电子发烧友网报道(文/梁浩斌)3月初特斯拉在投资者日上表示,将在下一代平台上减少75%的碳化硅用量,消息一出,即给碳化硅产业链企业带来了一波地震,股价应声下跌。不仅全球衬底龙头Wolfspeed当日股价跌幅高达7%,特斯拉目前主要的SiC MOSFET供应商ST当天股价最高跌幅甚至达到8%,国内的衬底厂商天岳先进、东尼电子开盘后即跌停,可见消息对整个产业链的打击。
在投资者日上特斯拉并没对他们的解决方案做过多解释,如今这颗“子弹”飞了将近两周,业界对于其降低碳化硅用量的方案已经有相当多的讨论,下文我们将对目前业界的猜测做一个汇总。
因此,我们比较关注的点是,特斯拉的举措是否真的会为近年产能扩张投入巨大的SiC上下游带来负面影响?特别是下游汽车厂商需求的变化下,最先传导到的中游芯片设计或者是功率模块厂商。
与此同时,衬底作为SiC器件成本占比最高的部分,尽管价格在不断下降,但相比硅基功率器件依然高出不少。那么在衬底之外,SiC器件的成本能否通过其他途径获得更大程度的下降?
五种“减碳”方案猜想
对于特斯拉在下一代平台车型中降低碳化硅用量的方案,各方都有不同的猜测。安徽芯塔电子市场经理周骏峰在接受电子发烧友采访时表示,特斯拉高调“减碳”的消息一出,感觉市场反应有些过于敏感,综合目前各类终端市场反馈来看,近几年碳化硅市场依旧会保持供不应求的趋势,尤其是新能源汽车产业将呈现对碳化硅“井喷”式需求,所以产业热度并不会降低。综合特斯拉公布关于Model 3的相关信息,他猜测特斯拉下一代车型可能会从目前的400V母线电压架构向800V转变。
“采用800V以后,因为母线电压较之前翻了一倍,在电机功率不变情况下,流过碳化硅MOSFET的电流减半,这导致碳化硅MOSFET管芯面积缩小。管芯面积缩小后,单片晶圆较之前大电流规格晶圆出芯率更高,单车使用碳化硅成本降低。换言之,采用800V架构后,单车消耗碳化硅晶圆量减少,单片6寸晶圆可供更多车辆,这与特斯拉官宣是吻合的。”
与此同时,周骏峰还提到另外两种猜测,包括特斯拉供应商对器件封装技术进行创新,使得热阻更小,散热性能更好,器件和模块可以在更高的结温下工作;或者特斯拉对电机进行革新,改进升级电驱系统,也可能使得对功率器件的需求量减少。
除了上面的三种可能之外,业界目前还有两种猜想,其中声量最大的是采用SiC MOSFET和IGBT混合模块。在SiC MOSFET和IGBT混合模块的方案中,大概使用2颗配套6颗IGBT封装混合模块,这种模式符合“降低75%用量”的说法。在实际应用中,IGBT载流能力更高,在大电流工况下有一定优势;在功耗方面,SiC MOSFET先于硅基IGBT开通,后于IGBT关断,而IGBT可以实现ZVS零电压开关,可以相比纯IGBT模块大幅降低损耗。
不过,由于SiC MOSFET和IGBT的工作频率差异大,驱动电路方面混合模块显然会复杂很多,封装难度也会较高。
另一种猜想是采用新一代的SiC MOSFET器件,比如ST的第三代SiC MOSFET芯片面积是第二代的25%,从尺寸上符合75%使用量降低的说法。
SiC衬底价格居高不下,芯片设计阶段如何降本
实际上,特斯拉并没有说要完全放弃SiC,其动力总成副总裁还在会上提到SiC晶体管是一种关键的器件,但太贵了,并且难以扩大使用(量产)规模。而SiC对降低电动汽车能耗是具有实打实的效果的,特别是在800V高压平台中,SiC相比硅基IGBT的优势会更加突出。理想汽车CEO李想近期就在公开活动上表示,公司实测结果显示,SiC模块配合800V高压平台,与同样驱动方式的400V平台产品相比,可以节省约15%的电量。
所以,从投资者日上着重介绍的各种降成本举措来看,对于特斯拉而言,降低成本是他们首要考虑的,减少SiC用量主要原因或许也是由于SiC当前的价格较高,放出消息几乎等同于倒逼上游产业加速降本。
周骏峰表示,碳化硅的价格、单车用量和整体需求是互为影响的,在800V电气架构环境下,相较于硅基器件,碳化硅依旧是电动汽车主驱逆变器、OBC、暖通空调压缩机驱动等应用的最优方案。若未来随着工艺技术精进及产能的提升,碳化硅器件成本下降,包括特斯拉在内的所有新能源汽车厂商必定会进一步增加对碳化硅需求,从2023年开始,碳化硅MOSFET的价格也即将迈入下游终端大规模应用的甜蜜期。
而对于近几年在产能扩张方面投入巨大的SiC上游,目前其实要更加担心的应该是实际产能落地的状况。“国内碳化硅产业链都在积极扩产,但产能还未真正大规模释放,产能等方面与海外巨头还有差距。国内碳化硅产业要依靠整个国内产业链的合作与深度协同,才能更好地与海外巨头竞争。”
SiC衬底在SiC器件成本中占比近50%,因此上游衬底的价格是影响器件价格的最重要因素。不过衬底价格也受到目前衬底良率、产能等影响,正如前面特斯拉动力总成副总裁提到的“难以扩大规模”,而目前众多扩产产能距离落地还有一段时间,短期难以大幅拉低成本。
在现阶段,SiC衬底供不应求,价格居高不下,从上游降本的难度较大。那么对于中游的芯片设计公司而言,从芯片设计层面上,有没有降低SiC芯片成本的方法?周骏峰告诉电子发烧友,降低芯片成本可以在保证管芯效能的前提下,减少芯片尺寸,以减少晶圆边缘浪费率,提高出芯率。
具体而言,在设计层面有两种方法减少芯片尺寸:
一是通过改变外延层厚度和浓度,平衡击穿电压和导通电阻,从而达到降低芯片尺寸的效果;
二是通过采用沟槽栅结构,达到降低芯片尺寸的效果。从理论上来看,平面栅SiC MOSFET的沟道迁移率低,相较之下,沟槽栅SiC MOSFET则呈现出更佳的电学特性,其优势包括:元胞密度高、导通损耗低、开关性能强等,可以进一步降低器件成本。
“目前,业界普遍认为沟槽型被是最有希望提升SiC MOSFET性能的结构,芯塔电子作为国内最早布局沟槽型SiC MOSFET专利技术企业之一,无论是未来优化产品成本,提高设计工艺方面都极具优势。”周骏峰补充道。
在通过芯片设计改进,降低SiC MOSFET芯片面积的过程中,在衬底供应链不变的情况下,市场上SiC器件的产量能够得到显著提高。同时伴随着衬底产能的扩产,两方面因素将会促成衬底价格的加速下降。
作为SiC器件厂商,对于未来SiC器件价格的趋势,周骏峰认为,优秀的器件厂商随着产品良率的不断提升和产业规模效应的不断显现,将持续推动芯片价格快速下降,降低车企选用碳化硅的成本门槛。同时,未来在原材料成本影响逐步下降的过程中,SiC器件厂商的盈利能力在技术水平、工艺积累、团队实力和产业资源的影响下将快速分化,SiC赛道内的龙头玩家将实现盈利高速成长。
换言之,在未来SiC衬底价格进一步下行时,器件厂商是否拥有核心技术和工艺开发平台,从芯片设计层面具备技术优势实现成本与性能的平衡,或许会是立足于市场的关键。
在投资者日上特斯拉并没对他们的解决方案做过多解释,如今这颗“子弹”飞了将近两周,业界对于其降低碳化硅用量的方案已经有相当多的讨论,下文我们将对目前业界的猜测做一个汇总。
因此,我们比较关注的点是,特斯拉的举措是否真的会为近年产能扩张投入巨大的SiC上下游带来负面影响?特别是下游汽车厂商需求的变化下,最先传导到的中游芯片设计或者是功率模块厂商。
与此同时,衬底作为SiC器件成本占比最高的部分,尽管价格在不断下降,但相比硅基功率器件依然高出不少。那么在衬底之外,SiC器件的成本能否通过其他途径获得更大程度的下降?
五种“减碳”方案猜想
对于特斯拉在下一代平台车型中降低碳化硅用量的方案,各方都有不同的猜测。安徽芯塔电子市场经理周骏峰在接受电子发烧友采访时表示,特斯拉高调“减碳”的消息一出,感觉市场反应有些过于敏感,综合目前各类终端市场反馈来看,近几年碳化硅市场依旧会保持供不应求的趋势,尤其是新能源汽车产业将呈现对碳化硅“井喷”式需求,所以产业热度并不会降低。综合特斯拉公布关于Model 3的相关信息,他猜测特斯拉下一代车型可能会从目前的400V母线电压架构向800V转变。
“采用800V以后,因为母线电压较之前翻了一倍,在电机功率不变情况下,流过碳化硅MOSFET的电流减半,这导致碳化硅MOSFET管芯面积缩小。管芯面积缩小后,单片晶圆较之前大电流规格晶圆出芯率更高,单车使用碳化硅成本降低。换言之,采用800V架构后,单车消耗碳化硅晶圆量减少,单片6寸晶圆可供更多车辆,这与特斯拉官宣是吻合的。”
与此同时,周骏峰还提到另外两种猜测,包括特斯拉供应商对器件封装技术进行创新,使得热阻更小,散热性能更好,器件和模块可以在更高的结温下工作;或者特斯拉对电机进行革新,改进升级电驱系统,也可能使得对功率器件的需求量减少。
除了上面的三种可能之外,业界目前还有两种猜想,其中声量最大的是采用SiC MOSFET和IGBT混合模块。在SiC MOSFET和IGBT混合模块的方案中,大概使用2颗配套6颗IGBT封装混合模块,这种模式符合“降低75%用量”的说法。在实际应用中,IGBT载流能力更高,在大电流工况下有一定优势;在功耗方面,SiC MOSFET先于硅基IGBT开通,后于IGBT关断,而IGBT可以实现ZVS零电压开关,可以相比纯IGBT模块大幅降低损耗。
不过,由于SiC MOSFET和IGBT的工作频率差异大,驱动电路方面混合模块显然会复杂很多,封装难度也会较高。
另一种猜想是采用新一代的SiC MOSFET器件,比如ST的第三代SiC MOSFET芯片面积是第二代的25%,从尺寸上符合75%使用量降低的说法。
SiC衬底价格居高不下,芯片设计阶段如何降本
实际上,特斯拉并没有说要完全放弃SiC,其动力总成副总裁还在会上提到SiC晶体管是一种关键的器件,但太贵了,并且难以扩大使用(量产)规模。而SiC对降低电动汽车能耗是具有实打实的效果的,特别是在800V高压平台中,SiC相比硅基IGBT的优势会更加突出。理想汽车CEO李想近期就在公开活动上表示,公司实测结果显示,SiC模块配合800V高压平台,与同样驱动方式的400V平台产品相比,可以节省约15%的电量。
所以,从投资者日上着重介绍的各种降成本举措来看,对于特斯拉而言,降低成本是他们首要考虑的,减少SiC用量主要原因或许也是由于SiC当前的价格较高,放出消息几乎等同于倒逼上游产业加速降本。
周骏峰表示,碳化硅的价格、单车用量和整体需求是互为影响的,在800V电气架构环境下,相较于硅基器件,碳化硅依旧是电动汽车主驱逆变器、OBC、暖通空调压缩机驱动等应用的最优方案。若未来随着工艺技术精进及产能的提升,碳化硅器件成本下降,包括特斯拉在内的所有新能源汽车厂商必定会进一步增加对碳化硅需求,从2023年开始,碳化硅MOSFET的价格也即将迈入下游终端大规模应用的甜蜜期。
而对于近几年在产能扩张方面投入巨大的SiC上游,目前其实要更加担心的应该是实际产能落地的状况。“国内碳化硅产业链都在积极扩产,但产能还未真正大规模释放,产能等方面与海外巨头还有差距。国内碳化硅产业要依靠整个国内产业链的合作与深度协同,才能更好地与海外巨头竞争。”
SiC衬底在SiC器件成本中占比近50%,因此上游衬底的价格是影响器件价格的最重要因素。不过衬底价格也受到目前衬底良率、产能等影响,正如前面特斯拉动力总成副总裁提到的“难以扩大规模”,而目前众多扩产产能距离落地还有一段时间,短期难以大幅拉低成本。
在现阶段,SiC衬底供不应求,价格居高不下,从上游降本的难度较大。那么对于中游的芯片设计公司而言,从芯片设计层面上,有没有降低SiC芯片成本的方法?周骏峰告诉电子发烧友,降低芯片成本可以在保证管芯效能的前提下,减少芯片尺寸,以减少晶圆边缘浪费率,提高出芯率。
具体而言,在设计层面有两种方法减少芯片尺寸:
一是通过改变外延层厚度和浓度,平衡击穿电压和导通电阻,从而达到降低芯片尺寸的效果;
二是通过采用沟槽栅结构,达到降低芯片尺寸的效果。从理论上来看,平面栅SiC MOSFET的沟道迁移率低,相较之下,沟槽栅SiC MOSFET则呈现出更佳的电学特性,其优势包括:元胞密度高、导通损耗低、开关性能强等,可以进一步降低器件成本。
“目前,业界普遍认为沟槽型被是最有希望提升SiC MOSFET性能的结构,芯塔电子作为国内最早布局沟槽型SiC MOSFET专利技术企业之一,无论是未来优化产品成本,提高设计工艺方面都极具优势。”周骏峰补充道。
在通过芯片设计改进,降低SiC MOSFET芯片面积的过程中,在衬底供应链不变的情况下,市场上SiC器件的产量能够得到显著提高。同时伴随着衬底产能的扩产,两方面因素将会促成衬底价格的加速下降。
作为SiC器件厂商,对于未来SiC器件价格的趋势,周骏峰认为,优秀的器件厂商随着产品良率的不断提升和产业规模效应的不断显现,将持续推动芯片价格快速下降,降低车企选用碳化硅的成本门槛。同时,未来在原材料成本影响逐步下降的过程中,SiC器件厂商的盈利能力在技术水平、工艺积累、团队实力和产业资源的影响下将快速分化,SiC赛道内的龙头玩家将实现盈利高速成长。
换言之,在未来SiC衬底价格进一步下行时,器件厂商是否拥有核心技术和工艺开发平台,从芯片设计层面具备技术优势实现成本与性能的平衡,或许会是立足于市场的关键。
安徽芯塔电子市场经理 周骏峰
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SiC功率器件模块应用笔记
SiC(碳化硅)是一种由硅(Si)和碳(C)构成的化合物半导体材料。SiC 的优点不仅在于其绝缘击穿场强(Breakdown Field)是 Si 的 10 倍,带隙(Energy Gap)是 Si
发表于 04-20 16:43
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特斯拉高压诊断培训PPT
特斯拉高压电路PPT每次维修高压系统时都要遵守此步骤。如果维修被打断,维修进行前再次确认没有高压电。
根据触点故障状态正如所料没有断开,因此有必要确认触点是否断开。
如果有任何触点粘连的通知出现,高压电池需要拆除。不需进行进一步的维修。
发表于 12-16 14:54
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从Tesla特斯拉Model 3拆解来了解碳化硅SiC器件的未来需求
引言:前段时间,Tesla Model3的拆解分析在行业内确实很火,现在我们结合最新的市场进展,针对其中使用的碳化硅SiC器件,来了解一下SiC器件的未来需求。 我们从前一段时间的报道了解到
发表于 02-20 15:56
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SiC功率器件的封装技术要点
SiC功率器件的封装技术要点
具有成本效益的大功率高温半导体器件是应用于微电子技术的基本元件。SiC是宽带隙半导体材料,与S
发表于 11-19 08:48
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台湾推出18项标竿减碳计划 打造全球最大LED供应点
台湾推出18项标竿减碳计划 打造全球最大LED供应点
台湾经济部的“节能减碳总计划”报告推出18项标竿计划做
发表于 04-13 09:07
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半导体材料知多少?SiC器件与Si器件性能比较
SIC是什么呢?相比于Si器件,SiC功率器件的优势体现在哪些方面?电子发烧友网根据SIC器件和SI器件的比较向大家讲述了两者在性能上的不同。
发表于 12-04 10:23
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特斯拉Model 3材料造假 内饰用料被吐槽偷工减料
特斯拉Model 3一直都是备受关注的焦点,近日特斯拉Model 3内饰用料被用户吐槽偷工减料,欧缔兰缩水成织物,对特斯拉形象造成巨大损害。
发表于 01-12 11:50
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SiC器件中SiC材料的物性和特征,功率器件的特征,SiC MOSFET特征概述
SiC(碳化硅)是一种由Si(硅)和C(碳)构成的化合物半导体材料。SiC临界击穿场强是Si的10倍,带隙是Si的3倍,热导率是Si的3倍,所以被认为是一种超越Si极限的功率器件材料。SiC中存在
应迅速扩大的市场需求,国际功率器件厂商纷纷发力汽车市场
据Yole统计,2018年,国际上有20多家汽车厂商已经在车载充电机(OBC)中使用SiC SBD 或SiC MOSFET。此外,特斯拉Model 3的逆变器采用了意法半导体生产的全SiC功率模块
采用SiC材料元器件的特性结构介绍
SiC(碳化硅)是一种由Si(硅)和C(碳)构成的化合物半导体材料。SiC临界击穿场强是Si的10倍,带隙是Si的3倍,热导率是Si的3倍,所以被认为是一种超越Si极限的功率器件材料。SiC中存在
SiC功率器件加速充电桩市场发展
随着我国新能源汽车市场的不断扩大,充电桩市场发展前景广阔。SiC材料的功率器件可以实现比Si基功率器件更高的开关频繁,可以提供高功率密度、超小的体积,因此SiC功率器件在充电桩电源模块中的渗透率不断增大。
发表于 06-18 17:24
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汽车市场增长 SiC功率器件市场正在崛起
据麦姆斯咨询介绍,由于特斯拉(Tesla)在其主逆变器中采用了SiC器件,2018~2019年SiC功率器件市场吸引了广泛关注。其他汽车厂商是否会跟进应用SiC器件成为今年热议的话题。近年,汽车行业
哪些是SiC器件重点关注领域?
文章来源:电子工程世界 作者:汤宏琳 就在我们还沉浸在Si器件带来的低成本红利时,很多关键型应用已经开始拥抱SiC了。 虽然SiC成本还有些略高,但它却有着自己得天独厚的优势:与Si相比,SiC介
如何混合Si和SiC器件实现完整SiC MOSFET转换器相同效率的调制方案
,快速切换能力和非常好的热稳定性,因此可以满足所有这些要求,但是由于成本高,这些器件并未广泛用于开发转换器[4]。SiC MOSFET的成本是其两倍,但与Si IGBT相比,它的高电流范围是其8倍。为了减少成本问题,现在的重点是混合Si和SiC
印尼将派出高级别团队与特斯拉高管会面,力求吸引后者投资
11月16日消息,据国外媒体报道,印尼总统佐科维多多(Joko Widodo)日前表示,将派出一个高级别团队与特斯拉高管会面,力求吸引后者投资。 这个团队由印尼海洋事务与投资统筹部长Luhut
特斯拉高管讨论在巴投资电动车的机会
据外媒报道,特斯拉高管将与巴基斯坦总理伊姆兰·汗(Imran Khan)会面,讨论在巴基斯坦投资电动车的机会。 本月早些时候,巴基斯坦记者兼名爵汽车巴基斯坦大股东Javed Afridi表示,特斯拉
特斯拉引爆的车用SiC市场
报道指出,特斯拉的Model3是第一个应用碳化硅(sic)功率元器件的电动车型,用的是来自意法半导体的650v sic mosfet。相比于在Model s/x上用的igbt,sic mosfet
SiC器件频繁在高功率工业驱动中应用
前言 近年来,电力电子领域最重要的发展是所谓的宽禁带(WBG)材料的兴起,即碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)。WBG材料的特性有望实现更小、更快、更高效的电力电子产品。 WBG功率器件已经对从普通
每年淘汰的5亿部旧手机怎么处理 碳减排政策该如何普惠电子产品
为应对气候变化、加强生态环境保护,我国提出了“双碳目标”的庄严承诺:“二氧化碳排放力争于2030年前达到峰值,努力争取2060年前实现碳中和。”距离碳达峰只有9年,留给碳中和的时间也只有39年,减少
发表于 09-14 12:37
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从工业到汽车,东芝在功率器件市场的布局
近几年来,新能源汽车发展迅猛,与之配套的汽车功率器件也发展迅速,不少厂商开始针对汽车应用开发新的产品。比如说SiC就是一个典型,自从特斯拉在Model 3上使用之后,SiC在汽车中的用量开始增加,现在已经有不少厂商都推出了车规级的SiC产品。
SiC发展遭遇首次挫折,特斯拉召回12.8万辆Model3
(文/程文智)近几年来,SiC器件的发展可谓是顺风顺水,自从特斯拉在Model 3上采用SiC MOSFET后,各大汽车厂商也都摩拳擦掌,都开始准备采用。要不是产能受限,估计现在15万以上的车型都
美的集团完成空调器典型产品的碳足迹、减碳量评价等研究工作
近日,美的集团与中国标准化研究院联合推动“碳足迹”理论研究与示范应用项目取得了阶段性进展,行业内率先系统化完成了空调器典型产品的碳足迹、减碳量评价及标准研究工作,以实际行动向外界展示了美的集团参与绿色转型、助力碳中和的方法路径。
企业能源管控平台有关《减污降碳协同增效实施方案》的运用
前 言: 生态环境部等七部门近日印发了《减污降碳协同增效实施方案》。方案提出,到2025年,减污降碳协同推进的工作格局基本形成;着重区域、着重领域结构优化调整和绿色低碳发展取得明显成效;形成一批可
AcrelEMS企业微电网能效管理平台助力企业减污降碳
的基本国情,抓好煤炭清洁利用,增加新能源消纳能力。狠抓绿色低碳技术攻关,加速先进技术推广应用。科学考核,完善能耗“双控”制度,加速形成减污降碳的激励约束机制。统筹做好“双控”、“双碳”工作。深入推动能源革命,加速建设能源强国。
发表于 06-28 09:30
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SiC MOSFET的厂商现状以及产品差别
随着新能源市场的爆发,电动汽车、光伏、储能等下游应用驱动下,碳化硅功率器件迎来了新一轮增长期。特别是电动汽车上SiC MOSFET的大规模应用后,在近几年可以看到,国内外各大厂商都密集地加入到SiC的行列中,推出相关产品。
发表于 07-25 09:34
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SiC功率器件降低成本以推动采用
虽然包括开关速度和高温能力在内的技术优势现已广为人知,但成本仍然是一个争论点。PGC Consultancy 分析了 SiC 裸片成本,在本文和未来的文章中,他们将解释高成本背后的原因以及可以采取哪些措施来降低价格。他们还提供了关于到本世纪末电动汽车销售可能会主导汽车行业的成本
SiC FET器件的特征
宽带隙半导体是高效功率转换的助力。有多种器件可供人们选用,包括混合了硅和SiC技术的SiC FET。本文探讨了这种器件的特征,并将它与其他方法进行了对比。
SiC功率器件的新发展和挑战!
碳化硅(SiC)被认为是未来功率器件的革命性半导体材料;许多SiC功率器件已成为卓越的替代电源开关技术,特别是在高温或高电场的恶劣环境中。本章将讨论SiC功率器件面临的挑战和最新发展。第一部分重点
发表于 11-04 09:56
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SiC功率器件的发展及技术挑战
碳化硅(SiC)被认为是未来功率器件的革命性半导体材料;许多SiC功率器件已成为卓越的替代电源开关技术,特别是在高温或高电场的恶劣环境中。
SiC功率器件和模块!
SiC(碳化硅)是一种由硅(Si)和碳(C)组成的化合物半导体材料。表1-1显示了每种半导体材料的电气特性。SiC具有优异的介电击穿场强(击穿场)和带隙(能隙),分别是Si的10倍和3倍。此外,可以
发表于 11-22 09:59
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SIC功率器件的发展现状!
近年来,SiC功率器件结构设计和制造工艺日趋完善,已经接近其材料特性决定的理论极限,依靠Si器件继续完善来提高装置与系统性能的潜力十分有限。本文首先介绍了SiC功率半导体器件技术发展现状及市场前景,其次阐述了SiC功率器件发展中存在的问题,最后介绍了SiC
发表于 11-24 10:05
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科普解读“碳达峰、碳中和、碳汇、碳配额、碳交易”的概念
通过交易的方式出售给减排成本高、无法达到碳排放要求的企业,从而帮助后者达到减排要求,降低社会碳排放的总成本。 碳达峰是一个过程,即碳排放首先进入平台期并可以在一定范围内波动,进入平稳下降阶段。 碳中和是指企业、团体或个人
深圳市民个人碳普惠减排量完成首次交易
你知道吗?在深圳,乘坐地铁,还能“赚钱”了! 深圳市民个人碳普惠减排量完成了首次交易! 在2022碳达峰碳中和论坛暨深圳国际低碳城论坛上,由深圳市生态环境局、深圳排放权交易所与腾讯联合打造
庖丁解牛看节碳,年减碳12000吨背后的驱动力
超过12000吨 ,获得了广州碳排放权交易中心颁发的室内公共设施改造碳中和认证。 当数字经济与低碳经济相遇,数字技术将在绿色转型中发挥至关重要的作用。 尤其是面对不同地区市场不同的合规与减碳要求,微软运用云计算、人工智能、数字孪生、物联网等
多样化应用下,看好这几家功率器件厂商
当前国内功率器件领域,新能源增量大、产品技术领先的设计公司以及产品与产能双升级的IDM代表厂商有哪些? 功率器件是电能传输效率的关键。目前随着市场应用的需要,功率器件产品逐渐向着高转换效率、高
DFG8541可以加工最大尺寸为8英寸的硅和SiC晶圆
为此,DISCO开发了DFG8540的后继设备DFG8541,旨在保持高清洁度的同时稳定减薄,并提高可操作性和生产率。通过选择高扭矩主轴,可以支持SiC等高刚性难以加工的材料,从而应对由于全球脱碳运动而不断增长的SiC功率半导体制造需求。
SiC功率器件的封装形式
SiC器件的封装衬底必须便于处理固态铜厚膜导电层,且具有高热导率和低热膨胀系数,从而可以把大尺寸SiC芯片直接焊接到衬底上。SiN是一种极具吸引力的衬底,因为它具有合理的热导率(60W/m-K)和低热膨胀系数(2.7ppm/℃),与SiC的热膨胀系数 (3.9ppm/℃)十分接近。
发表于 02-16 14:05
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碳化硅与碳化硅(SiC)功率器件
在同样的耐压和电流条件下,SiC器件的漂移区电阻要比硅低200倍,即使高耐压的SiC场效应管的导通压降,也比单极型、双极型硅器件的低得多。而且,SiC器件的开关时间可达10nS量级,并具有十分优越
发表于 02-20 16:14
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Yole:SiC 器件将占领 30% 的功率器件市场
根据市场分析机构 Yole 预测,在未来 5 年内,SiC 功率器件将很快占据整个功率器件市场的 30%,SiC 行业(从衬底到模块,包括器件)的增长率非常高。在Yole看来,到 2027 年,该行
特斯拉“减SiC”,比亚迪不跟!一文纵览中国车企SiC布局最新进展
)晶体管75%的使用量。”当天,安森美半导体,ST Microelectronics和Wolfspeed的股价下跌。 特斯拉高调“减碳”消息一出,其他汽车厂商是否跟进呢?业内专家对电子发烧友记者表示,碳化硅市场今年依然是供不应求的状态,尤其是新能源汽车行业对于碳化硅井喷的需求。
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