半导体材料是信息技术产业的基石,Ga2O3、金刚石等超宽禁带半导体,GaN、SiC等宽禁带半导体前景广阔。
2023-08-07 14:39:40225 为代表的宽禁带功率半导体在光伏风能发电、储能、大数据、5G通信、新能源汽车等领域或将迎来前所未有的黄金发展期。如何促进宽禁带半导体在集成电路领域的融合创新?如何提
2023-06-30 10:08:30290 第95期什么是宽禁带半导体?半导体迄今为止共经历了三个发展阶段:第一代半导体以硅(Si)、锗(Ge)为代表;第二代半导体以砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)等化合物为代表;第三代半导体是以碳化硅
2023-05-06 10:31:46769 )为主的宽禁带半导体材料,具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子密度、高迁移率、可承受大功率等特点。
2023-05-05 17:46:222789 郝跃院士长期从事新型宽禁带半导体材料和器件、微纳米半导体器件与高可靠集成电路等方面的科学研究与人才培养。在氮化镓∕碳化硅第三代(宽禁带)半导体功能材料和微波器件、半导体短波长光电材料与器件研究和推广、微纳米CMOS器件可靠性与失效机理研究等方面取得了系统的创新成果。
2023-04-26 10:21:32466 领域的性能方面表现不佳,但还有性价
比助其占据市场。第二代半导体以砷化镓(GaAs)、锑化铟(InSb)、磷化铟(InP)为代表,主要应用领域为光电子、微电
子、微波功率器件等。第三代半导体以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氧化锌(ZnO)、金
2023-02-27 15:20:112 作者 | 薛定谔的咸鱼 第三代半导体 主要是指氮化镓和碳化硅、氧化锌、氧化铝、金刚石等宽禁带半导体,它们通常都具有高击穿电场、高热导率、高迁移率、高饱和电子速度、高电子密度、可承受大功率等特点
2023-02-27 15:19:2910 第三代宽禁带半导体材料广泛应用于各个领域,包括电力电子、新能源汽车、光伏、机车牵引、微波通信器件等。因为突破了第一代和第二代半导体材料的发展瓶颈,受到了业界的青睐。
2023-02-23 17:59:481173 氮化镓是一种具有较大禁带宽度的半导体,属于所谓宽禁带半导体之列。它是微波功率晶体管的优良材料,也是蓝色光发光器件中的一种具有重要应用价值的半导体。
2023-02-14 16:47:08418 金刚石半导体前景 金刚石作为绝佳的宽禁带半导体材料的同时还集力学、热学、声学、光学、电学等优异性能于一身, 这使其在高新科技尖端领域中, 特别是电子技术中得到广泛关注, 被公认为是最具前景的新型
2023-02-07 14:13:161275 在这种情况下,第三代化合物半导体材料——碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等材料进入了大众的视线。与前两代半导体材料相比,宽禁带半导体材料因其在禁带宽度和击穿场强等方面的优势以及耐高温、耐腐蚀、抗辐射等特点
2023-02-03 11:09:46932 半导体,通常指硅基的半导体材料,这类材料可以通过掺杂产生富电子及富空穴的区域(自行修读半导体物理),而在外部电场的影响下,能使材料表现出导通电流和非导通电流的状态,从而实现逻辑功能或0/1控制。
2023-02-02 15:22:591051 宽禁带半导体泛指室温下带隙宽度E~g~大于等于2.3eV的半导体材料,是继GaAs、InP之后的第三代半导体材料。半导体材料的禁带宽度越大,对应电子跃迁导带能量越大,从而材料能够承受更高的温度和电压。
2023-02-02 15:13:583264 在这种情况下,第三代化合物半导体材料——碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等材料进入了大众的视线。与前两代半导体材料相比,宽禁带半导体材料因其在禁带宽度和击穿场强等方面的优势以及耐高温、耐腐蚀、抗辐射等特点
2023-02-01 14:39:43269 宽禁带半导体,指的是价带和导带之间的能量偏差(带隙)大,决定了电子从价带跃迁到导带所需要的能量。更宽的带隙允许器件能够在更高的电压、温度和频率下工作。
2022-12-19 17:59:031231 2022年12月15日上午 10:30-11:30力科将带来《解析宽禁带功率半导体测试中的探头选择难题》直播会议!欢迎企业、工程师积极报名! 以碳化硅与氮化镓为代表的第三代宽禁带半导体材料,它们具有
2022-12-09 14:29:42682 随着硅基电子器件逐渐接近其理论极限值,近年来对宽禁带、超宽禁带半导体材料的研究成为国际竞争的新热点。氮化镓、碳化硅和氧化锌等都是宽带隙半导体材料,因为它的禁带宽度都在3个电子伏以上,在室温下不可能将价带电子激发到导带。
2022-12-01 16:15:10503 碳化硅(SiC)是目前发展最成熟的宽禁带半导体材料,世界各国对SiC的研究非常重视,纷纷投入大量的人力物力积极发展,美国、欧洲、日本等不仅从国家层面上制定了相应的研究规划,而且一些国际电子业巨头也都投入巨资发展碳化硅半导体器件。
2022-11-29 09:10:39587 随着宽禁带半导体材料成本得到明显下降,其应用情况将会发生明显变化。 编者按: 近年来,以氮化镓和碳化硅两种主要新材料为代表的宽禁带半导体,展示出高频、高压、高温等独特的性能优势,迎来新的发展机遇
2022-10-28 11:04:34540 新的1 GHz探头、12位高精度示波器和测试软件相结合,为宽禁带半导体测试提高测量精度
2022-09-30 14:29:28631 第四代半导体我们其实叫超禁带半导体,它分两个方向,一是超窄禁带,禁带宽度(指被束缚的价电子产生本征激发所需要的最小能量)在零点几电子伏特(eV),比超窄禁带更窄的材料便称为导体;
2022-08-22 11:10:3912507 效率的替代品:碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN)。 这些高度创新的材料属于宽带隙 (WBG) 半导体系列。WBG 非凡的物理和电气特性使这些材料非常适合满足高频电源应用的性能需求,包括极端功率和工作温度以及对以紧凑外形实现更快、高效、
2022-08-08 10:16:49758 电动汽车和混合动力电动汽车的制造商正在为多个动力总成阶段寻找高效的功率转换解决方案。宽带隙半导体,如碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN),在几个方面比硅具有性能优势:更高的效率和开关频率,以及
2022-08-05 17:10:02393 对电子设备的需求激增正在推动半导体行业多个领域的增长。制造商通过使用非传统产品和应用程序添加差异化服务来寻求竞争优势。这一趋势的受益者是宽带隙 (WBG) 半导体,由于一系列应用程序供应商的兴趣激增,它经历了更新。
2022-08-05 14:39:171109 宽禁带材料是指禁带宽度大于2.3eV的半导体材料,以Ⅲ-Ⅴ族材料,SiC等最为常见。随着电子电力的发展,功率器件的使用越来越多,SiC、GaN等被广泛应用于射频与超高压等领域。
2022-08-02 17:22:12690 金秋10月,Bodo's宽禁带半导体论坛惊艳亮相深圳ESSHOW 2021年,特斯拉创纪录出货量助碳化硅达到了10亿美元市场规模;比亚迪“汉”和现代Ioniq-5也都因搭载高性能碳化硅模块受益于快速
2022-07-29 15:49:29560 在高端应用领域,碳化硅MOSFET已经逐渐取代硅基IGBT。以碳化硅、氮化镓领衔的宽禁带半导体发展迅猛,被认为是有可能实现换道超车的领域。
2022-07-06 12:49:16922 对于宽禁带半导体行业目前概况,吕凌志博士直言,宽禁带半导体行业主要有衬底、外延、器件三大段,由于每部分的物态形式、设备控制都不一样,要想做好这个行业的MES软件,就必须要理解每一段的工艺特性、管控重点。
2022-07-05 12:44:532604 活动预告今天下午晚4点(北京时间),英飞凌将于线上举办“工业宽禁带半导体开发者论坛”。活动将持续6个小时,更有英飞凌总部资深专家从技术和应用角度深度解析宽禁带半导体,与大家共同迎接新器件的设计挑战
2022-04-01 10:32:16417 SIC MOSFET是新兴起的第三代半导体材料,是一种宽禁带半导体(禁带宽度>2eV,而SI禁带宽度仅为1.12eV),因其具有宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速度等特点,适用于高温、高频、大功率等应用场合。
2022-02-25 15:49:2843 英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)将显著扩大宽禁带(碳化硅和氮化镓)半导体的产能,进一步巩固和增强其在功率半导体市场的领导地位。
2022-02-21 16:47:15782 同步控制的大功率机载相控阵雷达电源设计相控阵技术以其独特功能,广泛应用于地面防御和海上防御各种雷达之中,发挥了重要作用,成为备受关注的雷达体制,如应用于机载雷达,也一定能使飞机的作战性能得到更好
2009-12-10 16:39:51
大会同期举办了面向宽禁带半导体领域的“宽禁带半导体助力碳中和发展峰会”。峰会以“创新技术应用,推动后摩尔时代发展”为主题,邀请了英诺赛科科技有限公司、苏州能讯高能半导体有限公司、苏州晶湛半导体
2021-12-23 14:06:341702 泰克科技与忱芯科技达成了全范围的战略合作联盟,双方将深度整合资源,优势互补,围绕宽禁带功率半导体测试领域开展全产业链的产品合作,为客户解决宽禁带半导体测试挑战。
2021-11-08 17:20:313706 相控阵雷达技术丛书之相控阵雷达数据处理
2021-10-18 10:25:2910 作为2021年技术热词,宽禁带总会在各大技术热文中被提起,我们在以往的文章中也笑称,宽禁带半导体是电动汽车的“宠儿”,但也有些朋友会问我们,宽禁带半导体为什么总是要和汽车一起提起呢? 说到这里,我们
2021-08-26 15:20:282222 材料性质的研究是当代材料科学的重要一环,源表SMU 在当代材料科学研究中,起到举足轻重的作用,吉时利源表SMU在许多学科工程师和科学家中享有盛誉,以其优异的性能为当代材料科学研究提供多种测试方案,今天安泰测试就给大家分享一下吉时利源表在宽禁带材料测试的应用方案。
2021-08-20 11:17:47279 理工大学等纯研究机构。 几年来,这些单位的规划总投资已经超过300亿元,总产能超过180万片/年。专家预计,2022年,此类产品成本逐步下降之后,国内产品有望实现部分国产替代。 宽禁带(WBG)半导体包括碳化硅还有氮化镓(GaN),其启蒙阶段的“顶流
2021-06-08 15:29:091338 的角度来看,这将具有现实意义。宽禁带(WBG)半导体技术的出现将有望在实现新的电机能效和外形尺寸基准方面发挥重要作用。
2021-05-01 09:56:001843 器件性能的限制被认识得越来越清晰。实现低导通电阻的方法是提高材料的临界击穿电场,也就是选择宽禁带的半导体材料。
2021-03-01 16:12:0022 碳化硅(SiC)是第三代半导体材料的典型代表,也是目前晶体生长技术和器件制造水平最成熟,应用最广泛的宽禁带半导体材料之一,是高温,高频,抗辐照,大功率应用场合下极为理想的半导体材料。文章结合美国国防
2021-02-01 11:28:4628 Cree Wolfspeed与泰克共同应对宽禁带半导体器件的挑战,共同促进宽禁带半导体行业的发展。
2020-12-21 15:48:57757 第三代半导体指禁带宽度大于2.2eV的半导体材料,也称为宽禁带半导体材料。半导体材料共经历了三个发展阶段:第一阶段是以硅(Si)、锗(Ge)为代表的第一代半导体材料;
2020-11-06 17:20:403674 第三代宽禁带半导体器件 GaN 和 SiC 的出现,推动着功率电子行业发生颠覆式变革。新型开关器件既能实现低开关损耗,又能处理超高速 dv/dt 转换,且支持超快速开关切换频率,带来的测试挑战也成了
2020-10-30 03:52:11237 基于新兴GaN和SiC宽禁带技术的新型半导体产品,有望实现更快的开关速度,更宽的温度范围,更好的功率效率,以及其他更多增强功能。
2020-10-23 11:03:26805 宽禁带材料实现了较当前硅基技术的飞跃。它们的大带隙导致较高的介电击穿,从而降低了导通电阻(RSP)。更高的电子饱和速度支持高频设计和工作,降低的漏电流和更好的导热性有助于高温下的工作。 安森美半导体
2020-10-10 10:35:223187 什么是相控阵天气雷达?江艳军向经济日报记者介绍,大兴机场的相控阵天气雷达,是C波段全数字有源相控阵天气雷达,也是世界上首部在民用领域业务化的C波段相控阵雷达,具有高时空分辨力,空间分辨率达到150米,实现了对气象目标的精细化、快速化观测。
2020-09-22 10:55:446983 作为半导体材料“霸主“的Si,其性能似乎已经发展到了一个极限,而此时以SiC和GaN为主的宽禁带半导体经过一段时间的积累也正在变得很普及。
2020-09-11 10:51:1010103 碳化硅,作为发展的最成熟的第三代半导体材料,其宽禁带,高临界击穿电场等优势,是制造高压高温功率半导体器件的优质半导体材料。
2020-09-02 11:56:351301 作为半导体材料“霸主“的Si,其性能似乎已经发展到了一个极限,而此时以SiC和GaN为主的宽禁带半导体经过一段时间的积累也正在变得很普及。所以,出现了以Si基器件为主导,SiC和GaN为"游击"形式存在的局面。
2020-08-27 16:26:009464 在材料方面,除了硅基,第三代宽禁带半导体是这几年的热门技术,我国除了在硅基方面进行追赶外,在第三代半导体方面也做了很多投入,有了不少的创新研究。国家总共投资了4亿元来建设宽禁带半导体器件与集成电路国家工程研究中心,这个工程研究中心不仅仅承载着解决技术的问题,我们还承载着一些对原创性技术的布局。
2020-08-17 09:05:5617876 资料显示,英诺赛科宽禁带半导体项目总投资68.55亿元人民币,注册资本20亿元,占地368.6亩,主要建设从器件设计,驱动IC设计开发,材料制造,器件制备,后段高端封测以及模块加工的全产业链宽禁带
2020-07-06 08:54:55793 半导体提供围绕宽禁带方案的独一无二的生态系统,包含从旨在提高强固性和速度的碳化硅(SiC)二极管、SiC MOSFET到 SiC MOSFET的高端IC门极驱动器。 除了硬件以外,我们还提供spice物理模型,帮助设计人员在仿真中实现其应用性能,缩短昂贵的测试
2020-05-28 09:58:591181 击穿场强、高饱和电子漂移速率、化学性能稳定以及抗辐射等优点, 特别适合制造高温、高频、高功率和抗辐射的功率器件。用宽禁带半导体制成的高温、高频和大功率微波器件可以明显改善雷达、电子对抗系统以及通信系统等
2020-01-19 17:22:001197 第三代半导体,又称宽禁带半导体,是以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)为代表的半导体材料,具备高压、高温、高频大功率等特性。
2019-06-21 10:29:317276 5月16日上午,济南宽禁带半导体产业小镇起步区项目开工活动在济南槐荫经济开发区举行。宽禁带半导体产业小镇位于济南槐荫经济开发区的,紧邻西客站片区和济南国际医学中心,是济南实施北跨发展和新旧动能转换
2019-05-17 17:18:523513 如典型的宽禁带SiC器件,NTHL080N120SC1和NVHL080N120SC1结合高功率密度及高能效工作。由于器件的更小占位,可显著降低运行成本和整体系统尺寸。典型的宽禁带半导体特性,尤其是
2019-04-03 15:46:094084 现代电子技术偏爱高压,转向宽禁带半导体的高压系统,是因为:首先,高压意味着低电流,这也意味着系统所用的铜总量会减少,结果会直接影响到系统成本的降低;其次,宽禁带技术(通过高压实现)的阻性损耗
2018-12-13 16:58:305035 近日,2018中国宽禁带功率半导体及应用产业发展峰会在济南召开。会上,国家主管部门领导与技术专家、金融投资机构、知名企业负责人等共同研讨宽禁带功率半导体产业工艺和产业链建设,为技术协同以及产业、资本的对接提供了良好的交流互动平台。
2018-12-10 14:24:253172 “宽禁带半导体就像一个小孩,还没长好就被拉到市场上去应用。”中科院院士、中科院半导体所研究员夏建白打的比方引起不少与会专家的共鸣。
2018-11-12 14:40:323286 第三代宽禁带半导体材料被广泛应用在各个领域,包括电力电子,新能源汽车,光伏,机车牵引,以及微波通讯器件等,由于它突破第一、二代半导体材料的发展瓶颈,被业界一直看好。
2018-10-10 16:57:4036650 一般的半导体衬底都有击穿电压,一旦电压超过限度,器件就要损坏。它也对应了一个电子漂移速率,这是其材料的自由电子脱离原电子轨道和结合新电子轨道的速率决定的。脱离的难易程度叫做禁带宽度,禁带越宽,相应的击穿电压就越大,器件最大输出功率也更大,电路开关响应速率就更快,可以做更高频率的微波器件。
2018-09-03 14:43:166448 宽禁带功率半导体的研发与应用日益受到重视,其中碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)以高效的光电转化能力、优良的高频功率特性、高温性能稳定和低能量损耗等优势,成为支撑信息、能源、交通、先进制造、国防等领域发展的重点新材料。
2018-08-09 16:59:444513 宽禁带功率半导体的研发与应用日益受到重视,其中碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)以高效的光电转化能力、优良的高频功率特性、高温性能稳定和低能量损耗等优势,成为支撑信息、能源、交通、先进制造、国防等领域发展的重点新材料。
2018-08-06 11:55:007745 氮化物宽禁带半导体在微波功率器件和电力电子器件方面已经展现出巨大的应用前景,而AlGaN沟道HEMT器件是一种适宜更高电压应用的新型氮化物电力电子器件。但是,材料结晶质量差和电学性能低,是限制
2018-07-26 09:09:00681 “在全省新旧动能转换重点工程十强产业和济南市十大千亿级产业中,新材料产业是其中的重点,而宽禁带半导体产业又是新材料产业中的核心产业之一,它的应用领域十分广泛,据国内外权威机构预测,到2025年,全球
2018-07-23 15:40:00646 行业标准的收紧和政府法规的改变是提高产品能效的关键推动因素。碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN) 是宽禁带材料,提供下一代功率器件的基础,具有比硅更佳的特性和性能。
2018-07-21 08:04:515721 6月23日,英诺赛科宽禁带半导体项目在苏州市吴江区举行开工仪式。据悉,该项目总投资60亿,占地368亩,建成后将成为世界一流的集研发、设计、外延生产、芯片制造、分装测试等于一体的第三代半导体全产业链研发生产平台,填补我国高端半导体器件的产业空白。
2018-06-25 16:54:0011020 近日,广东省“宽禁带半导体材料、功率器件及应用技术创新中心”在松山湖成立,该创新中心由广东省科技厅、东莞市政府支持及引导,易事特、中镓半导体、天域半导体、松山湖控股集团、广东风华高科股份有限公司多家行业内知名企业共同出资发起设立。
2018-06-11 01:46:0010395 12月11日,中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟(以下简称“宽禁带联盟”)团体标准评审会在北京市大兴区天荣街9号世农大厦3层会议室顺利召开。此次评审会包含《碳化硅单晶》等四项团体标准送审稿审定及《碳化硅混合模块产品检测方法》等四项团体标准草案讨论两部分内容。
2017-12-13 09:05:513604 相控阵雷达又称作相位阵列雷达,是一种以改变雷达波相位来改变波束方向的雷达,因为是以电子方式控制波束而非传统的机械转动天线面方式,故又称电子扫描雷达。
2017-12-01 16:45:5967809 宽禁带半导体材料氮化镓(GaN)以其良好的物理化学和电学性能成为继第一代元素半导体硅(Si)和第二代化合物半导体砷化镓(GaAs)、磷化镓(GaP)、磷化铟(InP)等之后迅速发展起来的第三代半导体
2017-11-25 16:19:433748 这篇文章的目的是提供一个指南,高功率SiC MESFET和GaN HEMT晶体管的热性能的克里宽禁带半导体设备的用户。
2017-06-27 08:54:1122 宽禁带半导体材料具有热导率高、击穿电场高等特点,在高频、大功率、耐高温、抗辐照的半导体器件等方面具有广泛的应用前景
2011-04-19 09:23:56877
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