氮化镓功率器件与硅基功率器件的特性不同本质是外延结构的不同，本文通过深入对比氮化镓HEMT与硅基MOS管的外延结构
2023-09-19 14:50:34
125 
氮化镓功率器以氮化镓作为主要材料，具有优异的电特性，例如高电子迁移率、高饱和漂移速度和高击穿电场强度。这使得氮化镓功率器具有低导通电阻、高工作频率和高开关速度等优势，能够在较小体积下提供大功率和高效率。
2023-09-11 15:47:5629 氮化镓功率器件具有较低的导通阻抗和较高的开关速度，使其适用于高功率和高频率应用，如电源转换、无线通信、雷达和太阳能逆变器等领域。由于其优异的性能，氮化镓功率器件在提高功率密度、提高系统效率和减小尺寸方面具有很大的潜力。
2023-08-24 16:09:15515 日前，在广州举行的2013年LED外延芯片技术及设备材料最新趋势专场中，晶能光电硅衬底LED研发副总裁孙钱博士向与会者做了题为“硅衬底氮化镓大功率LED的研发及产业化”的报告，与同行一道分享了硅衬底
2014-01-24 16:08:55
相对于传统的硅材料，氮化镓电源在高功率工作时产生的热量较少，因为氮化镓具有较低的电阻和较高的热导率。这意味着在相同功率输出下，氮化镓电源相对于传统的硅电源会产生较少的热量。
2023-07-31 15:16:231003 氮化镓用途有哪些 氮化镓是一种半导体材料，具有优良的电学和光学性质，因此广泛用于以下领域： 1. 发光二极管(LED)：氮化镓是LED的主要工艺材料之一，可用于制造蓝、绿、白光LED，广泛应用于照明
2023-06-02 15:34:463128 氮化镓是一种二元III/V族直接带隙半导体晶体，也是一般照明LED和蓝光播放器最常使用的材料。另外，氮化镓还被用于射频放大器和功率电子器件。氮化镓是非常坚硬的材料;其原子的化学键是高度离子化的氮化镓化学键，该化学键产生的能隙达到3.4 电子伏特。
2023-05-26 10:10:41424 
合封氮化镓芯片是一种新型的半导体器件，它具有高效率、高功率密度和高可靠性等优点。与传统的半导体器件相比，合封氮化镓芯片采用了全新的封装技术，将多个半导体器件集成在一个芯片上，使得器件的体积更小、功率
2023-04-11 17:46:23897 在电源领域掀起了翻天覆地的变革。 为简化电路设计，加强器件可靠性，降低系统成本，纳微半导体基于成功的GaNFast™氮化镓功率芯片及先进的GaNSense™技术，推出新一代GaNSense™ Control合封氮化镓功率芯片，进一步加速氮化镓市场普及
2023-03-28 13:58:02991 
Nexperia和KYOCERA AVX Components Salzburg 就车规氮化镓功率模块达成合作
2023-03-01 14:04:00262 氮化镓纳米线是一种基于氮化镓材料制备的纳米结构材料，具有许多优异的电子、光学和机械性质，因此受到了广泛关注。氮化镓材料是一种宽禁带半导体材料，具有优异的电子和光学性质，也是氮化镓纳米线的主要材料来源。
2023-02-25 17:25:15522 领导者纳微半导体（Navitas Semiconductor）（纳斯达克股票代码：NVTS）宣
布推出新一代采用GaNSense技术的智能GaNFast氮化镓功率芯片。GaNSense技术集成了关键、实时、智能的传感和保护电路，
进一步提高了纳微半导体在功率半导体行业领先的可靠性和稳健性，同时增加了
2023-02-22 13:48:05
3 氮化镓可以取代砷化镓。氮化镓具有更高的热稳定性和电绝缘性，可以更好地抵抗高温和电磁干扰，因此可以替代砷化镓。
2023-02-20 16:10:146638 氮化镓功率器件是一种用于控制电子设备功率的器件，它可以提供高效率、低噪声和高稳定性的功率控制。它们可以用于控制电源、电池充电器、电源管理系统、电源调节器、电源滤波器等应用。
2023-02-19 17:20:483842 
氮化镓功率器件可以分为三类：MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）、IGBT（晶闸管）和JFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。
2023-02-19 14:32:391071 。氮化镓的能隙很宽，为3.4电子伏特，可以用在高功率、高速的光电元件中，例如氮化镓可以用在紫光的激光二极管，可以在不使用非线性半导体泵浦固体激光器（Diode-pumped solid-state laser）的条件下，产生紫光（405nm）激光。 GaN，中文名:氮化镓，常温常压下是纤锌矿结构。
2023-02-17 14:18:244722 氮化镓（GaN）是一种非常坚硬且在机械方面非常稳定的宽带隙半导体材料。由于具有更高的击穿强度、更快的开关速度，更高的热导率和更低的导通电
阻，氮化镓基功率器件明显比硅基器件更优越。
氮化镓晶体
2023-02-15 16:19:060 氮化镓外延片是一种由氮化镓制成的薄片，它可以用于制造电子元件、电子器件和电子零件。氮化镓外延片具有良好的热稳定性和电磁屏蔽性，可以用于制造高精度的零件和组件，如电路板、电子控制器、电子模块、电子接口、电子连接器等。
2023-02-14 14:05:411700 氮化镓根据衬底不同可分为硅基氮化镓和碳化硅基氮化镓：碳化硅基氮化镓射频器件具有高导热性能和大功率射频输出优势，适用于5G基站、卫星、雷达等领域；硅基氮化镓功率器件主要应用于电力电子器件领域。虽然
2023-02-10 10:52:522333 
氮化镓(GaN)功率半导体技术和模块式设计的进步，使得微波频率的高功率连续波(CW)和脉冲放大器成为可能。
2023-02-08 17:41:29311 氮化镓是一种无机物，化学式GaN，是氮和镓的化合物，是一种直接能隙（direct bandgap）的半导体， 氮化镓主要还是用于LED（发光二极管），微电子（微波功率和电力电子器件），场效电晶体（MOSFET）。此化合物结构类似纤锌矿，硬度很高。
2023-02-06 17:38:133449 硅基氮化镓技术是一种将氮化镓器件直接生长在传统硅基衬底上的制造工艺。在这个过程中，由于氮化镓薄膜直接生长在硅衬底上，可以利用现有硅基半导体制造基础设施实现低成本、大批量的氮化镓器件产品的生产。
2023-02-06 15:47:331973 
氮化镓是一种二元III/V族直接带隙半导体晶体，也是一般照明LED和蓝光播放器最常使用的材料。另外，氮化镓还被用于射频放大器和功率电子器件。氮化镓是非常坚硬的材料;其原子的化学键是高度离子化的氮化镓化学键，该化学键产生的能隙达到3.4 电子伏特。
2023-02-05 15:38:184253 
氮化镓外延片生长工艺较为复杂，多采用两步生长法，需经过高温烘烤、缓冲层生长、重结晶、退火处理等流程。两步生长法通过控制温度，以防止氮化镓外延片因晶格失配或应力而产生翘曲，为目前全球氮化镓外延片主流制备方法。
2023-02-05 14:50:003314 氮化镓是目前全球最快功率开关器件之一，氮化镓本身是第三代的半导体材料，许多特性都比传统硅基半导体更强。
2023-02-05 12:48:1512786 和GaN为代表物质制作的器件具有更大的输出功率和更好的频率特性。 2、分类状况 氮化镓根据衬底不同可分为硅基氮化镓和碳化硅基氮化镓：碳化硅基氮化镓射频器件具有高导热性能和大功率射频输出优势，适用于5G基站、卫星、雷达等领域；硅
2023-02-03 14:31:18510 氮化镓（GaN）是一种非常坚硬且在机械方面非常稳定的宽带隙半导体材料。由于具有更高的击穿强度、更快的开关，更高的热导率和更低的导通电阻，氮化镓基功率器件明显比硅基器件更优越。
2023-02-02 17:23:013161 PRISEMI芯导科技推出直驱型的E-Mode 氮化镓功率IC — PDG7115
2023-01-06 10:56:46162 
新品首发丨芯导科技推出直驱型的E-Mode 氮化镓功率IC — PDG7115
2022-12-30 14:52:03130 
用氮化镓重新考虑功率密度
2022-11-01 08:27:301 Qorvo 的 RFCM3326 是功率倍增器放大器 SMD 模块，工作频率范围为 45 MHz 至 1.218 GHz。它提供出色的线性度和回波损耗性能，具有低噪声和最佳可靠性。该模块提供
2022-10-25 17:43:54
Qorvo®今日推出两款氮化镓 (GaN) 8 瓦功率放大器模块 (PAM)QPA3908 和 QPA3810，兼有高性能和远小于传统分立元件解决方案的占用空间的优势，从而减少网络基础设施设备制造商
2022-08-25 13:46:311903 “全氮化镓”氮化镓充电系列有七个新产品，包括四个充电器、两个移动电源和一个插座，属于“全氮化镓”氮化镓充电系列，进一步满足消费者多样化的充电需求。
2022-07-27 16:21:04782 2021年是氮化镓技术大规模商用的一年，也是合封氮化镓芯片快速发展的一年。东科半导体继推出国内外首颗合封氮化镓快充芯片以来，持续深耕合封工艺，推出了适用于不同功率范围的高集成氮化镓芯片。在3月26日
2022-06-21 09:48:081710 
本文重点讨论氮化镓功率器件在阵列雷达收发系统中的应用。下面结合半导体的物理特性，对氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）的特点加以说明。
2022-04-24 16:54:333680 
氮化镓作为下一代半导体技术，其运行速度比传统硅功率芯片快 20 倍。纳微半导体以其专有的GaNFast™氮化镓功率集成芯片技术，集成了氮化镓功率场效应管（GaN Power［FET］）、驱动、控制和保护模块在单个SMT表面贴装工艺封装中。
2022-03-29 13:45:131446 去年3月，努比亚发布了旗下首款氮化镓充电器，功率达65W三口（2C1A），此后又推出了120W三口（2C1A）氮化镓充电器、45W双口（1A1C）氮化镓充电器、65W单口氮化镓充电器、Candy多彩
2021-02-19 16:59:273368 氮化镓功率器件及其应用(二)TI用氮化镓器件实现的DCDC设计方案
2019-04-03 06:13:004514 
氮化镓功率器件及其应用(一)氮化镓器件的介绍
2019-04-03 06:10:005999 
关键词：硅基氮化镓 , 功率放大器 MACOM Technology Solutions Inc. (“MACOM”) 推出全新MAMG-100227-010宽带功率放大器 (PA) 模块，扩展其硅
2019-02-17 12:32:01228 该RFCM3626是一个功率倍增放大器SMD模块。该器件采用GaAs PHEMT管芯和GaN HEMT管芯，输出功率高，工作频率为45 MHz～1218MHz。它具有优良的线性度和优异的回波损耗性能，具有低噪声和最佳可靠性。该装置的直流电流可以外部调节，以在宽范围的输出电平上获得最佳的失真性能与功耗。
2018-09-03 11:26:008 该RFCM3616是一个功率倍增放大器SMD模块。该器件采用GaAs PHEMT管芯和GaN HEMT管芯，输出功率高，工作频率为45 MHz～1218MHz。它具有优良的线性度和优异的回波损耗性能，具有低噪声和最佳可靠性。
2018-08-31 11:26:004 该RFCM2680是一个功率倍增放大器SMD模块。该器件采用GaAs PHEMT管芯和GaN HEMT管芯，输出功率高，工作频率为45 MHz～1003MHz。它具有优良的线性度和优异的回波损耗性能，具有低噪声和最佳可靠性。
2018-08-31 11:26:005 技术创新的射频解决方案领导厂商TriQuint半导体公司（纳斯达克代码：TQNT），今天发布了新型氮化镓 （GaN） 集成功率倍增器，为快速增长的有线电视基础构架提供了优异的性能。
2013-07-16 10:50:071172 RFMD 的新型 RFHA104x 系列高功率氮化镓 （GaN） 宽频功率晶体管 （BPT） 经过优化，适用于军事通信、商用无线基础设施和普通应用。由于采用了为满足高峰均比应用而优化的先进的 65V 高
2012-11-13 14:00:231566 高性能射频组件以及复合半导体技术设计和制造领域的全球领导者RF Micro Devices， Inc.（Nasdaq 股市代号：RFMD）日前宣布，扩展其RFMD 业界领先的氮化镓工艺技术，以包括功率转换应用
2012-05-07 08:38:04881 RFMD 新推出的 RF6504 是一款用于 433MHz 至 470MHz AMI/AMR 系统的前端模块 (FEM)。
2012-02-06 10:14:361230 RFMD 推出新型 RF3826 宽频功率放大器，专为连续波和脉冲应用而设计，如无线基础设施、雷达、双向无线电以及通用放大。这种高性能的放大器采用了先进的高功率密度氮化镓 (GaN) 半导体
2011-10-27 09:17:561791 RFMD公司推出RF3928 氮化镓宽带脉冲功率放大器。RF3928 是一款 50V 280W 的高功率分立放大器，专用于 S 波段脉冲雷达、空中交通管制和监督 (ATCS) 以及通用宽带放大器应用
2011-10-21 10:04:27888 IR推出高效率氮化镓功率器件
目前，硅功率器件主要通过封装和改善结构来优化性能提升效率，不过随着工艺技术的发展这个改善的空间已经不大了
2010-05-10 17:50:57948 IR推出首批商用氮化镓集成功率级器件iP2010和iP2011
国际整流器公司(IR)推出行业首个商用集成功率级产品系列，采用了IR革命性的氮化镓 (GaN) 功率器件技术平台。崭新的i
2010-03-09 10:24:50864 
首批商用氮化镓集成功率级器件
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出行业首个商用集成功率级产品系列，采用了IR革命性的氮化镓 (GaN) 功率
2010-03-06 09:44:01762 
电子发烧友App
工商网监
湘ICP备2023018690号
营业范围
工商网监
湘ICP备 2023018690 号
评论