0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

新品推荐 | 东科推出业内首款合封氮化镓有源箝位控制芯片

东科半导体 2022-06-21 09:47 次阅读

点击蓝字

DK

关注我们

f000a974-f0c1-11ec-a2f4-dac502259ad0.png

DK120GA是一款合封氮化镓功率器件的有源箝位反激AC-DC功率转换芯片。它具有超高集成度,内置有源箝位拓扑所需的两颗GaN HEMT功率管,逻辑控制电路和半桥驱动电路,是目前业内唯一一款一体式合封氮化镓有源箝位反激功率转换芯片。

上管采用400mΩ GaN功率管,下管采用260mΩ GaN功率管,最大开关频率可达500KHz。专利的上管电流关断控制技术保证了上管在最小电流时关断,同时此电流可以实现下管的ZVS开通。DK120GA支持120W以内应用设计,特别适用于目前高功率密度PD快充应用。采用DK120GA设计的方案外围电路非常简单,调试难度很低,综合成本远低于目前市场上欧美厂商的有源箝位方案。

f000a974-f0c1-11ec-a2f4-dac502259ad0.png

DK120GA 芯片介绍

f02f7c4a-f0c1-11ec-a2f4-dac502259ad0.giff04a1e92-f0c1-11ec-a2f4-dac502259ad0.giff07d3020-f0c1-11ec-a2f4-dac502259ad0.giff0ca0490-f0c1-11ec-a2f4-dac502259ad0.png

业内唯一的单芯片ACF整合方案!

1

Logic and Control

f0ed3abe-f0c1-11ec-a2f4-dac502259ad0.png

2

High side GaN HEMT

f115b55c-f0c1-11ec-a2f4-dac502259ad0.png

3

Half Bridge Driver

f127c102-f0c1-11ec-a2f4-dac502259ad0.png

4

Low side GaN HEMT

f14a425e-f0c1-11ec-a2f4-dac502259ad0.png

f15c109c-f0c1-11ec-a2f4-dac502259ad0.pngf16f1854-f0c1-11ec-a2f4-dac502259ad0.gif

DK120GA关键特性展示

f02f7c4a-f0c1-11ec-a2f4-dac502259ad0.gif

f04a1e92-f0c1-11ec-a2f4-dac502259ad0.giff07d3020-f0c1-11ec-a2f4-dac502259ad0.giff1bb9e72-f0c1-11ec-a2f4-dac502259ad0.png

DK120GA脚位图

1

控制方式

专利的上管自适应关断技术,以实现最小负电流关断,同时该电流足够抽走下管的Coss电荷,实现下管的ZVS导通;

峰值电流控制模式;

上管轻载模式下自适应开通/关断,提高轻载效率;

死区时间自适应;

2

外围元件

合封两颗GaN MOSFET,半桥驱动及逻辑控制电路;

外围极其简单;

无需外部补偿电路;

3

功能完善

自带高压启动;

自带X2电容放电,Brown in/out,输出OVP等保护功能;

f1cf1722-f0c1-11ec-a2f4-dac502259ad0.giff16f1854-f0c1-11ec-a2f4-dac502259ad0.gif

120W ACF EVB 展示

f02f7c4a-f0c1-11ec-a2f4-dac502259ad0.gif

f2176b44-f0c1-11ec-a2f4-dac502259ad0.png

f24b0e2c-f0c1-11ec-a2f4-dac502259ad0.pngf288237a-f0c1-11ec-a2f4-dac502259ad0.png

基本原理图

f2a7fb6e-f0c1-11ec-a2f4-dac502259ad0.png

与市面上友商的ACF方案相比,极大简化了外围设计,降低了调试难度,缩短了方案设计周期

展示板效率与温升

f2d1fc02-f0c1-11ec-a2f4-dac502259ad0.png

f2edda30-f0c1-11ec-a2f4-dac502259ad0.png

f32ad188-f0c1-11ec-a2f4-dac502259ad0.png

f35a1ea2-f0c1-11ec-a2f4-dac502259ad0.png

f3818924-f0c1-11ec-a2f4-dac502259ad0.png

方案成本对比优势

120W PD ACF方案 VS LLC方案

AC-DC功率级电路异常简单

外围元器件少,调试轻松

成本省去了LLC谐振电容,谐振电感

效率非常接近主流的LLC方案

功率密度进一步上升

f000a974-f0c1-11ec-a2f4-dac502259ad0.png

如需了解详情或申请样板使用,欢迎发送邮件至:david@wxdkpower.cn,或点击公众号菜单栏“联系我们--申请样品”。

f000a974-f0c1-11ec-a2f4-dac502259ad0.png

微信公众号 | 东科半导体

官方网站|http://dkpower.cn


原文标题:新品推荐 | 东科推出业内首款合封氮化镓有源箝位控制芯片

文章出处:【微信公众号:东科半导体】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 氮化镓
    +关注

    关注

    46

    文章

    1183

    浏览量

    113898
  • GaN
    GaN
    +关注

    关注

    16

    文章

    1469

    浏览量

    65890
  • GaN器件
    +关注

    关注

    1

    文章

    29

    浏览量

    7665
收藏 人收藏

    评论

    相关推荐

    什么是氮化(GaN)?

    推出氮化系列”,告诉大家什么是氮化(GaN)?
    发表于 07-31 06:53

    氮化GaN 来到我们身边竟如此的快

    氮化充电器+移动电源66、ZENDURE氮化拓展坞+充电器从以上已有30多家厂商推出了超达66氮化快充产品来看,其中,60W及以上占比达到了五分之三之多;而30W规格的只占了五分之一
    发表于 03-18 22:34

    ETA80G25氮化芯片支持90-264V输入,支持27W功率输出

    推出了一内置D-mode氮化功率管的芯片ETA80G25。据悉,这款芯片主打超高性价比,价格与同规格超结开关管几乎持平,让小功率的充电器,也能吃上氮化的红利。同时芯片还大大简
    发表于 11-28 11:16

    什么是氮化功率芯片

    推出的世界上首氮化功率芯片同时能提供高频率和高效率,实现了电力电子领域的高速革命
    发表于 06-15 14:17

    谁发明了氮化功率芯片

    氮化功率芯片的学术研究,始于 2009 年左右的香港科技大学,但强大的高压氮化功率芯片平台的量产,则是由成立于 2014 年的纳微半导体最早进行研发的。纳微半导体的三位联合创始人
    发表于 06-15 15:28

    氮化功率芯片的优势

    控制都很简单。dV/dt 回转率控制和欠压锁定等功能,确保了氮化功率芯片能最大限度地提高“一次性成功”的设计的机会,从而极为有效地缩短了产品上市
    发表于 06-15 15:32

    为什么氮化比硅更好?

    氮化功率芯片的能力,电路的其他部分也必须在更高的频率下有效运行。近年加入控制芯片之后,氮化充电器的开关频率,已经从 65-100kHz,提高到
    发表于 06-15 15:53

    杰华特推出JW1565氮化芯片,满足65W快充应用

    推出JW1565氮化芯片,满足65W快充应用
    发表于 04-18 11:13 0次下载

    倍思推出全球120W氮化+碳化硅充电器

    推出2C1A GaN氮化充电器引爆了的氮化充电器市场,热度持续不减,倍思再度推出全球第一氮化+碳化硅 (GaN+SiC) 充电器。
    发表于 05-20 10:13 1214次阅读

    氮化快充芯片量产,多款应用案例剖析

    氮化快充市场不断拓展的过程中,电源技术水平也在不断提升,起初的氮化快充电源一般需要采用控制器+驱动+氮化功率器件组合设计,不仅电路布局较为复杂,产品开发难度相对较大,而且成本也比较高。
    的头像 发表于 02-07 14:03 1561次阅读

    氮化芯片是什么

    氮化芯片是一种新型的半导体器件,它具有高效率、高功率密度和高可靠性等优点。与传统的半导体器件相比,氮化芯片采用了全新的封装技术,将多个半导体器件集成在一个芯片上,使得器件的体积更小、功率
    的头像 发表于 04-11 17:46 887次阅读

    力推7氮化主控芯片 — 功率覆盖12W-65W

    氮化技术大规模商用的一年,也是氮化芯片快速发展的一年。半导体继推出国内外氮化快充芯片以来,持续深耕封工艺,
    的头像 发表于 06-21 09:48 1710次阅读
    <b>东</b><b>科</b>力推7<b>款</b><b>合</b>封<b>氮化</b><b>镓</b>主控<b>芯片</b> — 功率覆盖12W-65W

    产品介绍 | 氮化快充芯片量产,多款应用案例剖析

    氮化快充方案包括控制器+驱动器+GaN功率器件等,电路设计复杂,成本较高。半导体通过氮化的方式,一颗芯片即可完成原有三颗芯片的功能,使电源芯片外围器件数量大幅降低,提升功率密度
    的头像 发表于 02-06 11:23 615次阅读
    产品介绍 | <b>东</b><b>科</b>四<b>款</b><b>合</b>封<b>氮化</b><b>镓</b>快充<b>芯片</b>量产,多款应用案例剖析