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功率场效应晶体管的三个引脚符号

h1654155282.3538 来源:陈翠 2019-10-11 10:51 次阅读

功率场效应晶体管

功率场效应晶体管(VF)又称VMOS场效应管。在实际应用中,它有着比晶体管和MOS场效应管更好的特性。

功率场效应晶体管的三个引脚符号

场效应管也是一种晶体三极管,也有三个极,分别叫源极S,栅极G,漏极D。

功率场效应晶体管优点

1、具有较高的开关速度。

2、 具有较宽的安全工作区而不会产生热点,并且具有正的电阻温度系数,因此适合进行并联使用。

3、具有较高的可靠性。

4、 具有较强的过载能力。短时过载能力通常额定值的4倍。

5、具有较高的开启电压,即是阈值电压,可达2~6V(一般在1.5V~5V之间)。当环境噪声较高时,可以选 用阈值电压较高的管子,以提高抗干扰能力;反之,当噪声较低时,选用阈值电压较低的管子,以降低所需的输入驱动信号电压。给电路设计带来了极大地方便。

6、由于它是电压控制器件,具有很高的输入阻抗,因此其驱动功率很小,对驱动电路要求较低。由于这些明显的优点,功率场效应晶体管在电机调速,开关电源等各种领域应用的非常广泛。

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    总的来说,场效应晶体管可区分为耗尽型和增强型两种。耗尽型场效应晶体管(D-FET)就是在0栅偏压时存在沟道、能够导电的FET;增强型场效应晶体管(E-FET)就是在0栅偏压时不存在沟道、不能
    发表于 02-02 11:55 2w次阅读

    东芝面向超低功率MCU开发隧穿场效应晶体管

    东京—东芝公司(TOKYO:6502)今天宣布面向超低功率微控制器(MCU)开发采用新工作原理的隧穿场效应晶体管(TFET)。
    发表于 10-08 18:40 1287次阅读

    场效应晶体管有哪几种分类_场效应晶体管作用是什么

    场效应晶体管(英语:field-effecttransistor,缩写:FET)是一种通过电场效应控制电流的电子元件。它依靠电场去控制导电沟道形状,因此能控制半导体材料中某种类型载流子的沟道的导电性。
    发表于 12-20 17:54 1.2w次阅读

    有机场效应晶体管是什么_有机场效应晶体管介绍

    本文从基本结构、工作原理、应用研究三个方面介绍了有机场效应晶体管
    发表于 01-03 14:20 2.2w次阅读
    有机<b>场效应晶体管</b>是什么_有机<b>场效应晶体管</b>介绍

    隧穿场效应晶体管是什么_隧穿场效应晶体管的介绍

    隧穿场效应晶体管(Tunneling Field-Effect Transistor或者TFET)的工作原理是带间隧穿(Band-to-band tunneling或者BTBT)。
    发表于 01-03 15:32 2.4w次阅读
    隧穿<b>场效应晶体管</b>是什么_隧穿<b>场效应晶体管</b>的介绍

    场效应晶体管六大选择技巧

    ,因此正确挑选场效应晶体管是硬件工程师常常碰到的难点之一,也是极其重要的1环节,场效应晶体管的挑选,有可能直接影响到一整块集成运放的速率和制造费,下面为方便电子工程师快捷精确的挑选场效应晶体管,可以从下列六大技巧下手。
    的头像 发表于 08-18 10:07 4656次阅读

    功率场效应晶体管的工作特性

    功率MOS场效应晶体管,即MOSFET,其原意是:MOS(MetalOxideSemiconductor金属氧化物半导体),FET(FieldEffectTransistor场效应晶体管),即以金属层(M)的栅极隔着氧化层(O)利用电场的效应来控制半导体(S)的场效应晶体管
    的头像 发表于 10-11 10:26 8599次阅读
    <b>功率</b><b>场效应晶体管</b>的工作特性

    功率场效应晶体管的特点_功率场效应晶体管的参数

    MOSFET的类型很多,按导电沟道可分为P沟道和N沟道;根据栅极电压与导电沟道出现的关系可分为耗尽型和增强型。功率场效应晶体管一般为N沟道增强型。
    的头像 发表于 10-11 10:33 6857次阅读
    <b>功率</b><b>场效应晶体管</b>的特点_<b>功率</b><b>场效应晶体管</b>的参数

    FET场效应晶体管扫盲

    一、什么是FET FET是Field Effect Transistor的缩写,称为场效应晶体管。它是晶体管的一种。通常所说的晶体管是指双极晶体管场效应晶体管的工作方式是沟道中的多数载流子在电场
    发表于 03-23 11:03 6574次阅读
    FET<b>场效应晶体管</b>扫盲

    鳍式场效应晶体管之父

    场效应晶体管有4部分——1源极、1漏极、一连接这两者的导电通道和一控制沿通道电流的栅极。由于这些器件被做得更小,人们开始注意到晶体管的性能随着长期使用在改变。这一改变在短期测试中无法显现,企业也很难预测。
    的头像 发表于 08-17 09:36 5175次阅读

    场效应晶体管的分类说明

    场效应晶体管根据其结构的不同分类,体(金属氧化物半导体型)两大类。可分为以下5种。可分为结型场效应晶体管与绝缘栅型场效应晶体管
    的头像 发表于 09-18 14:08 5356次阅读

    MOS场效应晶体管使用注意事项_MOS场效应管安装及拆卸流程

    MOS场效应晶体管在使用时应注意分类,不能随意互换。MOS场效应晶体管由于输入阻抗高(包括MOS集成电路)极易被静电击穿,使用时应注意以下规则。
    的头像 发表于 10-02 18:06 5448次阅读

    场效应晶体管放大电路详解

    场效应晶体管的源极、漏极和栅极分别相当于晶体管的发射极、集电极和基极。对应于晶体管放大电路,场效应晶体管放大电路也有种组态:共源极放大电路、共漏极放大电路和共栅极放大电路,其特点分别和晶体管放大电路中的共射极、共集电极、共基极放大电路类似。
    发表于 11-30 09:30 703次阅读

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