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mos管是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的,他们都是在P型backgate中形成的N型区。
mos管是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的,他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下,这个两个区是一样的,即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。
双极型晶体管把输入端电流的微小变化放大后,在输出端输出一个大的电流变化。双极型晶体管的增益就定义为输出输入电流之比(beta)。另一种晶体管,叫做场效应管(FET),把输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于它的transconductance, 定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。市面上常有的一般为N沟道和P沟道,详情参考右侧图片(N沟道耗尽型MOS管)。而P沟道常见的为低压mos管。
场效应管通过投影一个电场在一个绝缘层上来影响流过晶体管的电流。事实上没有电流流过这个绝缘体,所以FET管的GATE电流非常小。最普通的FET用一薄层二氧化硅来作为GATE极下的绝缘体。这种晶体管称为金属氧化物半导体(MOS)晶体管,或,金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)。因为MOS管更小更省电,所以他们已经在很多应用场合取代了双极型晶体管。
在现实世界中,电子电路所处的周围环境总是变幻莫测的。人体静电、雷击浪涌、误操作等诸多不可预料的因素时刻威胁着电子设备的正常工作。因此保护电路的作用与意义...
在电源电路应用中,往往首先考虑漏源电压 VDS 的选择。在此上的基本原则为 MOSFET 实际工作环境中的最大峰值漏源极间的电压不大于器件规格书中标称漏...
使用时,要特别注意内部保护二极管。例如,电源接反时,源级S接到了电源正极,此时通过内部寄生二极管导通,如果电源输入没有反接保护,NOMS管有可能烧毁。
通过AM1波形,我们能看到二极管上有电流流过(一部分的电感电流,续流),二极管处于正偏状态。
GPIO是通用输入/输出端口的简称,是STM32可控制的引脚。GPIO的引脚与外部硬件设备连接,可实现与外部通讯、控制外部硬件或者采集外部硬件数据的功能。
os是电压驱动型器件,只要栅极和源级间给一个适当电压,源级和漏级间通路就形成。这个电流通路的电阻被成为mos内阻,就是导通电阻<Rds(on)>。
在做STA Signoff时,对于Setup来说选择Slow Corner,也就是慢工艺(SS)、低压(Low Voltage)、高温(High Tem...
MOS管的source(源极)和drain(漏极)是可以对调的,他们都是在P型backgate中形成的N型区。
异步内置MOS管升压恒压芯片FP6291在充电型桌面迷你台式小风扇升压方案的应用
FP6291充电型桌面迷你台式小风扇升压方案 DC-DC异步内置MOS管升压恒压芯片带限流 芯片概述 FP6291是一款异步内置MOS管升压恒压芯片...
宝砾微MOS管 PL0807N10 DFN5*6 100V/74.4A N沟道MOSFET
应用领域: DC-DC转换 SMPS中的同步整流 硬开关和高速电路 电动工具 电机控制 概述: PL0807N10是宝砾微推出的漏源电压100V的N沟道...
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