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电子发烧友网>存储技术>SK海力士如何将NAND4技术应用于未来的UFS

SK海力士如何将NAND4技术应用于未来的UFS

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SK海力士收购Intel的NAND闪存业务后销售额大涨

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SK海力士出资600亿收购英特尔NAND闪存及存储业务!

据国外媒体报道,SK海力士宣布出资600亿收购英特尔NAND闪存及存储业务! SK海力士已在官网宣布了他们收购英特尔NAND闪存及存储业务的消息,SK海力士在官网上表示,两家公司已经签署了相关
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SK海力士收购英特尔NAND业务,国产存储芯片企业将会受益?

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SK海力士机密信息被盗

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SK海力士已经发现内存和NAND芯片供过于求的迹象,但日韩贸易争端正在威胁和影响到制造芯片所需的市场环境。
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SK海力士宣布已向主要SSD(固态硬盘)控制器公司提供新的1Tb QLC NAND样品,并开发了自己的QLC软件算法和控制器,计划扩大基于96层1Tb QLC 4D NAND的组合产品。
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SK海力士近日正式宣布,已成功开发并开始量产世界上第一款128层1Tb TLC 4D NAND闪存芯片。而就在8个月前,该公司宣布了96层4D NAND芯片。
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SK海力士全球首个量产128层堆叠4D闪存:冲击176层

SK海力士宣布,已经全球第一家研发成功,并批量生产128层堆叠的4D NAND闪存芯片,此时距离去年量产96层4D闪存只过去了八个月。
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受华为事件影响,SK海力士无锡二工厂推迟投产计划

对于SK海力士而言,无锡工厂承担SK海力士存储半导体生产总量的一半份额。
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SK海力士着重转换细微工程 未来停止生产成本相对高的3DNAND初期产品

SK海力士今年第一季财报和当初预期相同,受存储器行情影响,营收和营益骤减,对此SK海力士准备以强化技术、调整生产线应对市场,预计今年NAND晶圆投入量将比去年减少10%以上。
2019-04-26 17:40:413585

SK海力士宣布停产36层和48层3D NAND 准备以强化技术应对市场

SK海力士今年第一季财报和当初预期相同,受存储器行情影响,营收和营益骤减,对此SK海力士准备以强化技术、调整生产线应对市场,预计今年NAND晶圆投入量将比去年减少10%以上。
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SK海力士无锡二工厂项目竣工 确保中长期竞争力

4月18日,SK海力士半导体(中国)有限公司(下简称“SK海力士”)举行主题为“芯的飞跃、芯的未来”的竣工仪式,宣布SK海力士二工厂项目竣工。
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SK海力士斥资1000亿美元建4座晶圆厂

据路透社报道,韩国SK海力士今日表示,投资1070亿美元建设四家工厂。报道称,SK海力士此举是要在中国力图成为芯片制造领先国家的背景下,继续保持竞争力。
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存储器半导体市场迎来寒冬 SK海力士预计减少4成投资

受中美贸易战、全球IT产业景气低迷影响,今年存储器半导体市场得度过一段寒冬,SK海力士预计将设备投资比去年减少4成。另一方面,随着服务器用DRAM和NAND闪存的需求和价格一同下跌,SK海力士计划灵活应对市场行情。
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DRAM,NAND闪存价格分别下降11%,21% SK海力士预计今年设备投资削减40%

去年,SK海力士设备总投资达17万亿韩元(约合151亿美元),预计2019年设备投资与去年相比减少40%。 由于中美贸易争端和全球IT行业放缓的影响,今年内存半导体市场预计冷淡,SK海力士已经开始
2019-01-27 00:35:008515

SK海力士预计将设备投资比去年减少4

受中美贸易战、全球IT产业景气低迷影响,今年存储器半导体市场得度过一段寒冬,SK海力士预计将设备投资比去年减少4成。另一方面,随着服务器用DRAM和NAND闪存的需求和价格一同下跌,SK海力士计划灵活应对市场行情。
2019-01-26 10:40:343027

为满足NAND Flash市场增加的需求 SK海力士宣布将建新存储器晶圆厂

SK海力士宣布将在忠清北道清州市新建一个存储器晶圆厂,满足NAND Flash市场增加的需求。新工厂坐落在清州科技园。SK海力士下个月开始设计外部的建设,2017年8月到2019年6月期间完成洁净室的装备,总投资达2.2兆韩元(18.4亿美金)。
2018-12-03 08:52:561492

SK海力士研发完成基于1Ynm工艺的DDR4 DRAM芯片

11月12日消息,SK Hynix(SK海力士)宣布研发完成基于1Ynm工艺的8Gb(1GB)容量DDR4 DRAM芯片。
2018-11-13 09:50:352943

SK海力士公司宣布主要应用于3D闪存的CTF结构与PUC技术结合起来

SK海力士能否凭借新产品在竞争力相对弱势的NAND闪存市场站稳脚跟并争取NAND闪存市场的主导权,倍加受人关注。SK海力士在全球D-RAM市场仅次于三星电子排名第二,但在NAND闪存市场却以大约10
2018-11-09 15:49:514547

SK海力士韩国M15工厂落成 总投资15万亿韩元

SK海力士完成M15工厂有两大意义。首先,NAND Flash快闪存储器因为工业4.0应用而快速成长,而新工厂帮助SK海力士更积极因应全球对3D NAND Flash快闪存储器的需求。
2018-10-12 16:17:004649

SK海力士计划明年增产96层3D NAND闪存

SK海力士在清州建设M15工厂的建成仪式将于9月17日在清州举行。SK海力士计划通过从明年初开始增产96层3D NAND闪存的策略,来巩固其市场主导地位。
2018-09-07 16:59:043025

SK海力士宣布推出全球首款4D闪存,已经推进到了128层堆叠

首先是3D NAND技术路线选择,SK海力士称,CTF(Charge Trap Flash,电荷捕获型)比Floating Gate(浮栅型)存储单元面积更小、速度更快、更耐用(P/E次数多)
2018-08-12 10:55:153719

新一代立体堆叠闪存方案有什么优势?美光,SK海力士,长江存储等都在使用

今年的闪存技术峰会,美光、SK海力士包括长江存储都宣布了新一代的立体堆叠闪存方案,SK海力士称之为“4D NAND”,长江存储称之为Xtacking,美光则称之为“CuA”。CuA是CMOS under Array的缩写
2018-08-12 09:19:286506

传紫光将与SK海力士就闪存技术许可达成合作

网上有传闻紫光集团已经和SK海力士达成了合作,合作的内容是就芯片闪存技术许可相关事宜。不久紫光集团马上出来澄清,表示未与SK海力士进行任何事宜谈判或合作,纯属捕风捉影的市场传言。
2017-12-27 15:53:00681

SK海力士计划在中国设立合资工厂,扩展芯片代工业务

受益于DRMA和NAND市场需求,SK海力士在存储领域的地位大幅提升。据报道,SK海力士将会考虑在中国涉足芯片代工业务,设立一家合资工厂,为没有半导体制造工厂的公司制造芯片。
2017-12-20 15:40:481245

SK海力士提升为集团子公司的“利与弊”

据海外媒体报道,韩国SK集团(SK Group)为了提升股东价值,针对五大新事业领域加强对外购并。但身为集团金牛的SK海力士SK Hynix)却位在叠床架屋的组织框架底部,引发外界猜测SK集团进行整体结构调整,让SK海力士升格为直属于集团的子公司。
2017-01-11 09:46:483170

SK 海力士发布全球最高密度移动 8GB DRAM

SK 海力士周一发布全球最高密度、低耗能移动 DRAM,应用于未来智能手机上。 海力士运用双通道 16 Gigabit 双通道芯片打造出低耗电 DDR4X 移动 DRAM,容量达 8GB。以 LPDDR4X 标准而言,SK 海力士新内存芯片密度是全球最高,功效则较现有 LPDDR4 提高两成。
2017-01-10 11:55:12709

SK海力士高层变动 车用半导体发展重点

意味SK集团将以SK海力士为中心,加速发展汽车事业。据朝鲜日报报导,SK集团似乎有意SK海力士调整为直属于集团的子公司,内部正准备SK电信(SK Telecom;SKT)转换为中间持股公司进行结构调整。
2016-12-30 09:10:39951

SK海力士72层3D NAND存储器明年量产

SK 海力士最先进72 层3D NAND 记忆体传明年开始量产,韩联社26 日引述知情人事消息报导指出,海力士计划于2017 上半年完成芯片设计,位在利川(Icheon)的M14 厂将可在下半年开始生产。
2016-12-27 14:15:11974

SK海力士72层3D NAND内存传2017年领先全球量产

SK 海力士最先进 72 层 3D NAND 内存传明年开始量产,韩联社 26 日引述知情人事消息报导指出,海力士计划于 2017 上半年完成芯片设计,位在利川(Icheon)的 M14 厂将可在下半年开始生产。
2016-12-27 09:06:351171

Spansion与SK海力士宣布NAND战略合作

  2012年4月5日,中国上海 –Spansion公司(纽约证交所代码:CODE)与SK海力士公司近日宣布结成战略同盟,并针对嵌入式应用市场发布4x、3x、2x节点Spansion SLC NAND产品。基于双方合作开发
2012-04-06 09:05:39771

海力士半导体公司更名为SK海力士公司

近日,制造商Hynix半导体公司更名为SK海力士公司,早在今年二月,移动网络运营商SK电信有限公司以3.34万亿韩元(约30亿美元)收购海力士21%的股份。
2012-03-28 10:25:311502

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