IGBT在控制极上加正电压可以控制导通,电压为0时可以让其关断,那么加一个反压呢?IGBT会是什么情况?
关于IGBT在控制极上加反压的情况,我们需要探讨IGBT的结构、工作原理以及反压对其产生的影响。IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)是一种晶体管,同时具备了大功率MOSFET的低导通电阻和大功率BJT的高开关速度。
IGBT结构和工作原理
IGBT由三个区域构成,分别是P区、N区和P+区。P+区与N区之间是PN结,P区和N区之间是NPN结。P区和N区之间通过P+区进行连接,形成PNP型晶体管的集电区,同时也是N型MOSFET的漏极区。P+区和N区之间通过P区进行连接,形成NBUF型MOSFET的栅极区,栅极区上面覆盖着一层氧化物膜,作为绝缘层。这种结构保持了IGBT的高输入阻抗,使得其能够轻松地控制电流。同时,IGBT结构中的P区和N区之间的形成了PNP型晶体管,使其具备了较高的开关速度。
IGBT的工作原理与MOSFET类似,通过在栅极上施加正向或反向电压来控制漏极-源极间的电流。当栅极电压为正时,电子会从源极流入漏极,形成导通状态。反之,当栅极电压为零时,电子无法通过漏极,处于封锁状态。
添加反压对IGBT的影响
如果在IGBT的控制极上加上一个反压,其电压变得负数,这时候会给晶体管带来哪些影响呢?反压是指介于控制极和正极之间的负电压,如果这个负电压足够大,就会把IGBT击穿,引发反向电流。这很可能会导致设备损坏。因此,在使用IGBT时,要避免加上过大的反压。
当反压较小时,可以将其看作是一种阻碍控制极正向电压增长的效应,使得IGBT的导通时间变慢。因此,反压会影响IGBT的开关速度和导通损耗。这对功率电子设备的性能有一定的影响,需要在设计时进行评估。
对于IGBT,它的反向击穿电压(Reverse Breakdown Voltage)是很重要的参数。这是指加在控制极和正极之间,晶体管允许的最大反向电压。如果反压超过了这个值,晶体管就会被击穿,正向电流和反向电流将同时流过晶体管,从而导致瞬间的能量损耗和热量产生。这可能导致IGBT被烧毁或损坏,因此在设计电路时需要选择具有适当反向击穿电压的IGBT,以保证电路的安全性能。
综上所述,反压对IGBT的影响不可忽视。在使用IGBT的过程中,要尽量避免添加反压过大的情况,同时在设计电路时需要注意选择具有适当反向击穿电压的IGBT,以保证其安全性能。
声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。
举报投诉
相关推荐
IGBT技术专家特约编写,仅供同行交流参考。 IGBT的结构与工作原理 图1所示为一个N 沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构, N+ 区称为源区,附于其上的电极称为源极。N+ 区称为漏区。器件
发表于 03-23 11:13
为一个N 沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构, N+ 区称为源区,附于其上的电极称为源极。N+ 区称为漏区。器件的控制区为栅区,附于其上的电极称为栅极。沟道在紧靠栅区边界形成。在漏、源之间的
发表于 06-19 11:36
IGBT导通,栅源极不加电压或者是加负压时,IGBT关断,加负压就是为了可靠关断。他没有放大电压的功能,导通时可以看做导线,断开时当做开路。IGBT有三个端子,分别是G,D,
发表于 07-09 10:19
上再并联一个电阻和二极管的串联网络,用以调节2个方向的驱动速度。 3、在IGBT的栅射极间接上Rge=10-100K 电阻,防止在未接驱动引线的情况下,偶然加主电高压,通过米勒电容烧毁
发表于 07-25 09:49
电压Ugs(th) 时,IGBT 处于关断状态。在IGBT 导通后的大部分漏极电流范围内,Id 与Ugs 呈线性关系。最高栅源电压受最大漏极电流限制,其最佳值一般取为15V 左右。IGBT 的
发表于 10-18 10:53
IGBT基本相同,其有源区在正面,包括多晶硅栅极、n+发射区和p基区,然后有源区的下面是n-漂移区,最后是集电极。当集射极之间加正电压时,由p-基区和n-漂移区形成的反偏PN结来承担外部
发表于 12-11 16:54
在-5—-15V之间,而Mosfet因为拖尾电流的特性不明显,所以建议加-2V 左右的负压。一般应用工程师所参考的等效电路为图从等效电路图中可以看出Mosfet 电路中存在
发表于 09-16 10:21
IGBT吗?今天我们就来讨论一下IGBT的关断过程,在开始之前,先抛出一个问题,大家可以考虑一下,图1展示了IGBT关断门极电阻和电压尖峰的关系:图1
发表于 02-13 16:11
IGBT的集电极电流。在文章开始,我们提出了一个问题,增加IGBT的门极关断电阻,电压尖峰反而增加?上次并没有说清楚,这次我们在深入讨论一下这个问题。图1. IGBT关断过
发表于 02-13 16:20
IGBT关断。由图2可知,若在IGBT的栅极和发射极之间加上驱动正电压,则MOSFET导通,这样PNP晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通;若IGBT的栅极和发射极之间电压为0V,则
发表于 02-24 10:56
•5次下载
IGBT就是一个开关,非通即断,如何控制他的通还是断,就是靠的是栅源极的电压,当栅源极加+12V(大于6V,一般取12V到15V)时IGBT导通,栅源极不加电压或者是加负压时,
发表于 06-05 15:43
•1.5w次阅读
加电压控制极会有电流流过吗? 晶闸管是一种电子器件,它是一种能够在高压、高电流下进行控制的开关,是现代电力控制领域的关键设备之一。晶闸管通过控制其阳极和阴极之间的电流来
发表于 09-13 16:39
•158次阅读
极组成。因其高电压和高电流开关能力,广泛应用于电力和电能控制器的控制中。 IGBT的导通和关断是通过控制门极电压来实现的。下文详细介绍IGBT的导通和关断条件,以及具体的导通和关断过程。
发表于 10-19 17:08
•116次阅读
IGBT的工作原理 IGBT一定要加负压才能关断吗?IGBT的导通和关断条件有几种? 一、IGBT的工作原理 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)即增强型
发表于 10-19 17:08
•133次阅读
IGBT模块损坏时,什么情况导致短路?什么情况导致开路? IGBT模块是一种功率模块,用于高功率电子设备控制。当IGBT模块在使用过程中遭受损坏时,可能会出现短路或开路的问题。这两种情况会对电路
发表于 10-19 17:08
•174次阅读
评论