| HYG065N07NS1B | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):70V;连续漏极电流(Id):100A;功率(Pd):125W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5.5mΩ@10V,40A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):52nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):2.99nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):26pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| HY1506D | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | | | | 获取价格 |
| HYG053N10NS1P | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-; | | | 获取价格 |
| HY1720P | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):200V;连续漏极电流(Id):64A;功率(Pd):263W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):32mΩ@10V,30A;阈值电压(Vgs(th)@Id):5V@250uA; | | | 获取价格 |
| HY4504P | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):250A;功率(Pd):288W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3mΩ@10V,125A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | | | 获取价格 |
| HY045N10P | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):120A;功率(Pd):221W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5mΩ@10V,50A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | | | 获取价格 |
| HYG023N04LS1P | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | | | | 获取价格 |
| HY1001D | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):70V;连续漏极电流(Id):70A;功率(Pd):75W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7.4mΩ@10V,40A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):82nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):4.2nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):220pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| HYG023N04NR1D | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):45V;连续漏极电流(Id):140A;功率(Pd):100W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.3mΩ@10V,40A; | | | 获取价格 |
| HYG028N10NS1B6 | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | MOSFETs TO263-6L N-Channel Vdss=100V Vgss=±20V Pd=300W Trr=85.1ns | | | 获取价格 |
| HY3003D | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | MOSFETs N-Channel 30V 100A TO252 67.6W 232pF -55℃~+150℃(TJ) | | | 获取价格 |
| HY4306P | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | MOSFETs N-Channel 60V 230A TO220FB-3L 258W 2.6mΩ 1µA +175℃(TJ) | | | 获取价格 |
| HYG060N08NS1D | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | MOSFETs N-沟道 80V 80A TO252 | | | 获取价格 |
| HYG011N04LS1C2 | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | | | | 获取价格 |
| HY3810B | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | HY3810B | | | 获取价格 |
| HY19P03D | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | HY19P03D | | | 获取价格 |
| HYG028N10NS1B | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | HYG028N10NS1B | | | 获取价格 |
| HYG350P13NA1B | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | | | | 获取价格 |
| HY4903B | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):290A;功率(Pd):214W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2mΩ@10V,145A; | | | 获取价格 |
| HY3906B | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):190A;功率(Pd):220W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4mΩ@10V,95A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | | | 获取价格 |
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