碳化硅二极管是一种由碳化硅材料制成的半导体器件,它具有较高的强度、轻量、耐磨性和耐腐蚀性。
2023-02-15 15:21:4022 碳化硅二极管是一种由碳化硅材料制成的半导体器件,它具有较高的强度、轻量、耐磨性和耐腐蚀性。碳化硅二极管的工作原理是,当电压通过碳化硅二极管时,电子会从N极流向P极,从而产生电流。碳化硅二极管可以用于汽车电子控制系统,以及其他电子设备中,用于控制电流和电压。
2023-02-15 15:13:4220 碳化硅二极管是用碳化硅为原料制作而成的二极管。碳化硅二极管,号称反向恢复时间为零,是高效PFC boost电路的专用升压二极管。以碳化硅二极管为代表的第三代半导体材料的发展开始受到重视,并在智能
2023-02-10 17:45:17154 碳化硅二极管具有较短的恢复時间、溫度针对电源开关个人行为的危害较小、规范操作温度范畴为-55℃到175℃,那样更平稳,还大幅度降低热管散热器的要求。碳化硅二极管的关键优点取决于它具有极快的电源开关速率且无反向恢复电流量,与硅元器件对比,它可以大幅度降低开关损耗并完成非凡的能耗等级。
2023-02-09 10:05:5271 碳化硅二极管是单极器件,因此与传统的硅快速恢复二极管(硅FRD)相比,碳化硅二极管具有理想的反向恢复特性。当器件从正向切换到反向阻断方向时,几乎没有反向恢复功率,反向恢复时间小于20ns,甚至600V10A碳化硅二极管的反向恢复时间也小于10ns。
2023-02-08 17:23:23191 高技术耐火原料中,碳化硅为应用最广泛、最经济的一种,可以称为金钢砂或耐火砂。 碳化硅基于SiC的肖特基二极管具有高能效、高功率密度、小尺寸和高可靠性,可以在电力电子技术领域打破硅的极限,成为新能源及电力电子的首选器件。 碳
2023-02-05 16:34:59678 ) 第一代半导体材料以传统的硅(Si)和锗(Ge)为代表,是集成电路制造的基 础,广泛应用于低压、低频、低功率的晶体管和探测器中,90%以上的半导体产品 是用硅基材料制作的; 2) 第二代半导体材料以砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)和磷化镓
2023-02-03 15:25:161006 使用PFC电路来修正功率因数。引入功率因数校正,需使用二极管整流。由于目前的PFC电路中大部分使用氮化镓开关管,开关频率达到百kHz级别,传统的快恢复二极管无法满足氮化镓的高开关频率,所以引入碳化硅二极管用于高频PFC整流。
2023-02-03 13:51:5963 今天鑫环电子就为大家讲解一下碳化硅二极管的应用领域及优势。 一、太阳能逆变器。 碳化硅二极管是太阳能发电用二极管的基本原材料,碳化硅二极管在各项技术指标上都优于普通双极二极管技术。碳化硅二极管
2022-12-14 11:30:200 一旦硅开始达不到电路需求,碳化硅和氮化镓就作为潜在的替代半导体材料浮出水面。与单独的硅相比,这两种化合物都能够承受更高的电压、更高的频率和更复杂的电子产品。这些因素可能导致碳化硅和氮化镓在整个电子市场上得到更广泛的采用。
2022-12-13 10:01:351612 氮化镓晶体管和碳化硅 MOSFET是近两三年来新兴的功率半导体,相比于传统的硅材料功率半导体,他们都具有许多非常优异的特性:耐压高,导通电阻小,寄生参数小等。他们也有各自与众不同的特性:氮化镓晶体管
2022-11-02 16:13:06787 碳化硅MOSFET开关频率到100Hz为什么波形还变差了
2015-06-01 15:38:39
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2022-08-30 09:40:440 碳化硅肖特基功率二极管G4S06515AT产品规格书免费下载。
2022-08-30 09:30:450 二次侧整流二极管通常使用FRD(快速恢复二极管)和SBD(肖特基势垒二极管)等,本文提到的基本半导体碳化硅肖特基二极管B1D30120HC基本没有开关损耗,而且VF具有正向温度系数,有利于提高车载充电机实际的效率。
2022-07-26 14:43:34418 在高端应用领域,碳化硅MOSFET已经逐渐取代硅基IGBT。以碳化硅、氮化镓领衔的宽禁带半导体发展迅猛,被认为是有可能实现换道超车的领域。
2022-07-06 12:49:16700 7.4结势垒肖特基(JBS)二极管与混合pin肖特基(MPS)二极管第7章单极型和双极型功率二极管《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容:7.3.4电流-电压关系∈《碳化硅技术
2022-02-15 01:07:4541 7.3.2“i”区中的载流子浓度7.3pn与pin结型二极管第7章单极型和双极型功率二极管《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容:7.3.1大注入与双极扩散方程∈《碳化硅技术
2022-02-14 01:15:159 7.3.3“i”区的电势下降7.3pn与pin结型二极管第7章单极型和双极型功率二极管《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容:7.3.2“i”区中的载流子浓度∈《碳化硅技术基本原理
2022-02-14 01:12:3110 7.3.1大注入与双极扩散方程7.3pn与pin结型二极管第7章单极型和双极型功率二极管《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容:7.3pn与pin结型二极管∈《碳化硅技术基本原理
2022-02-11 01:08:4913 7.3pn与pin结型二极管第7章单极型和双极型功率二极管《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容:7.2肖特基势磊二极管(SBD)∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和
2022-02-10 01:08:5714 7.2肖特基势磊二极管(SBD)第7章单极型和双极型功率二极管《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容:7.1.3双极型功率器件优值系数∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和
2022-02-09 01:07:0116 基本半导体是国内比较早涉及第三代半导体碳化硅功率器件研发的企业,率先推出了碳化硅肖特基二极管、碳化硅MOSFET等器件,为业界熟知,并得到广泛应用。在11月27日举行的2021基本创新日活动中
2021-11-29 14:54:086568 当下,随着USB-PD快充技术的普及和氮化镓技术的成熟,大功率快充电源市场逐渐兴起,碳化硅二极管也开始在消费类电源市场中崭露头角,被部分100W大功率氮化镓快充产品选用。 碳化硅(SiC)是第三代宽
2021-08-20 09:23:533552 领域商用的大门。 图1:SMBF封装碳化硅肖特基二极管 针对PD快充“小轻薄”的特点,碳化硅功率器件领先企业基本半导体在国内率先推出SMBF封装碳化硅肖特基二极管,该产品具有体积小、正向导通压低和抗浪涌能力强等特点,能很好地满足PD快充对器件
2021-04-19 11:37:022242 氮化镓+碳化硅PD 方案的批量与国产氮化镓和碳化硅SIC技术成熟密不可分,据悉采用碳化硅SIC做PFC管的方案产品体积更小,散热更好,效率比超快恢复管提高2个百分点以上。
2021-04-01 09:23:261178 碳化硅肖特基二极管的优点 碳化硅SiC的能带间隔为硅的2.8倍(宽禁带),达到3.09电子伏特。其绝缘击穿场强为硅的5.3倍,高达3.2MV/cm.,其导热率是硅的3.3倍,为49w/cm.k
2021-01-13 09:42:411403 碳化硅肖特基二极管(SiCSBD)是一种单极型器件,采用结势垒肖特基二极管结构(JBS),因此相比于传统的硅快恢复二极管(SiFRD),碳化硅肖特基二极管具有理想的反向恢复特性。可以有效降低反向漏电
2020-11-17 15:55:055314 碳化硅材料半导体,虽然随着技术的发展,目前碳化硅成本下降很多,但是据市场价格表现同类型的硅材料与碳化硅材料的半导体器件价格相差十倍有余。碳化硅单晶体可以制作晶体管(二极管和三极管)。因为碳化硅的禁
2020-07-10 11:20:061658 碳化硅MOSFET寄生体二极管具有极小的反向恢复时间trr和反向恢复电荷Qrr。如图所示,同一额定电流900V的器件,碳化硅MOSFET 寄生二极管反向电荷只有同等电压规格硅基MOSFET的5
2019-04-28 15:11:499049 因为本征载流子激发导致器件性能失效。碳化硅材料在发生雪崩击穿前所能够忍受的极限电场是硅材料和砷化镓(GaAs)的5~20倍12。这一高极限电场可以用来制造高压、大功率器件。 大功率碳化硅二极管
2018-11-20 15:28:071130 的重要补充,也是Littelfuse公司已发布的1200V碳化硅MOSFET和肖特基二极管的强有力补充。最终用户将受益于更加紧凑节能的系统以及潜在更低的总体拥有成本。
2018-10-23 11:34:375168 近年来,以碳化硅、氮化镓材料为代表的第三代宽禁带功率半导体器件越来越受到客户的追捧。特别是碳化硅材料的MOSFET、肖特基二极管,以其宽带隙,高电场强度,良好散热特性,以及高可靠性等特点,为客户
2018-09-24 09:13:006855 1.1 碳化硅和氮化镓器件的介绍, 应用及优势
2018-08-17 02:33:005784 相比硅二极管,GEN2碳化硅肖特基二极管可显著降低开关损耗,并大幅提高电力电子系统的效率和可靠性。
2018-07-06 15:11:354102 2018年6月5日 —推动高能效创新的安森美半导体 (ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ON),发布了碳化硅 (SiC) 肖特基二极管的扩展系列,包括专门用于要求严苛的汽车应用的器件。
2018-06-21 16:08:423478
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