MOSFET作为功率半导体广泛应用于汽车、家电、光伏、风电、轨交等领域,长期以来一直被国外厂商占据着大部分市场份额,受益于庞大的终端消费需求,国内终端厂商推进进口替代,骊微电子推出SVT20240NTN沟道增强型MOS管可替代IRFB4227PBF TO-220场效应管。
irfb4227场效应管替代料SVT20240NT特征
■72A,200V,RDs(on)(典型值)=19.7mΩ@Vcs=10V
■开关速度快
■低栅极电荷
■低反向传输电容
■提升了dv/dt能力
200v低压mos管SVT20240NT采用士兰微LVMOS工艺,具有优越的开关性能、很高的雪崩击穿耐量及较低的导通电阻,SVT20240NT极性、封装、导通电阻及耐压和IRFB4227PBFTO-220基本一致,IRFB4227国产替代料可用SVT20240NT代换。
irfb4227代替型号SVT20240NT关键参数
SVT20240NT是72A、200VN沟道增强型场效应管,采用TO-220-3L封装,漏极电压VDS=200V,漏极电流Tc=25℃ID=72A,导通电阻RDs(on)(典型值)=19.7mΩ@Vcs=10V,是IRFB4227国产替代料,广泛应用于功放市场、UPS电源、通信电源等不间断电源及逆变器系统的电源管理,更多进口替代料产品手册及参数,请向士兰微MOS代理骊微电子申请。>>
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