如今,充电器和适配器应用最常用的功率转换器拓扑是准谐振(QR)反激式拓扑,因为它结构简单、控制简便、物料(BOM)成本较低,并可通过波谷切换工作实现高能效。然而,与工作频率密切相关的开关损耗和变压器漏感能量损耗,限制了QR反激式转换器的最大开关频率,从而限制了功率密度。
在QR反激式转换器中采用GaN HEMT和平面变压器,有助于提高开关频率和功率密度。然而,为了在超薄充电器和适配器设计中实现更高功率密度,软开关和变压器漏感能量回收变得不可或缺。这必然导致选用本身效率更高的转换器拓扑。
本文阐述了如何将英飞凌的CoolGaN™集成功率级(IPS)技术应用于有源钳位反激式(ACF)、混合反激式(HFB)和LLC转换器拓扑。采取这种方式可以更快速、更轻松地设计出充电器和适配器解决方案,以打造更小巧、更轻便的产品,或者虽尺寸相同但功率更高的产品,用于为设备快速充电,或用一个适配器为多个设备充电。
能够实现更高功率密度的转换器拓扑
事实证明,得益于零电压开关(ZVS)和无缓冲损耗,诸如有源钳位反激式(ACF)、混合反激式(HFB)和LLC转换器等半桥(HB)拓扑,即使在很高开关频率下也能实现高能效。
有源钳位反激式(ACF)拓扑
图1所示为CoolGaN™ IPS用于有源钳位反激式(ACF)转换器的典型应用示例。在ACF拓扑中,当主开关关断而钳位开关接通时,可经由钳位开关来回收存储在变压器漏感(Llk)中的能量。Cclamp和Llk通过钳位开关和变压器一起谐振,从而将能量传送到负载。相比于在无源钳位反激式拓扑中,存储于传统RCD钳位电路Llk中的能量渐渐衰减,这样的能量回收提高了系统能效。精心设计的ACF拓扑可在软开关ZVS条件下运行,因此,它的工作开关频率比在硬开关条件下运行的准谐振(QR)反激式拓扑高得多。这有助于缩小磁性元件的尺寸,包括变压器和EMI滤波器。
图1:ACF转换器应用电路图
ACF转换器的组成部件,包括:高端开关和低端开关、变压器、钳位电容器Cclamp以及整流器输出级和电容器。图2显示的典型工作波形,简要说明了ACF转换器的工作原理。
图2:ACF转换器运行
当低端功率开关接通时,ACF转换器将能量存储在一次侧电感器和漏感器(Llk)中。此后,当低端功率开关关断时,这些能量则被传送至输出端。在低端开关处于关断状态期间,当高端开关接通时,存储在漏感器中的能量即被传送至输出端。此外,开关ZVS操作可进一步提高能效。这种操作可确保ACF转换器实现高效性能。
混合反激式(HFB)拓扑
图3所示为CoolGaN™ IPS用于混合反激式(HFB)转换器拓扑的典型应用示例。
图3:HFB转换器应用电路图
混合反激式转换器的组成部件,包括:高端开关和低端开关、变压器、谐振槽(Llk和Cr)以及整流器输出级和电容器。这种拓扑亦受益于功率开关的软开关操作,能够实现高功率密度和高能效。采用与LLC转换器相同的技术,在这种拓扑中,变压器漏感和磁化电感可与电容器发生谐振。此外,基于非互补开关模式的高级控制方案可支持范围广泛的AC输入电压和DC输出电压,这为实现通用USB-C PD运行提供了必要条件。
HFB可以在一次侧实现完全ZVS操作,在二次侧实现完全ZCS操作。随后,再回收漏感能量,以实现高能效。混合反激式拓扑可通过可变占空比,轻松实现宽输出范围。这克服了LLC拓扑在宽输出范围应用中的局限性。有关混合反激式转换器的更多信息,请参阅[1]。
图4显示的典型工作波形,简要说明了混合反激式转换器的工作原理。当高端开关接通时,混合反激式转换器将能量存储在一次侧电感器中。当低端开关接通时,则将这些能量传送至输出端。通过在两个MOSFET开关转换过程中进行适当的定时控制,对于两个开关,HFB均在ZVS条件下运行,这确保了很高系统能效,而无需额外的组件。得益于ZVS操作实现的高能效以及ZCS操作在二次侧带来的额外的能效提升,混合反激式转换器为诸如USB-PD快速充电器等超高功率密度转换器,提供了一个具有成本竞争力的解决方案。
图4:HFB转换器运行
LLC转换器
图5所示为CoolGaN™ IPS用于半桥LLC拓扑的典型应用示例。LLC转换器是谐振转换器系列的一员,这意味着电压调节并非采用常规脉宽调制(PWM)方式。LLC转换器以50%占空比和固定180°相移运行,通过频率调制,对电压进行调节。半桥LLC转换器的组成部件,包括:高端开关和低端开关、变压器、谐振槽(Lr和Cr)以及整流器输出级和电容器。
图5:半桥LLC转换器应用电路图
图6显示的典型工作波形,简要说明了半桥LLC转换器的工作原理。当高端开关接通时,半桥LLC转换器在供电(PD)模式下运行。在这个开关循环中,谐振回路受到正电压激励,因此电流正向谐振。当低端开关接通时,谐振回路则受到负电压激励,因此电流负向谐振。在PD运行模式下,谐振电流和磁化电流之间的电流差经由变压器和整流器传递到二次侧,从而实现给负载供电。
图6:半桥LLC转换器运行
除此之外,所有一次侧MOSFET均随ZVS谐振接通,从而完全回收存储在MOSFET寄生输出电容中的能量。与此同时,所有二次侧开关均随ZVS谐振关断,从而最大限度地降低通常与硬开关相关的开关损耗。LLC转换器中的所有开关器件均谐振操作,这最大限度地降低了动态损耗,提高了总体能效,特别是在从数百kHz至MHz不等的较高工作频率下。
为了实现高压开关的零电压开关(ZVS)工作,这三种拓扑都利用变压器中的循环电流来进行开关QOSS放电。显然,QOSS越大,所需循环电流越大、放电时间越长。循环电流会加剧变压器损耗(铁芯损耗和绕组损耗),而放电时间则会显著增加死区时间。死区时间会降低有效占空比,并导致电路中的RMS电流更大,从而增加导通损耗。因此,对于极高开关频率操作,最大限度地减少死区时间至关重要。GaN HEMT拥有优异的FOM(RDS(on)×QOSS),有助于减少死区时间和降低电路中的循环电流。归功于这个优点,以及低驱动损耗和零反向恢复,GaN HEMT是适用于ACF、HFB和半桥LLC转换器的完美之选。
CoolGaN™ IPS和65 W ACF转换器评估板
为进一步优化系统尺寸,英飞凌近期推出了CoolGaN™集成功率级(IPS),它采用散热增强型小型QFN封装,将600 V增强模式CoolGaN™开关与专用栅极驱动器集于一体。
为演示CoolGaN™ IPS的性能,专门开发了基于CoolGaN™ IPS IGI60F1414A1L的65 W有源钳位反激式转换器(图7)。[2]
图7:搭载CoolGaN™ IPS半桥的65 W ACF评估板正面视图
测得的能效曲线(图8)表明,其四点平均效率和10%负载条件效率均符合CoC Tier2和DoE Level VI效率要求。
图8:不同输入电压和负载条件下的ACF评估板能效曲线
总结
如今的高功率密度充电器和适配器应用常常使用GaN HEMT,因为相比于硅MOSFET,它们的优值系数(FOM)大为改善,可以实现高频开关。CoolGaN™ IPS技术在紧凑型封装中集成了栅极驱动器并可支持高工作频率,特别适用于有源钳位反激式(ACF)、混合反激式(HFB)和LLC转换器,因而有助于进一步提高充电器和适配器设计的功率密度。
如欲深入了解关于英飞凌的CoolGaN™ IPS产品组合及全面的解决方案,敬请访问我们的相关网站。还可以了解搭载IGI60F1414A1L(EVAL HB GANIPS G1)的高频CoolGaNTM IPS半桥600 V评估板。
相关推荐
描述 PMP20978 参考设计是一种高效率、高功率密度和轻量化的谐振转换器参考设计。此设计将 390V 输入转换为 48V/1kW 输出。PMP20637 功率级具有超过 140W/in^3
发表于 09-23 07:12
效率的转换器将是固定比率转换器。这些转换器不提供稳压,功耗极少。其高效率的优点可实现更高的功率密度和更便捷的热管理。何为固定比率转换器?图 1:双向固定比率转换器的工作原理与 K=1/16 的降压转换器一样,也
发表于 10-25 08:00
在PFC电路中使用升压转换器提高功率密度
发表于 11-02 19:16
。什么是功率密度?对于电源管理应用程序而言,功率密度的定义似乎非常简单:它指的是转换器的额定(或标称)输出功率除以转换器所占体积,如图1所示。图1:计算功率密度很容易,但如何定义标称功率和体积通常会导致歧义。 但
发表于 11-07 06:45
LLC转换器凭借简单、高效的优点而成为广泛用于PC、服务器和电视电源的拓扑结构。其谐振操作可实现全负载范围的软开关,从而成为高频和高功率密度设计的理想选择。此外,LLC转换器采用电容滤波器,无需输出
发表于 11-10 06:45
PCB。 图1:25A同步降压型转换器PCB布局和实施方案 本设计的主要原则是实现高功率密度和低材料清单(BOM)成本。它总共占用的PCB面积为2.2cm2(0.34in2),每单位面积产生的有效电流密度为11…
发表于 11-18 06:02
设计。为推出占位面积更小的解决方案,电源系统设计人员现在正集中研究功率密度(一个功率转换器电路每单位面积或体积的输出功率)的问题。 高密度直流/直流(DC/DC)转换器印刷电路板(PCB)布局最引人瞩目
发表于 11-18 06:23
怎么测量天线辐射下空间中某点的电磁功率(功率密度)?
发表于 10-16 16:32
%的紧凑型电子变压器。 这种紧凑型变压器的设计,首先遇到的问题是要在高功率密度和高效率两者间作折衷选择,其研制出的主要技术是使用铜箔交叠的平面绕组结构,以增加铜箔密度的方法减小在高频(MHz级
发表于 01-18 10:27
设计带来更低的温升更高的可靠性。 那么,在设计过程中如何才能提高电源模块产品的功率密度呢?工程师可以从下面三个方向入手:第一,工程师可以在线路设计过程中采用先进的电路拓朴和转换技术,实现大功率低损耗
发表于 01-25 11:29
封装中容纳更多的硅,从而实现比分立QFN器件更高的功率密度。这些器件还具有带裸露金属顶部的耐热增强型DualCool™封装。因此,尽管仍存在一些情况,即电动工具制造商可能更倾向于使用TO-220 FET来
发表于 08-21 14:21
猎头职位:硬件工程师(高功率密度ACDC硬件) (薪资:17-20K/月,具体面议)工作职责:1、负责采用软开关拓扑3kW-10kW的DCDC硬件方面设计;2、负责高功率密度ACDC硬件方面的开发
发表于 09-06 17:28
描述此设计展示了采用 TPS54478 的高功率密度 3A 同步降压转换器解决方案。输入电压范围为 3V - 6V。总体外形尺寸为 15.5mm x 7.8mm。
发表于 07-23 09:21
:25A同步降压型转换器PCB布局和实施方案本设计的主要原则是实现高功率密度和低材料清单(BOM)成本。它总共占用的PCB面积为2.2cm2(0.34in2),每单位面积产生的有效电流密度为11.3A
发表于 09-05 15:24
,安森美半导体包装和可靠性PP045功率器件测试的恢复拓扑结构Tomas Krecek,安森美半导体,CZ传感器,控制和保护PP058通过自动死区调谐实现半桥LC转换器的效率最大化Vittorio
发表于 10-18 09:14
大降低电压应力和电磁干扰(EMI),提高系统的可靠性。采用FDMF8811的隔离型DC-DC转换器被充分优化,以在最佳能效水平达到最高的功率密度。有了高度集成的、高性能的FDMF8811,实在没有理由再使用分立器件!请观看FDMF8811概述视频以了解更多关于该产品的优势。
发表于 10-24 08:59
各类应用的PFC和升压转换器时,往往面对在更小尺寸实现更高能效的挑战。这些全新的二极管能为工程师解决这些挑战。自从16多年前第一款SiC二极管问市以来,这一技术已经日益成熟,质量/可靠性测试和现场测试
发表于 10-29 08:51
克服了上述问题,可实现高功率密度、高效率 (达 99%) 的解决方案。这款固定比例、高电压、高功率开关电容器控制器内置 4 个 N 沟道 MOSFET 栅极驱动器,用于驱动外部功率 MOSFET,以
发表于 10-31 11:26
分立式电源解决方案和预先设计好的模块之间最常见的折衷之处就是,占据的空间和提供的相关功率密度的折衷。 功率密度衡量的是单位占用体积所转换功率的瓦数;通常表示为瓦特每立方英寸。如今大多数行业不断对设备
发表于 12-03 10:00
描述TPS53355 顶部电感器降压型降压转换器设计通过减小 X-Y PCB 面积来实现高功率密度,只需 1.8W 功率损耗便可产生大于 86% 的效率,仅需 5 个 100uF 陶瓷输出电容器即可
发表于 12-18 15:06
描述谐振转换器是常用的直流/直流转换器,通常用于服务器、电信、汽车、工业和其他电源应用。这些转换器性能(效率、功率密度等)高,且不断提高各种行业标准要求和功率密度目标,是中高级电源应用的理想之选。此
发表于 12-26 14:42
更高的功率密度。GaN的时代60多年以来,硅一直都是电气组件中的基础材料,广泛用于交流电与直流电转换,并调整直流电压以满足从手机到工业机器人等众多应用的需求。虽然必要的组件一直在持续改进和优化,但物理学
发表于 03-01 09:52
在隔离型DC/DC转换器设计,氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)具有低传导损耗、低开关损耗、低驱动功率及低电感等优点,可以实现更高功率密度、在高频时更大电流及高效以及在谐振设计的占空比更高,从而
发表于 04-04 06:20
往往更大。也就是说,降压转换器必须以低开关频率(例如,100kHz至200kHz)运行,以在高输入/输出电压下实现高效率。降压转换器的功率密度受到无源元件尺寸的限制,特别是大电感。可以通过增加开关频率
发表于 04-16 18:27
通过对同步交流对交流(DC-DC)转换器的功耗机制进行详细分析,可以界定必须要改进的关键金属氧化物半导体场效晶体管(MOSFET)参数,进而确保持续提升系统效率和功率密度。分析显示,在研发功率
发表于 07-04 06:22
使用更紧凑的无源元件。有鉴于此,开发人员可以利用某些技术显着降低功率转换器的开关损耗,从而降低成本。作者:Toshiba Electronics Europe GmbH欧洲LSI设计与工程中心首席工程师
发表于 07-18 06:21
电动工具中直流电机的配置已从有刷直流大幅转向更可靠、更高效的无刷直流(BLDC)解决方案转变。斩波器配置等典型有刷直流拓扑通常根据双向开关的使用与否实现一个或两个功率金属氧化物半导体场效应晶体管
发表于 08-01 08:16
从“砖头”手机到笨重的电视机,电源模块曾经在电子电器产品中占据相当大的空间,而且市场对更高功率密度的需求仍是有增无减。硅电源技术领域的创新曾一度大幅缩减这些应用的尺寸,但却很难更进一步。在现有尺寸
发表于 08-06 07:20
LLC转换器凭借简单、高效的优点而成为广泛用于PC、服务器和电视电源的拓扑结构。其谐振操作可实现全负载范围的软开关,从而成为高频和高功率密度设计的理想选择。此外,LLC转换器采用电容滤波器,无需输出
发表于 08-07 08:10
至 200 kHz) 下工作,以便在高输入/输出电压下实现高效率。降压型转换器的功率密度受到无源元件尺寸的限制,特别是电感尺寸的限制。可以通过增加开关频率来减小电感尺寸,但是因开关切换引起的损耗会
发表于 10-27 07:58
能量转换效率是一个重要的指标,各制造商摩拳擦掌希望在95%的基础上再有所提升。为了实现这一提升,开始逐渐采用越来越复杂的转换拓扑,如移相全桥(PSFB)和LLC变换器。而且二极管将逐渐被功耗更低
发表于 10-27 10:46
适配器。此外,不同的便携式设备内部的电池数串联节数也有可能不同。这就要求电池充电器集成电路(IC)采用降压-升压拓扑结构, 去适应输入电压和电池电压的这些任意的变化。 具有高功率密度的降压-升压充电芯片
发表于 10-27 08:10
开发人员来说,功率密度是一个始终存在的挑战,对各种电压下更高电流的需求(通常远低于系统总线)带来了对更小的降压稳压器的需求,这样的稳压器可通过一个单极里的多个放大器,将电压从高达48 V降至1 V,使其
发表于 10-28 09:10
LLC转换器凭借简单、高效的优点而成为广泛用于PC、服务器和电视电源的拓扑结构。其谐振操作可实现全负载范围的软开关,从而成为高频和高功率密度设计的理想选择。此外,LLC转换器采用电容滤波器,无需输出
发表于 10-30 06:57
实现功率密度非常高的紧凑型电源设计的方法
发表于 11-24 07:13
传统变压器介绍高功率密度变压器的常见绕组结构
发表于 03-07 08:47
什么是功率密度?功率密度的发展史如何实现高功率密度?
发表于 03-11 06:51
什么是功率密度?限制功率密度的因素有哪些?
发表于 03-11 08:12
如何用PQFN封装技术提高能效和功率密度?
发表于 04-25 07:40
的需求是希望将每个机架的功率密度能提高到100kW,从而减少整体尺寸。其实,完全可以通过使用 48V 背板和配电来实现这一需求,然而这种方法却存在诸多挑战,因为它无法依靠传统同步 Buck 降压调节器将
发表于 05-26 19:13
的。这款转换器中的开关损耗接近于零,因而该转换器能在极高的开关频率下工作,频率高达几MHz,因而可实现超高的功率密度。此外,在二次侧上实现完全零电流开关(ZCS)并在一次侧实现部分ZCS(误差是由磁化
发表于 11-20 08:00
功率电子转换器开发人员不断努力以最高效率实现更高的转换器功率密度。考虑到减少二氧化碳排放和负责任地使用电能和材料的共同目标,这一点变得更加重要。为了实现进一步的改进,特别是在DC/DC转换器
发表于 02-20 15:32
中红外激光功率密度探测单元的研制
摘要:采用室温光导型HgCdTe探测器,研制了可用于中红外激光功率密度测量的探测单元,主要包括衰减片、探测器
发表于 04-28 16:05
•10次下载
正弦振幅转换器拓扑在中转母线架构应用中实现了一流的效率和功率密度
发表于 01-07 10:31
•7次下载
自适应单元转换器拓扑结构有助于实现高功率密度、 带功率因数校正之通用输入AC-前端的恒定效率
发表于 01-07 10:31
•21次下载
正弦振幅转换器拓扑在中转母线架构应用中实现了一流的效率和功率密度
发表于 06-02 15:41
•15次下载
自适应单元转换器拓扑结构有助于实现高功率密度、 带功率因数校正之通用输入AC-前端的恒定效
发表于 06-02 16:15
•8次下载
由于新一代的芯片制造技术越趋精密,例如管芯更小,而电源芯片的工艺技术则更为先进,因此即使与5年前相比,电源转换集成电路的功率密度也有大幅的提升,令美国国家半导体可以生产效率更高的电源转换芯片。
发表于 05-21 10:39
•5次下载
功率密度在现代电力输送解决方案中的重要性和价值不容忽视。为了更好地理解高功率密度设计的基本技术,在本文中,我将研究高功率密度解决方案的四个重要方面:降低损耗,最优拓扑和控制选择,有效的散热,通过机电
发表于 11-19 15:14
•11次下载
高功率密度系统需要大电流转换器
发表于 03-21 12:38
•10次下载
LTM4600-10A DC/DC uModule在紧凑的封装中提供更高的功率密度
发表于 05-10 12:28
•5次下载
电子发烧友网站提供《具有集成电感的高功率密度12V输入12.6W降压转换器.zip》资料免费下载
发表于 09-08 14:32
•0次下载
电子发烧友网站提供《具有高电压GaN FET的高效率和高功率密度1kW谐振转换器设计.zip》资料免费下载
发表于 09-07 11:30
•4次下载
电子发烧友网站提供《高功率密度12V输入、11.8W顶部电感式降压转换器设计.zip》资料免费下载
发表于 09-08 09:21
•0次下载
功率密度基础技术简介
发表于 10-31 08:23
•1次下载
Picorpower推出60-W dc/dc转换器PI3101,创新了尺寸和功率密度基准,PI3101冷却电源高密度隔离dc/dc转换器在现有一半尺寸的解决方案内提供60W输出功率,功率密度为105W/in.2,创建新的功率
发表于 06-11 11:20
•839次阅读
对于现代的数据与电信电源系统,更高的系统效率和功率密度已成为核心焦点,因为小型高效的电源系统意味着节省空间和电费账单。
发表于 07-14 09:15
•2450次阅读
与传统的并联输出级晶体管相比,交错式DC/DC转换器拓扑结构能够实现更高效率的设计,且仍然有改进的余地,交错方法还能显著降低对输入电感和电容的要求。
发表于 07-15 11:47
•1530次阅读
麦瑞半导体公司(Micrel, Inc.)推出了面向高功率密度直流—直流应用的新型SuperSwitcher II(TM)系列集成MOSFET的降压稳压器产品。
发表于 02-03 09:09
•808次阅读
功率驱动器的解决方案。该系列采用飞兆在DrMOS方面的专业技术,为高性能计算和电信系统中的同步降压DC-DC转换器等应用提供高效率、高功率密度和高开关频率性能。
发表于 11-14 16:57
•1503次阅读
意法半导体新款的MDmesh™ MOSFET内置快速恢复二极管
提升高能效转换器的功率密度
发表于 09-21 16:31
•5643次阅读
正弦振幅转换器,简称 “SAC”拓扑,是Vicor VI晶片和总线转换器 (IBC)的核心结构。本片解破 “正弦振幅转换” 拓扑的工作原理, 並阐明如何把转换效率提升至98%。
发表于 06-19 10:36
•5522次阅读
关键词:PowerSoC , Enpirion , FPGA电源 按照系统要求,将芯片经过全面测试和特征化从而实现高品质保证,该最新的PowerSoC 实现56W/cm2高功率密度,解决方案相比业界
发表于 08-08 12:39
•177次阅读
使用较小组件的一种方法是使用更高开关频率。但是,更高的开关频率会导致更高的开关损耗,从而降低转换效率。但是,通过为频率选择正确的拓扑结构,可以最小化开关损耗以实现高效率。让我们看一个例子,Vicor的ChiP总线转换器模块(BCM)。
发表于 02-19 08:27
•3651次阅读
XP Power正式宣布推出两款超宽输入范围、高性价比、高功率密度的DC-DC转换器,适用于铁路牵引和铁路车辆。
发表于 02-22 08:34
•4175次阅读
视频简介:正弦振幅转换器,或SAC拓扑结构,是Vicor高性能的VI Brick中间母线转换器背后的推动力。它是一个基于变压器的串联谐振拓扑结构。一种可能实现的拓扑结构包括了全桥初级和中心抽头整流器
发表于 03-18 06:14
•3764次阅读
为了实现更小尺寸的解决方案,设计人员现在专注于可用功率密度,以从转换器电路中提取每单位面积或体积的最大功率。
发表于 08-14 02:34
•1146次阅读
为了更好地理解对功率密度的关注,让我们看看实现高功率密度所需的条件。即使是外行也能看出,效率、尺寸和功率密度之间的特殊关系是显而易见的。
发表于 08-20 11:12
•990次阅读
功率密度在现代电力输送解决方案中的重要性和价值不容忽视。 为了更好地理解高功率密度设计的基本技术,在本文中,我将研究高功率密度解决方案的四个重要方面: 降低损耗 最优拓扑和控制选择 有效的散热 通过
发表于 10-20 15:01
•235次阅读
峰值功率,并具有高达1540W的额定连续输出功率,因此成为了当今市场上最高功率密度的数字DC/DC隔离转换器。
发表于 12-10 11:32
•1023次阅读
基于系统效率和功率密度发展趋势示意图,我们可以清晰的看出,在最近的十年间系统的效率和功率密度有了巨大的提升,尤其以服务器和通信电源为显著。这一巨大的提升是如何实现的呢?它主要是通过尝试新的拓扑结构
发表于 03-12 09:46
•2103次阅读
在本文中,我们将讨论一些设计技术,以在不影响性能的情况下实现更高的功率密度。
发表于 09-13 11:29
•1093次阅读
Flex Power Modules推出BMR310——一款非隔离式开关电容中间总线转换器(IBC),可为数据中心提供高功率密度供电,从而提高电路板空间利用率,为其他组件释放空间。
发表于 09-17 14:27
•2236次阅读
本文介绍了文献中描述的流行的 LLC 和 LLC 派生双向转换器拓扑。 为车载充电器 (OBC) 选择 DC-DC 转换器方案基于效率、性能和功率密度目标,因此首选谐振转换器。本文介绍了文献中描述
发表于 10-11 14:46
•7718次阅读
功率密度值比较解决方案时的细节。
什么是功率密度?
对于电源管理应用程序而言,功率密度的定义似乎非常简单:它指的是转换器的额定(或标称)输出功率除以转换器所占体积,如图1所示。
图1:计算功率密度
发表于 01-14 17:10
•1252次阅读
本文阐述了如何将英飞凌的CoolGaN™集成功率级(IPS)技术应用于有源钳位反激式(ACF)、混合反激式(HFB)和LLC转换器拓扑。
发表于 03-29 17:41
•1658次阅读
功率半导体注定要承受大的损耗功率、高温和温度变化。提高器件和系统的功率密度是功率半导体重要的设计目标。
发表于 05-31 09:47
•1350次阅读
当今充电器和适配器应用中最流行的电源转换器拓扑是准谐振 (QR) 反激拓扑,这要归功于其简单的结构和控制、低物料清单成本以及由于谷底开关操作而产生的高效率。然而,开关的频率相关开关损耗和变压器的泄漏能量损耗限制了 QR 反激转换器的最大开关频率,从而限制了功率密度。
发表于 07-29 08:06
•771次阅读
电力电子领域的各种应用。MOSFET 的基本特性之一是其能够承受甚至非常高的工作电流、卓越的性能、稳健性和可靠性。该LFPAK88 MOSFET 提供出色的性能和高可靠性。LFPAK88 封装设计用于比 D²PAK 等旧金属电缆封装小尺寸和更高的功率密度,适用于当今空间受限的高功率汽车应用。
发表于 08-09 08:02
•1051次阅读
以 TPS566242 降压转换器为例,如图 1 中所示。新的工艺节点通过集成功能并提供额外的接地连接优化了引脚布局,有助于在 1.6mm x 1.6mm SOT-563 封装中提供 6A 输出电流。
发表于 10-14 17:42
•473次阅读
一般电驱动系统以质量功率密度指标评价,电机本体以有效比功率指标评价,逆变器以体积功率密度指标评价;一般乘用车动力系统以功率密度指标评价,而商用车动力系统以扭矩密度指标评价。
发表于 10-31 10:11
•1562次阅读
本文将介绍实现更高电源功率密度的 3 种方法,工艺技术创新、电路设计技术优化、热优化封装研发
发表于 12-22 11:59
•149次阅读
也显而易见,更少的组件,更高的集成度以及更低的成本。 更高的功率密度和温度 功率密度是在给定空间内可处理多少功率的度量,基于转换器的额定功率以及电源组件的体积计算得出。电流密度也是一种与功率密度有关的指标,转
发表于 12-26 07:15
•256次阅读
功率半导体注定要承受大的损耗功率、高温和温度变化。提高器件和系统的功率密度是功率半导体重要的设计目标。
发表于 02-06 14:24
•401次阅读
IS6630A/C/D全开关模式转换器,采用3mm*3mm*0.85mm QFN封装,可为SDRAM提供超高功率密度的一体化电源解决方案,内含固定LDO输出,支持宽输入电压(4.5V~22V)并提供高达10A的连续输出电流。
发表于 03-07 18:08
•165次阅读
交通应用中电气化的趋势导致了高功率密度电力电子转换器的快速发展。高开关频率和高温操作是实现这一目标的两个关键因素。
发表于 03-30 17:37
•498次阅读
评论