一般来讲,寻求更大生活空间的居民会放弃在市区附近生活。尽管住在市区上班方便,并能享受城市服务,但他们更愿意搬到郊区,因为那里房子更大,院子更宽敞。同样,当工程师需要大电流用于负载点(POL)设计时,他们一般会放弃高密度转换器(带集成MOSFET)的便利性,取而代之使用一个涉及控制器(带外部MOSFET)的更复杂的解决方案。控制器,与郊区环境相类似,具有相对的灵活性和经济性,但会占据更多不动产,更多的电路板空间。
直到需要电流超过10-15A的应用一般会依赖带外部MOSFET的控制器。转换器尽管设计简易,布局简单,物料清单(BOM)中部件更少,具有高可靠性的更高密度解决方案,但通常只能提供有限的电量。
诸如网络路由器、开关、企业服务器和嵌入式工业系统等应用的耗电量越来越高,需要20A、30A、40A或更多电量,以用于它们的POL设计。然而,这些应用对空间要求极为严格,很难兼容采用控制器和外部MOSFET的解决方案。问题在于,在一个需要大电流的应用中,您如何使用转换器而非控制器呢?
答案首先考虑最近在MOSFET和封装技术方面取得的进展。在一个特定的硅面积内,新一代MOSFET(诸如德州仪器的NexFET™ 电源MOSFET)具有较低的电阻率(Rdson),可提高电流能力。PowerStack™封装技术可堆叠集成电路和MOSFET,多层叠加,类似于一个市区建筑,可在特点的空间内放入更多东西。
图1:控制器集成电路和MOSFET垂直堆叠在PowerStack封装中
PowerStack封装中芯片堆叠和封装黏着的独特组合与其它并列安放 MOSFET 的解决方案相比,可实现一个尺寸更小、热性能更佳、电流能力更强、集成度更高的四方扁平无引线封装解决方案。
TPS548D22属于德州仪器高电流同步SWIFT™ DC/DC 降压转换器系列,可提供高达40A的连续电流,并采用40管脚、5mm×7mm×1.5mm stack-clipped的QFN PowerStack封装。
审核编辑:郭婷
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