2023 年 9 月 11 日，中国 – 意法半导体新系列 IGBT晶体管将击穿电压提高到 1350V，最高工作温度拓宽到175°C，更高的额定值确保晶体管在所有工作条件下具有更大的设计余量、耐变性能和更长久的可靠性。
2023-09-12 10:39:11
302 意法半导体新系列 IGBT晶体管将击穿电压提高到 1350V，最高工作温度拓宽到175°C，更高的额定值确保晶体管在所有工作条件下具有更大的设计余量、耐变性能和更长久的可靠性。
2023-09-12 10:38:00232 近日，意法半导体推出了首款具有电流隔离功能的氮化镓 (GaN) 晶体管栅极驱动器，新产品 STGAP2GS缩小了芯片尺寸，降低了物料清单成本，能够满足应用对宽禁带芯片的能效以及安全性和电气保护的更高要求。
2023-09-12 09:01:31209 绝缘栅双极晶体管IGBT又叫绝缘栅双极型晶体管。一．绝缘栅双极晶体管IGBT的工作原理： 半导体结构分析略。本讲义附加了相关资料，供感兴趣
2009-05-12 20:44:23
2023 年 9 月 6 日，中国 ——意法半导体推出了首款具有电流隔离功能的氮化镓 (GaN) 晶体管栅极驱动器，新产品 STGAP2GS缩小了芯片尺寸，降低了物料清单成本，能够满足应用对宽禁带芯片的能效以及安全性和电气保护的更高要求。
2023-09-07 10:12:1379 绝缘栅双极晶体管也简称为IGBT ，是传统双极结型晶体管(BJT) 和场效应晶体管(MOSFET)的交叉体，使其成为理想的半导体开关器件。
2023-09-06 15:12:29254 
、胸腔晶体管、双极交接晶体管、金属-氧化半导体外效晶体管和隔热双极晶体管的特性和使用。 Power Diode Diode Basics 在电子应用中,二极管发挥简单的开关功能,只允许电流向一个方向流动,电极二极管拥有更大的动力、电压和当前处理能力,在电
2023-08-15 17:17:32299 
在电源与能源应用领域，意法半导体将展示一款采用MASTERGAN和ST－ONEHP的140W 智能电源适配器。其中MASTERGAN在一个单一封装内整合了意法半导体第三代氮化镓（GaN）功率晶体管和改进的栅极驱动器。
2023-06-30 16:33:45244 中国—— 意法半导体的STL120N10F8N沟道100V功率MOSFET拥有极低的栅极-漏极电荷(QGD)和导通电阻RDS(on)，优值系数 (FoM) 比上一代同类产品提高40%。
2023-05-25 10:08:23165 2023年5月20日，中国——意法半导体高压宽禁带功率转换芯片系列新增VIPerGaN100 和 VIPerGaN65两款产品，适合最大功率100W和65W的单开关管准谐振 (QR)反激式功率转换器。
2023-05-20 16:59:50208 场效应晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件。
2023-05-20 15:19:12437 
意法半导体发L6983i10W 隔离降压 (iso-buck) 转换器芯片具有能效高、尺寸紧凑，以及低静态电流、3.5V-38V 宽输入电压等优势。
2023-05-19 09:56:31317 ST-ONEMP与意法半导体的MasterGaN功率技术配套使用。 MasterGaN技术包含意法半导体的集成栅极驱动器的氮化镓(GaN)宽带隙功率晶体管。意法半导体GaN技术的开关频率比传统硅 MOSFET更高，使适配器能够提供更高的功率密度和符合最新生态设计规范的高能效。
2023-03-16 10:29:16160 
提高晶体管开关速度的方法可以通过减少晶体管的输入电容来提高晶体管的开关速度，这可以通过减少晶体管的输入电容的大小来实现。
2023-02-24 15:54:57429 
IGBT即绝缘栅双极型晶体管，是一种半导体器件。是由双极型三极管和绝缘栅型场效应管组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有金氧半场效晶体管的高输入阻抗和电力晶体管的低导通压降两方面的优点。
2023-02-17 16:14:20325 意法半导体怎么样 意法半导体（ST）集团于1987年成立，是由意大利的SGS微电子公司和法国Thomson半导体公司合并而成。1998年5月，SGS-THOMSON Microelectronics
2023-02-08 14:24:11770 本文（上）回顾了氮化镓的发展历程，并介绍了意法半导体MasterGaN产品系列和解决方案；本文（下）将介绍意法半导体VIPerGaN产品系列和解决方案。
2022-09-20 09:07:261109 意法半导体40V MOSFET晶体管STL320N4LF8 和 STL325N4LF8AG 降低导通电阻和开关损耗，同时优化体寄生二极管特性，降低功率转换、电机控制和配电电路的能耗和噪声。
2022-06-24 16:40:43863 2022 年 6 月 23 日，中国 – 意法半导体40V MOSFET晶体管STL320N4LF8 和 STL325N4LF8AG 降低导通电阻和开关损耗，同时优化体寄生二极管特性，降低功率转换
2022-06-24 09:57:451410 
VIPERGAN50是意法半导体VIPerPLUS系列首款可在宽工作电压(9 V至23 V)下提供高达50 W功率的产品。这也是ST首款采用氮化镓(GaN)晶体管的VIPer器件。得益于650 V
2022-05-20 10:58:481876 意法半导体的STPOWER MDmesh M9和DM9硅基N沟道超结多漏极功率MOSFET晶体管非常适用于设计数据中心服务器、5G基础设施、平板电视机的开关式电源 （SMPS）。
2022-05-19 14:41:47988 2022 年 5 月 18日，中国 – 意法半导体的 STPOWER MDmesh M9和DM9硅基N沟道超结多漏极功率MOSFET晶体管非常适用于设计数据中心服务器、5G基础设施、平板电视机的开关
2022-05-19 10:50:421714 
2022 年 4 月 7 日，中国——意法半导体 VIPerGaN50能够简化最高50 W的单开关反激式功率变换器设计，并集成一个 650V 氮化镓 (GaN) 功率晶体管，使电源的能效和小型化达到
2022-04-07 13:53:307138 
电源，例如，充电器、PC机外部电源适配器、LED照明驱动器、电视机等家电。消费电子产品的全球产量很大，如果提高能效，可大幅减少二氧化碳排放。在功率更高的应用中，意法半导体的 PowerGaN器件也适用于电信电源、工业驱动电机、太阳能逆变器、电动汽车及其充电设施。
2022-01-17 14:22:541964 意法半导体最新一代碳化硅(SiC)功率器件，提升了产品性能和可靠性，保持惯有领先地位，更加适合电动汽车和高能效工业应用
2022-01-17 14:13:293015 意法半导体推出了一个新系列—— 氮化镓（GaN） 功率半导体。该系列产品属于意法半导体的STPOWER 产品组合，能够显著降低各种电子产品的能耗和尺寸。
2021-12-17 17:32:30879 ，还是适用于电源适配器和平板显示器的电源。 意法半导体800V STPOWER MDmesh K6系列，为这种超级结晶体管技术树立了高性能和易用性兼备的标杆。MDmesh K6 的RDS（on） x
2021-10-28 10:41:251345 意法半导体的MasterGaN4*功率封装集成了两个对称的225mΩ RDS(on)、650V氮化镓(GaN)功率晶体管，以及优化的栅极驱动器和电路保护功能，可以简化高达200W的高能效电源变换
2021-04-16 14:41:042674 双极晶体管」。 IGBT晶体管是半导体器件的一种，主要被用于电动汽车、铁路机车及动车组的交流电电动机的输出控制等领域。 IGBT晶体管是由BJT（双极型晶体或双极性晶体管，俗称三极管）和MOSFET（绝缘
2021-02-03 17:37:1510443 基于MasterGaN®平台的创新优势，意法半导体推出了MasterGaN2，作为新系列双非对称氮化镓（GaN）晶体管的首款产品，是一个适用于软开关有源钳位反激拓扑的GaN集成化解决方案。 2021
2021-01-20 11:20:442502 意法半导体VIPer26K发布高压功率转换器，集成一个1050V耐雪崩N沟道功率MOSFET，使离线电源兼备宽压输入与设计简单的优点。
2020-03-18 15:24:512231 在对大功率和高能效需求日益增长的5G通信时代，意法半导体推出STWLC68系列产品，为市场带来业界领先的，拥有极高传输能效并安全可靠的无线充电解决方案。
2020-02-27 16:40:57647 东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出“GT20N135SRA”，这是一款用于桌面电磁炉、电饭煲、微波炉等家用电器电压谐振电路的1350V分立IGBT。该产品于今日起开始出货。
2019-12-23 16:34:261351 意法半导体的HB2 650V IGBT系列采用最新的第三代沟栅场截止（TFS）技术，可提高PFC转换器、电焊机、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器等中高速应用设计的能效和性能。该系列还包括符合AEC-Q101 Rev. D标准的汽车级产品。
2019-05-14 11:38:533216 意法半导体新IH系列器件属于意法半导体针对软开关应用专门优化的沟栅式场截止（TFS） IGBT产品家族，适用于电磁炉等家电以及软开关应用的半桥电路，现在产品设计人员可以选用这些IGBT，来达到更高的能效等级。
2019-03-27 16:05:331406 electronica 2018最火展区之一，意法半导体的亮眼科技。
2018-12-03 16:44:324241 STGAP2DM栅极驱动器是意法半导体的 STGAP2系列电隔离驱动器的第二款产品，集成了低压控制和接口电路以及两个电隔离输出通道，可以驱动单极或双极型晶体管的栅极。
2018-11-16 15:46:313727 意法半导体的STGAP2S单路电气隔离栅极驱动器提供26V的最大栅极驱动输出电压，准许用户选择独立的导通/关断输出或内部有源米勒钳位功能，可用于各种开关拓扑控制碳化硅（SiC）或硅MOSFET和IGBT功率晶体管。
2018-08-04 09:20:00716 意法半导体 (ST) 同级领先的900V MOSFET晶体管，提升反激式转换器的输出功率和能效
2017-09-21 14:45:167127 ST（意法半导体）V2X开发板
2017-03-10 14:27:55
52 ST（意法半导体）V2X技术资料
2017-03-10 14:27:3762 横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体意法半导体推出了其最新的物联网（IoT）射频收发器芯片，让智能物联网硬件具有极高的能效，可连续工作长达10年而无需更换电池。
2016-11-23 11:22:331103 意法半导体推出新款M系列650V IGBT，为电源设计人员提供一个更快捷经济的能效解决方案,新款M系列650V IGBT，为电源设计人员提供一个更快捷经济的能效解决方案，适用于暖通空调系统（HVAC
2016-11-02 17:19:431846 今天，不论是用在工业领域还是民用产品的开关应用，绝缘栅双极晶体管（IGBT）都可以提供有效的解决方案，以实现最终产品的高能效和高性能。在节能至上的市场上，电子设计人员首选可以实现高能效的器件，而且要
2013-11-20 17:28:14986 意法半导体推出打破高压功率MOSFET晶体管世界记录的MDmesh V功率MOSFET晶体管，MDmesh V系列已是市场上性能最高的功率MOSFET晶体管，拥有最低的单位面积通态电阻
2011-12-27 17:29:101191 横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商及能效解决方案供应商意法半导体（STMicroelectronics，简称ST；纽约证券交易所代码：STM）发布最新的太阳能发电创新技术和未来的高能效
2011-10-28 09:24:50412 意法半导体(STMicroelectronics，简称ST;纽约证券交易所代码：STM)推出新系列射频(RF)功率晶体管。
2011-10-12 11:35:111534 近日全球功率半导体和管理方案领导厂商国际整流器公司(简称IR)推出针对感应加热、不间断电源(UPS)太阳能和焊接应用而设计的可靠、高效 1200V 绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 系列。
2011-09-07 09:24:541722 意法半导体(STMicroelectronics，简称ST) 推出首款完全符合卫星和运载火箭电子子系统质量要求的功率系列产品。全新抗辐射功率MOSFET系列产品的额定输出电流为6A至80A，由5款N沟道和P沟道产
2011-06-15 08:49:081150 全球领先的高能效半导体解决方案供应商、可持续发展的倡导者意法半导体(纽约证券交易所代码：STM)宣布，大中华区与南亚地区副总裁兼台湾分公司总经理尹容(Giuseppe Izzo)将
2010-10-29 09:04:12497 意法半导体发布超低功耗整流二极管
功率半导体供应商意法半导体（纽约证券交易所代码：STM）推出新的高能效功率整流二极管
2010-04-06 13:29:52879 CMOS晶体管,CMOS晶体管是什么意思
金属-氧化物-半导体(Metal-Oxide-Semiconductor)结构的晶体管简称MOS晶体管，有P型MOS管和N型MOS管之分
2010-03-05 15:22:513450 晶体管分类
按半导体材料和极性分类 按晶体管使用的半导体材料可分为硅材料晶体管和锗材料晶体管。按晶体
2009-11-05 10:48:533714 在复合式晶体管开关中晶体管IGBT的并联
2009-05-30 21:26:242 绝缘栅双极晶体管IGBT又叫绝缘栅双极型晶体管。
一．绝缘栅双极晶
2009-05-12 20:42:001168 绝缘栅双极晶体管（IGBT)
基础知识绝缘栅双极晶体管（Insulated-gate Bipolar Transistor——IGBT）GTR和MOSFET复合，结合二者的优点1986年投
2009-04-14 22:13:395007 半导体管特性图示仪的使用和晶体管参数测量一、实验目的1、了解半导体特性图示仪的基本原理2、学习使用半导体特性图示仪测量晶体管的特性曲线和参
2009-03-09 09:12:098661 世界最新晶体管代换手册
一、半导体器件型号命名法二、手
2008-07-18 17:15:4056 意法半导体ST巩固无线通信半导体市场的领先地位
中国，2008年5月27日 — 意法半导体（
2008-07-15 15:52:37937
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