43GHz EML参数与调制带宽

给了EML的实物照片，也给了DFB区的长度200μm，没有提供EA电吸收调制器的长度，而这个参数与调制带宽有非常大的相关性。

实物照片，比例是一定的。如果按照200μm的DFB长度来反推，电吸收区的长度在75-100μm之间。

EA结电容0.09pF，串联电阻2.45Ω，寄生电容比较大一些，0.2pF

仿真计算的带宽是19.8GHz，实测-3dB带宽43GHz，相当的好。

EML产业界常用对接生长，少部分是选择性生长或者是双有源层，武邮用选择性生长与双有源层结合的技术

截面量子阱，DFB区是双有源层，EA区是选择性生长，电吸收区与DFB区波长失谐为50nm，比之前看到的其他厂家数据对比，失谐范围较大，失谐太大会导致消光比不足，等光迅他们对这个EML后续的数据发布后可以对比来看ER。

对接方式生长的话，失谐范围不会互相影响，但是双有源层，在DFB区的下方是共用的吸收区量子阱，只是层厚不同，内部的应力有所区别，波长失谐范围会略增宽一些。

如果，选择对接生长的常用失谐范围10nm的话，在DFB下方会产生吸收，太原理工与光迅把失谐范围拉宽至110nm，在DFB区上有源层1310nm，下有源层1200nm（也就是1310nm波段不吸收，属于透明区），目的是降低这个结构的腔内损耗。

其次，选择了PNPN半导体BH结构的优化，把P型-InP限制层，改为掺Fe离子的半绝缘区。保留了n-Inp阻挡设计，避免金属离子互相扩散，这个设计与华为、Lumentum等厂不同，与三菱的一个结构类似。

DFB的光场，被限制在上方有源层

看图来做标定的话，有源层的宽度2μm

反推出来的两个数字，调制区的垂直发散角降低，与光纤的耦合效率会提高。

BH结构，与脊型波导相比较，限制因子较大，在传统的PNPN半导体型BH异质掩埋结构，优化到一部分半导体，一部分半绝缘的Fe-InP掩埋，可以进一步提高限制因子。

记录一下光迅EML的优化结构以及数据。

审核编辑：刘清