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标签 > 寄生二极管
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主要有因在栅极和源极之间如果存在电压浪涌和静电而引起的破坏,即栅极过电压破坏和由上电状态中静电在GS两端(包括安装和和测定设备的带电)而导致的栅极破坏
不论N沟道还是P沟道MOS管,中间衬底箭头方向和寄生二极管的箭头方向总是一致的: 要么都由S指向D,要么都有D指向S。
无论是NMOS还是PMOS ,按上图方向摆正,中间的一脚为D,左边为G,右边为S。 或者这么记:单独的一脚为D,逆时针转DGS。
我们在使用外接电源类产品时,可能会因一时疏忽将将电源线接反,导致产品被烧坏。从产品的设计角度来讲,如果把电源做成防反接的,那就大大提高了产品的人性化设计...
MOS管可以通过多种测试方法来测试其质量。其中,最常用的测试方法包括电容测试、电阻测试、绝缘测试、耐压测试和热阻测试等。此外,还可以通过检查MOS管的外...
一般主板上使用最多的是增强型的 MOS 管,NMOS 最多,一般用在信号控制方面;其次是 PMOS,PMOS 用在电源开关等方面,耗尽型几乎不用。
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