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第三代半导体

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第三代半导体主要是材料的变化。半导体材料是制作晶体管、集成电路、电电电子器件、光电子器件的重要材料,发展经历了三个阶段。

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第三代半导体简介

  半导体材料是制作晶体管、集成电路、电电电子器件、光电子器件的重要材料,发展经历了三个阶段:

  第一代材料是硅,以硅(Si)和锗(Ge )为代表,就是第一代半导体的产业园。

  第二代材料是以砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)、磷化镓( GaP )为代表,目前的大部分通信设备的材料。

  第三点材料以氮化镓( GaN)、碳化硅( SiC)、金刚石为代表 ,未来5G时代的标配。

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