能够在断电时立即捕获 SRAM 数据的副本并将其保存到非易失性存储器中，并
2022-06-10 15:23:01241 随着无铅技术在全球的推广，NV-SRAM成为NVRAM的普遍选择。本篇文章主要介绍了NV-SRAM与电池供电SRAM（BBSRAM）相比所具有的优点。
2022-01-25 19:50:512 MRAM是一种非易失性存储技术，可以在不需要电源的情况下将其内容保留至少10年。它适用于在系统崩溃期间需要保存数据的商业应用。基于MRAM的设备可以为“黑匣子”应用提供解决方案，因为它以SRAM
2021-06-23 16:16:26476 AD5259：非易失性I2C兼容256位数字电位器数据表
2021-04-26 09:00:1711 新一代器件已通过QML-Q和高可靠性工业规格的认证，支持苛刻环境下的非易失性代码存储和数据记录应用，包括航天和工业应用。
2021-04-01 11:10:542371 AD5123/AD5143: 四通道、128/256位、I2C、非易失性数字电位计
2021-03-21 05:50:205 AD5121/AD5141: 单通道、128/256位、I2C/SPI、非易失性数字电位计
2021-03-20 17:15:348 AD5124/AD5144/AD5144A: 四通道、128/256位、I2C/SPI、非易失性数字电位计
2021-03-20 16:59:036 一种由普通SRAM、后备电池以及相应控制电路集成的新型存储器：非易失性SRAM（NVSRAM）。 为解决SRAM的数据保存问题，国外著名半导体公司率先推出了可以完全替代SRAM的NV-SRAM系列产品，国内也有同类产品相继问世。面对众多的NVSRAM产品，广大用户如何选择质优价廉的产品呢？建议用户根据以
2021-01-11 16:44:201299 赛普拉斯的NV-SRAM将标准快速SRAM单元（访问时间高达20 ns）与基于硅氧化物和亚硝酸盐，氧化物硅（SONOS）的非易失性存储元件相结合，可提供快速的异步读写访问速度，并在其整个工作范围
2020-12-22 15:18:33322 NV-SRAM具有以下优点，可以满足理想SRAM器件的要求，该器件适用于游戏应用中的非易失性缓存实施。 快速访问：系统性能与所使用的高速缓存的访问速度直接相关。如果管理不当，则连接到快速控制器的慢速
2020-12-18 14:44:28516 
电子发烧友网站提供《非易失性NVSRAM存储器的详细讲解.pdf》资料免费下载
2020-11-25 11:12:0024 NV-SRAM模块不仅可以快速且可靠的存储数据，而且在封装技术方面也很有竞争力。这些器件适用于需要安全数据存储以及几乎不需要现场维护的场合。 因此将比较它需要多长时间来擦除64Kb数据及写入新数据
2020-10-27 14:22:51375 。本文存储芯片供应商宇芯电子先带大家认识一下非易失性NV-SRAM。 NV-SRAM简介 在现代计算机系统中，存在大量内存。其中大多数是名称不合时宜的随机存取存储器（RAM）。这个名称意义不大，因为当今所有内存都是随机访问的。当工程
2020-09-11 16:09:321392 事实上，除了这些传统要求，在前两代非易失FPGA产品的经验基础上，莱迪思半导体（Lattice Semiconductor）公司还认识到需要灵活的片上非易失存储器，以及作为非易失FPGA新要求的用于现场逻辑更新的全面解决方案。
2019-06-16 09:48:471145 Microchip Technology Inc.的23X256系列是256 Kb的串
行 SRAM 器件。通过一个兼容串行外设接口 （Serial
Peripheral Interface
2018-07-02 11:22:0031 为适应底层存储架构的变化，上层数据库系统已经经历了多轮的演化与变革．在大数据环境下，以非易失、大容量、低延迟、按字节寻址等为特征的新型非易失存储器件（NVM）的出现，势必对数据库系统带来重大
2018-01-02 19:04:400 256K of memory is organized as 32，768 words by 8 bits. Manufactured with Atmel’s advanced nonvolatile CMOS technology
2017-09-15 11:09:2411 he CY7C1353G is a 3.3 V， 256K × 18 synchronous flow-through burst SRAM designed specifically
2017-09-14 17:05:283 The CY62146EV30 is a high performance CMOS static RAM organized as 256K words by 16 bits.
2017-09-14 15:07:217 The nonvolatile timekeeping family of real-time clock （RTC） products provide battery-backed NV SRAM
2017-04-07 09:57:023 使用赛道存储单元的近阈值非易失SRAM_孙忆南
2017-01-07 21:45:571 The DS1855 dual nonvolatile (NV) digital potentiometer and secure memory consists of one
2013-02-19 17:06:2535 DS1855双路非易失性（NV）数字电位器和安全存储器由一个100级线性变化电位器、一个256级线性变化电阻器、256字节EEPROM存贮器、和2线接口组成。
2013-02-19 16:53:302233 
DS1210非易失控制器芯片是CMOS电路，解决了转换成非易失性内存的CMOS RAM中的应用问题。
2012-07-19 14:30:073027 
DS1218非易失控制器芯片供应电路要求提供标准CMOS RAM非易失性。
2012-07-19 14:28:141316 
DS1312电池监视器非易失控制器是CMOS电路，解决了转换成非易失性内存的CMOS RAM中的应用问题。
2012-07-19 14:26:37801 
DS1314非易失控制器，带有电池监视器是一个CMOS电路，解决了转换成非易失性内存的CMOS RAM中的应用问题。
2012-07-19 14:21:121295 
DS1323设计灵活的非易失控制器带有锂电池监测器，采用CMOS电路设计，用于解决CMOS SRAM转换成非易失存储器的实际应用问题。
2012-04-16 12:11:02587 DS1746是一个全功能的，2000年的兼容(Y2KC)，实时时钟/日历(RTC)和128K×8非易失性静态RAM
2012-03-19 16:28:12716 
The DS1251 4096K NV SRAM with Phantom Clock is a fully static nonvolatile RAM (organized as 512K
2012-01-04 11:30:5218 The DS1248 1024K NV SRAM with phantom clock is a fully static, nonvolatile RAM (organized as 128K
2012-01-04 11:29:1924 The DS1243Y 64K NV SRAM with Phantom Clock is a fully static nonvolatile RAM (organized as 8192
2012-01-04 11:23:2835 DS1243Y 64K非易失SRAM，带有隐含时钟是一个内置的实时时钟(8192字由8位)是由完全静态非易失性内存 。
2012-01-04 10:53:261153 
具有隐含时钟的DS1248 1024k NV SRAM为全静态非易失RAM (按照8位、128k字排列)，内置实时时钟。
2012-01-04 10:49:181074 
具有隐含时钟的DS1251 4096k NV SRAM为全静态非易失RAM (按照8位、512k字排列)，内置实时时钟。
2012-01-04 10:41:50829 
DESCRIPTION The DS1244 256K NV SRAM with a Phantom clock is a fully static nonvolatile RAM (NV SRAM
2011-12-19 11:33:0940 DS1244,DS1244P具有隐含时钟的DS1244 256k、NV SRAM为全静态非易失RAM (NV SRAM) (按照8位、32k字排列)，内置实时时钟
2011-12-19 11:15:391548 
DS1500为完备的、2000年兼容的、实时时钟/日历(RTC)，具有报警、看门狗定时器、上电复位、电池监控、256字节内置非易失(NV) SRAM、为备份外围SRAM提供NV控制以及一个32.768kHz频率的输出
2011-12-19 11:08:181578 
DS3911是一款四，10位Δ-Σ输出，非易失(NV)控制器，具有片上温度传感器和相关的模拟到数字转换器(ADC)
2011-06-30 10:05:021115 
DS3605集成非易失(NV) SRAM控制器、实时时钟(RTC)、CPU监控电路和温度传感器，可以为加密交易终端和其它安全敏感应用提供篡改保护
2011-04-27 10:23:37789 DS1851双路温度控制非易失性(NV) DAC由两路DAC，两个EEPROM查询表，和一个数字式温度传感器组成。两个DAC可以编程为任意的温度系数，这意味着无需任何外部器件，就可以修正任何系统的温度影响。
2011-01-22 09:29:11506 
MAX5389是双路、256抽头、易失型、低电压线性变化数字电位器，提供10kΩ、50kΩ以及100kΩ三种端到端电阻。器件采
2010-12-09 09:44:18889 
MAX5392是双路、256抽头、易失型、低压线性变化数字电位器，提供10kΩ、50kΩ以及100kΩ三种端到端电阻。器件采用+1.7V
2010-12-09 09:41:28913 
DS1250W 3.3V 4096k NV SRAM为4,194,304位、全静态非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控
2010-12-07 10:21:02855 
DS1250 4096k、非易失SRAM为4,194,304位、全静态非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每个完整的NV SRAM均自带锂电池及
2010-12-07 10:18:011275 
DS3070W是Dallas公司最新推出的单片、内含实时时钟的非易失性静态存储器。该器件内部集成了16 Mb NV SRAM、非易失性控制器、实时时钟和一个锂锰（ML）可充电电池。介绍了DS3070W的性能
2010-12-06 15:31:4622 DS1230W 3.3V 256k非易失SRAM为262,144位、全静态非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每个NV SRAM自带锂电池及控制电路，控
2010-11-24 09:53:311706 
DS1245W 3.3V 1024k非易失SRAM为1,048,576位、全静态非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路
2010-11-24 09:47:28836 
DS1249W 2048kb非易失(NV) SRAM为2,097,152位、全静态NV SRAM，按照8位、262,144字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控
2010-11-24 09:43:53808 
这款新Qorivva微控制器(MCU)系列基于Power Architecture ·技术，采用独特的55纳米(nm)非易失性内存(NVM)构建而成，旨在
2010-11-11 18:05:13762 DS1225AB及DS1225AD为65,536位、全静态非易失(NV) SRAM，按照
2010-11-10 09:36:271367 
DS1270W 16Mb非易失(NV) SRAM为16,777,216位、全静态NV SRAM，按照8位、2,097,152字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控
2010-11-10 09:31:52585 
DS1265W 8Mb非易失(NV) SRAM为8,388,608位、全静态NV SRAM，按
2010-11-07 09:37:51685 
DS1225Y 64K非易失SRAM为65,536位、全静态非易失RAM，按照
2010-11-03 09:26:231247 MXIM推出DS3065WP，一个1米x 8非易失(NV)与一个嵌入式实时时钟(RTC)和电池包在一个PowerCap
2010-10-28 08:46:50625 DS1330W 3.3V、256k NV SRAM为262,144位、全静态非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制
2010-10-22 09:04:04929 
DS1345 1024k非易失(NV) SRAM为1,048,576位、全静态非易失SRAM，
2010-10-22 08:58:38805 
DS1646是一个128K的× 8非易失性与全功能实时时钟，都在一个字节宽的格式访问静态RAM。非易失性RAM是计时功能等同于
2010-10-22 08:55:09810 
DS1647为512k x 8非易失性静态RAM，包括一个完备的实时时钟，两者均以字节宽度格式访问。非易失性时间保持RAM功能等
2010-10-22 08:52:091067 
DS1345W 3.3V、1024k NV SRAM为1,048,576位、全静态非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控
2010-10-21 09:06:32903 DS1350W 3.3V、4096k非易失SRAM为4,194,304位、全静态非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电
2010-10-21 09:03:59733 DS1350 4096k非易失(NV) SRAM为4,194,304位、全静态NV SRAM，
2010-10-21 09:01:27765 DS1220Y 16k非易失SRAM为16,384位、全静态非易失RAM，按照8位、2048字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路
2010-10-20 09:04:421025 DS1554是一个全功能的，2000年兼容(Y2KC)，实时时钟RTC的闹钟，看门狗定时器/日历(RTC)上电复位，电池监控，和32K × 8非易失
2010-09-28 09:11:081155 
DS1744是功能完备、2000年兼容(Y2KC)的实时时钟/日历(RTC)和32k x 8 NV SRAM。用户可通过如完整数据资料中的图1所示的单字
2010-09-28 09:05:42876 
DS1747是功能完备、2000年兼容(Y2KC)的实时时钟/日历(RTC)和512k x 8非易失性SRAM。用户可通过如图1所示的单字节宽
2010-09-28 08:58:30995 
该DS1557是一个全功能实时时钟/日历(RTC的同一个RTC报警，看门狗定时器，上电复位，电池监控)，以及512K的× 8非易失性静态RAM。用户访问DS1557内部所有寄存器完成了一个字节宽
2010-09-15 09:51:32660 
Maxim推出带有用户可编程非易失(NV)存储器的质询-响应安全认证IC DS28E10。采用经过业内认证的FIPS 180-3安全散列算法(SHA-1),结合主控制器提供的可编程私钥和随机质询的命令实现整个认
2010-08-14 15:12:2617 DS1643, DS1643P 非易失时钟RAM
概述
DS1643 is an 8K x 8 nonvolatile static RAM with a full function Real Time Clock (RTC) that a
2009-12-19 12:50:45899 
DS4305, DS4305K 可编程电压基准
DS4305为非易失(NV)、电子可编程电压基准。基准电压可在工厂校准/编程期间在线设置。设置基准电压VOUT非常简
2009-11-16 18:32:50597 
充分利用MAXQ®处理器的非易失存储服务
摘要：需要非易失数据存储的应用通常都需要使用外部串行EEPROM。这篇文章介绍了仅使用MAXQ微控制器中已有的闪存提供非易失
2009-05-02 09:28:54667 
such as the DS1220, DS1225, and DS1230. First it discusses NV RAM module construction, with an overview of the battery, controller and SRAM that is u
2009-04-24 09:40:3914 新一代NV SRAM技术
第一代NV SRAM模块问世近20年来，NV SRAM技术不断更新，以保持与各种应用同步发展，同时满足新的封装技术不断增长的需求。
发展与现状
2008-11-26 08:24:53779 
DS1804 非易失调节电位器
DS1804 NV微调电位器是非易失数字电位器，具有100个抽头位置。为CPU控制或手动控制输入的低成本电路调节应用提供了一个理
2008-10-02 00:00:571857 
DS4301非易失、32抽头数字电位器
DS4301是一款单32抽头线性数字电位器，具有200kΩ端到端电阻。滑动端位置存储在EEPROM中，因此DS4301上电时就处于最近
2008-10-01 23:49:53653 
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