EMI Serial SRAM是为串行接口的SRAM，外扩SRAM可以通过使用SPI的接口来将外部RAM添加到几乎所有应用中。串行访问的静态随机存取存储器采用先进的CMOS技术进行设计和制造，以提供高速性能和低功耗。
2023-04-27 17:37:44
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异步sram测试verilog代码是个很好的参考程序。
2013-01-13 10:24:30
IS61LV25616AL是ISSI公司的一款容量为256Kx 16bits的且引脚功能完全兼容的4Mb的异步SRAM。也是一款大容量且存储时间相对较短的存储器。对其控制要求相对简单。 由一个高速、4,194,304 位的静态RAM,可组成262,144个字(16位)。
2022-11-25 14:11:571917 
DS10262_超低功耗 32 位 MCU 基于 Arm® 的 Cortex®-M3、256KB 闪存、32KB SRAM、8KB EEPROM、LCD、USB、ADC、DAC
2022-11-23 08:32:09
0 DS13737 超低功耗Arm® Cortex®-M33 32位MCU+TrustZone®+FPU，240 DMIPS，2MB闪存，786 KB SRAM
2022-11-23 08:28:010 。对于应用来说，在空闲的时候，可以将其时钟关闭以节省动态功耗，或小部分电路以低速低功耗的方式运行，SRAM的读写动态功耗相当可观，因此应该尽量减少读写SRAM。瑞纳
2022-10-08 16:40:40253 
采用低功耗设计的像素信号读出电路阵列，降低了图像传感器芯片的整体功耗。研制出1000帧每秒高速低功耗CMOS图像传感芯片，发表相关方向学术论文100余篇，申请发明专利50余项。
2022-07-29 15:00:281136 。 JSC 代理英尚微介绍一款32Mb的PSRAM芯片-JS7324SU16BSP-70LFI JS7324SU16BSP-70LFI 是33,554,432位的Pseudo SRAM，由2,097,152个字x16位组成。它使用DRAM类型的存储单元，但该器件具有免刷新操作
2022-06-29 16:59:332738 当前有两个不同系列的异步SRAM：快速SRAM(支持高速存取)和低功耗SRAM(低功耗)。从技术角度看来，这种权衡是合理的。在低功耗SRAM中，通...
2022-02-07 12:37:562 英尚微电子推出采用先进的全CMOS工艺技术制造的异步高速SRAM芯片STR25616B-15I ,该器件选用44引脚的TSOP芯片级封装，优点是方便客户在产...
2022-02-07 11:21:281 快速异步型SRAM，存取时间为35ns（或更短）的异步型SRAM可被归类为“快速”异步型SRAM。 国产SRAM芯片EMI516NF16LM-10I是容量16Mbit异步快速随机静态存储器，位宽8
2022-01-07 16:43:331312 的不断提升，存储器占据芯片的功耗比例越来越大，高速低功耗的SRAM设计变得越来越重要。 ISSI IS62WV12816DBLL-55TI是高速2M位静态RAM，位宽为16x128K字。它采用ISSI的高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，可产生高性
2021-12-21 16:34:39925 快速异步型SRAM，存取时间为35ns（或更短）的异步型SRAM可被归类为“快速”异步型 SRAM 。这些存储器通常应用于老式系统中，且功耗较高。其典型应用包括老式PC L2高速缓冲存储器、高速
2021-12-21 15:49:53846 
LPR(low-power regulator)CPU 处于运行转发太在低功耗模式下程序在 SRAM 执行情况下，Flash 可以被断电SRAM1 SRAM2 可以独立的开启或关闭除了 PLL 以外的时钟都正常开启USB_FS RNG 不能使用运行模式无需唤醒功耗 94uA/MHZ调压器在
2021-12-07 18:36:104 静态存储SRAM芯片包含业界多样的异步低功耗SRAM。而带有ECC的异步SRAM适用于各种要求最高可靠性和性能标准的工业，医疗，商业，汽车和军事应用。快速SRAM是诸如交换机和路由器，IP电话，测试设备和汽车电子产品之类的网络应用的理想选择。
2021-10-11 16:33:1112203 （异步SRAM）、Sync SRAM （同步SRAM）等。下面我司介绍一款4Mbit异步低功耗国产SRAM芯片EMI504HL08PM-55I。
2021-09-22 15:48:251793 ISSI公司主要产品是高速低功耗SRAM和中低密度DRAM存储芯片。还设计和销售NOR闪存产品以及高性能模拟和混合信号集成电路。主要是应用在汽车、通信、数字消费以及工业和医疗市场的设计、开发和销售高性能集成电路的技术领导者。
2021-08-24 17:25:57561 的不断提升，存储器占据芯片的功耗比例越来越大，高速低功耗的SRAM设计变得越来越重要。下面EMI代理英尚微介绍一款EMI504NL16LM-55IT国产低功耗SRAM兼容
2021-06-08 16:49:321696 美国ISSI公司是为汽车和通信，数字消费者以及工业和医疗主要市场设计开发高性能集成电路的技术领导者。主要产品是高速低功耗SRAM和中低密度DRAM。近年来对精密半导体存储器的需求已从个人计算机市场
2021-04-08 15:44:021424 
的接口跟SDRAM不同，不需要SDRAM那样复杂的控制器和刷新机制，PSRAM的接口跟SRAM的接口是一样的。PSRAM 内部自带刷新机制。 PSRAM容量有4Mb，8Mb，16Mb，32Mb，64Mb
2021-04-08 15:26:598538 出高性能和低功耗的设备。 当CS＃为高电平（取消选择）时，器件将进入待机模式，在该模式下，可以通过CMOS输入电平降低功耗。通过使用芯片使能和OutputEnable输入，可以轻松扩展存储器。激活的LOWWriteEnable（WE＃）控制存储器的写入和读取。数据字节允许访问高字节（UB＃）和低字节（LB＃）。 IS6
2021-03-19 16:25:51643 在过去的几十年中，SRAM领域已划分为两个不同的产品系列-快速和低功耗，每个产品都有自己的功能，应用程序和价格。使用SRAM的设备需要它的高速性或低功耗性，但不能同时兼顾两者。但是人们越来越需要具有
2020-09-24 16:23:23392 CYPRESS的异步SRAM产品包含业界最多样的异步低功耗SRAM产品组合，密度范围从64Kb至64Mb。MoBL SRAM提供业界标准电压、总线宽度及封装选项。 此装置提供领先业界的待机功率消耗
2020-08-24 17:29:471514 
IS61LV25616AL是ISSI公司的一款容量为256Kx 16bits的且引脚功能完全兼容的4Mb的异步SRAM。也是一款大容量且存储时间相对较短的存储器。对其控制要求相对简单。 由一个高速
2020-08-03 15:39:464999 
美国ISSI存储器公司的主要产品是高速低功耗SRAM芯片和中低密度DRAM芯片。该公司还设计和销售NOR闪存存储器产品以及高性能模拟和混合信号集成电路。近年来对复杂半导体存储器的需求已从个人计算机
2020-07-11 10:44:36816 
的 MB85R2001和MB85R2002具有非易失性存储器，具有高速数据写入，低功耗和提供大量写入周期的能力。 框图 MB85R2001和MB85R2002 F
2020-06-28 16:04:16683 美国ISSI主要产品是高速低功耗SRAM和中低密度DRAM。主要为汽车，通信，数字消费者以及工业和医疗等市场提供存储器产品。IS62WV102416DBLL是超低功耗CMOS 16Mbit静态RAM
2020-05-28 15:30:26811 当今世界环境保护已蔚然成风，力求节约能源，因此强烈要求电子系统低功耗化和低电压化。而且由于制造SRAM的半导体工艺精细化，SRAM要求低电压供电。因而近年来研究低电压供电技术活动十分活跃。在高速
2020-05-27 15:40:27676 ISSI IS61WV25616EDALL是高速，低功耗4M位SRAM，组织为256K字乘16位。它使用ISSI的高性能CMOS技术制造，并实现了ECC功能以提高可靠性。 当CS＃为高电平（取消选择
2020-05-19 09:17:251797 推出采用先进的全CMOS工艺技术制造的异步高速SRAM芯片STR25616B-15I ,该器件选用44引脚的TSOP芯片级封装，优点是方便客户在产品的整体设计中使用该款SRAM芯片
2020-05-06 15:50:071180 ISSI IS61/64WV5128EDBLL描述 ISSI IS61/64WV5128EDBLL是高速异步SRAM，4,194,304位静态RAM，组织为524,288字乘8位，采用ISSI
2020-04-03 16:40:04971 静态随机访问存储器（SRAM）最初作为CPU与内存之间的缓存。近年来已广泛应用于高性能通信网络、便携式设备以及SOC系统中，呈现出向高速器件与低功耗性能方向发展的趋势。因此，设计高速低功耗的SRAM
2020-01-01 17:18:006202 
扩展性于一体。主频528MHz，SRAM 512 KB(TCM)，SDRAM 16MB/32MB，QSPI-Nor Flash 4MB/16MB 。
2019-12-03 15:54:015915 
，SRAM 512 KB(TCM)，SDRAM 16MB/32MB，QSPI-Nor Flash 4MB/16MB 。
2019-11-21 10:08:502264 
FSD 芯片的另一个卖点是 32MB 的SRAM缓存，32MB 也许听起来小的可怜，但这是 SRAM——SRAM 一般被应用在处理芯片的 1-3 级缓存上，你可以简单地将它理解为比运行内存速度快很多，同时成本也高很多的存储芯片。
2019-04-25 17:30:112861 32mb串行闪存133mhz多I/O SPI和四I/O QPI DTR接口数据手册
2018-01-30 14:37:5020 PSoC3 UDB的异步SRAM读写控制
2017-10-30 15:21:238 异步SRAM产品分为快速与低功耗两个极为不同的产品类型，每个系列都具有其自己的一系列特性、应用和价格。快速异步SRAM具有更快的存取速度，但功耗较高；低功耗SRAM功耗低，但存取速度慢。 从技术角度
2017-10-16 11:11:380 基于 PSoC3 UDB 的异步 SRAM 读写控制
2017-01-23 20:48:1615 待机电流降低50%，有助于延长备用电池使用寿命
2015-07-31 11:39:511238 静态随机存取存储器（SRAM）市场领导者赛普拉斯半导体公司日前宣布，其具有错误校正代码（ECC）的16Mb低功耗异步SRAM 已开始出样。
2014-09-11 15:14:541420 新型ADC正在朝着低功耗、高速、高分辨率的方向发展，新型流水线结构正是实现高速低功耗ADC的有效方法。而MAX1200则是采用这一新技术的高速、高精度、低功耗ADC的代表。
2012-07-09 15:04:514038 
本文介绍使用Cypress的PSoC3 UDB实现对异步SRAM的读写控制，并以CY7C1069AV33 SRAM为例介绍其软硬件设计过程。
2011-12-20 16:52:4242 设计了一种静态随机读写存储器( SRAM ) 的B iCMOS 存储单元及其外围电路。HSp ice仿真结果表明, 所设计的SRAM 电路的电源电压可低于3 V 以下, 它既保留了CMOS SRAM 低功静态存储器和便携式数
2011-08-18 17:35:0132 赛普拉斯半导体公司日前宣布推出具有 32 位总线宽度的 128 Mb、64 Mb 和 32 Mb MoBL(更长电池使用寿命)异步SRAM
2011-08-02 09:01:30692 DS1265W 8Mb非易失(NV) SRAM为8,388,608位、全静态NV SRAM，按
2010-11-07 09:37:51721 
SDRAM K4S561632C-TC75 (32MB)介绍
在信息处理中，特别是实时视频图像处理中，通常都要对实现视频图像进行处理，而这首先必须设计大容量的存储器，同步动态
2010-02-10 15:08:2469 基于DBL结构的嵌入式64kb SRAM的低功耗设计
针对嵌入式系统的低功耗要求，采用位线分割结构和存储阵列分块译码结构，完成了64 kb低功耗SRAM模块的设计。 与一般布局的
2010-01-12 10:03:47898 
高速低功耗数字光电耦合器（Avago）
Avago Technologies(安华高科技)宣布，推出二款面向油电混合动力车(HEV, Hybrid Electronic Vehicles)应用所设计的车用级高速低功耗数字CMOS光
2009-11-02 09:05:26595 K4S561632C-TC75 (32MB)接口电路图:
2009-09-14 11:09:0857
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