0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

TI创新性封装如何提高功率密度

微云疏影 来源:中电网 作者:中电网 2022-03-31 09:51 次阅读

智能手机到汽车,消费者希望将更多功能集成到更小的产品中。为顺应这一趋势,TI已针对封装技术进行了优化,包括用于子系统控制和电源时序的负载开关。封装技术的创新可以提高功率密度,即在每个印刷电路板上设置更多的器件和功能。

晶圆芯片级封装(WCSP)

现如今尺寸最小的负载开关都使用晶圆芯片级封装(WCSP)。图1为具四引脚的WCSP封装器件。

WCSP封装技术通过将焊球连接于硅片底部来尽可能地减小占用空间,这使得该技术在载流和封装面积方面更具竞争力。由于WCSP技术最小化了物理尺寸,连接输入和输出引脚的焊球数量有限,也就限制了负载开关可以支持的最大电流。

采用丝焊技术的塑料封装

高电流或制造工艺要求严苛的应用(如工业PC)中需要使用塑料封装。图2为采用丝焊技术的塑料封装。

poYBAGJFCRWAMAfXAAA2P5c1mbI226.jpg

图2. 标准丝焊方形扁平无引脚封装

QFN或SON(小外形无引脚)封装技术通过丝焊技术将硅片与引脚进行连接,这使得更高的电流能够从输入端流向输出端,同时为器件提供良好的散热性。丝焊塑料封装需要为接合线本身提供很大的空间,甚至比硅片本身占有的封装空间还要大。接合线还会增加电源路径的电阻,从而增加负载开关的总导通电阻。因此需要在更大尺寸和更高的功率支持之间进行权衡。

塑料HotRod封装

虽然WCSP封装和接合线封装都有各自的优缺点,但TI的HotRod QFN负载开关却兼具两种封装技术的优势。图3为HotRod封装的结构示意图。

pYYBAGJFCRWAOGoAAAA-fCxJ_QM143.jpg

图3. TI HotRod QFN封装结构及其与硅片的连接

这些无引线塑料封装使用铜柱将硅片与封装进行连接,由于比接合线占用的面积更少,因此可以最大限度地减小封装尺寸。这些铜柱可以支持大电流,引入电源路径的电阻较小,且允许高达 6 A 的电流通过单个引脚。

表1为TPS22964C WCSP,TPS22975 SON和TPS22992 HotRod三种封装优势的对比。

poYBAGJFCRWANKKnAAAxdmYZNjg257.jpg

表1. 各负载开关解决方案的对比

虽然TPS22975 SON封装器件支持6A的电流,但需要引入支持该电流水平的输入和输出引脚,这也就限制了功率良好和可调上升时间等方面的性能。接合线还会增加导通电阻,限制最大电流。

采用WCSP封装的负载开关是三种解决方案中尺寸最小的,但有限的引脚数量限制了其更多功能的实现和可支持的最大电流。

总结

TPS22992负载开关结合了WSCP和SON的优势,兼具小尺寸和高电流等特点。TI的TPS22992 和TPS22998负载开关通过HotRod封装来解决小型化的问题,同时支持高电流、低导通电阻等特性。

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 封装技术
    +关注

    关注

    12

    文章

    403

    浏览量

    67587
  • 系统控制
    +关注

    关注

    0

    文章

    31

    浏览量

    16054
  • 功率密度
    +关注

    关注

    0

    文章

    69

    浏览量

    16591
收藏 人收藏

    评论

    相关推荐

    如何在高功率密度模块电源中实现低损耗设计

    功率密度的电源模块多采用国际流行的工业标准封装,产品兼容更广。其次,产品的同等功率体积重量大大缩小,只有传统产品的四分之一。第三,技术指标有重大改善,特别是效率提高到90%.第四,产品本身优异的热
    发表于 01-25 11:29

    对更高功率密度的需求推动电动工具创新解决方案

    封装在硅片和源极管脚之间能提供更小的封装电阻。单位面积的电阻较小意味着单位面积的传导损耗较少,也意味着更高的电流能力和更高的功率密度。因此
    发表于 08-21 14:21

    基于德州仪器GaN产品实现更高功率密度

    功率密度的需求仍是有增无减。硅电源技术领域的创新曾一度大幅缩减这些应用的尺寸,但却很难更进一步。在现有尺寸
    发表于 03-01 09:52

    氮化镓GaN技术怎么实现更高的功率密度

    功率密度的需求仍是有增无减。硅电源技术领域的创新曾一度大幅缩减这些应用的尺寸,但却很难更进一步。在现有尺寸
    发表于 08-06 07:20

    什么是功率密度?如何实现高功率密度

    功率密度功率密度的发展史如何实现高功率密度
    发表于 03-11 06:51

    什么是功率密度?限制功率密度的因素有哪些?

    功率密度?限制功率密度的因素有哪些?
    发表于 03-11 08:12

    如何用PQFN封装技术提高能效和功率密度

    封装技术提高能效和功率密度
    发表于 04-25 07:40

    功率密度的解决方案

    功率密度在现代电力输送解决方案中的重要和价值不容忽视。为了更好地理解高功率密度设计的基本技术,在本文中,我将研究高功率密度解决方案的四个重要方面:降低损耗最优拓扑和控制选择有效的散热通过机电元件
    发表于 11-07 06:45

    创新封装如何推动提高负载开关中的功率密度

    封装到越来越小的产品中。为了帮助实现这一目标,TI 优化了其半导体器件(包括用于子系统控制和电源时序的负载开关)的封装技术。封装创新支持更高的功率密度,从而可以向每个印刷电路板上安装更多半导体器件和功能。
    发表于 04-29 17:16 0次下载

    功率密度的基础技术简介

    功率密度在现代电力输送解决方案中的重要和价值不容忽视。 为了更好地理解高功率密度设计的基本技术,在本文中,我将研究高功率密度解决方案的四个重要方面: 降低损耗 最优拓扑和控制选择 有效的散热 通过
    的头像 发表于 10-20 15:01 392次阅读

    探究功率密度基础技术

    功率密度在现代电力输送解决方案中的重要和价值不容忽视。 为了更好地理解高
    的头像 发表于 01-14 17:10 1501次阅读

    如何提高器件和系统的功率密度

    功率半导体注定要承受大的损耗功率、高温和温度变化。提高器件和系统的功率密度功率半导体重要的设计目标。
    的头像 发表于 05-31 09:47 1597次阅读
    如何<b>提高</b>器件和系统的<b>功率密度</b>

    功率器件的功率密度

    功率半导体注定要承受大的损耗功率、高温和温度变化。提高器件和系统的功率密度功率半导体重要的设计目标。
    的头像 发表于 02-06 14:24 770次阅读
    <b>功率</b>器件的<b>功率密度</b>

    如何提高系统功率密度

    功率器件领域,除了围绕传统硅器件本身做文章外,材料的创新有时也会带来巨大的性能提升。比如,在谈论功率密度时,GaN(氮化镓)凭借零反向复原、低输出电荷和高电压转换率等突出优势,能够帮助厂商大幅提升系统密度,而另一种主流的宽带隙半导体材料SiC(碳化硅)也是提升功率密度的上佳选择。
    的头像 发表于 05-18 10:56 358次阅读
    如何<b>提高</b>系统<b>功率密度</b>

    用于提高功率密度的无源元件创新

    提高功率密度是转换器设计人员的重要目标?不论是数据中心服务器等能源密集型系统,还是道路上越来越智能的车辆,为其供电的电源转换电路需要能够在更小的空间内处理更大的功率。真的就是那么简单。
    的头像 发表于 07-08 11:14 142次阅读