文章:化合物半导体的晶圆级封装 编号:JFKJ-21-033 作者:炬丰科技 抽象的微电子行业已经为大批量制造实施了许多不同的晶圆级封装 (WLP) 技术,包括:UBM 沉积、焊料凸点、晶圆减薄和切割。这些技术在许多合同制造公司成功开发和实施,然后授权给许多半导体制造商和代工厂。这些技术的最大产量是硅基半导体。对这些 WLP 工艺的不断改进和修改,使其与多年来观察到的硅半导体技术变化兼容。这些行业变化包括:从铝到铜互连冶金的转变、晶圆尺寸的增加、焊盘间距的减小以及低 K 电介质的使用。相比之下,将这些 WLP 技术直接转移到化合物半导体器件,如 GaAs、SiC、InP、GaN 和蓝宝石;由于一些技术兼容性问题、一些感知的兼容性问题和一些业务问题而受到限制 [1-4] ......
处理规则· 没有金属直接沉积在气桥上(残留物) · 与晶圆顶部无机械接触(损坏气桥) · 无超声波(晶片损坏) 略 略 为了遵守这些规则,一系列旋涂抗蚀剂和薄膜层压工艺被用来保护晶圆在加工过程中免受损坏和晶圆厂免受交叉污染。以下是本研究中执行的所有单独工艺步骤的概述,包括抗蚀剂和层压操作。 工艺流程A. UBM 沉积 沉积钛/铜帽金属 1. 涂层和图案剥离抗蚀剂 3. 剥离抗蚀剂 Ni/Au UBM 沉积 4. 涂层和图案正面抗蚀剂 5. 层压背面膜 6. 电镀化学镀镍和金 7. 略 8. 略
晶圆减薄在凸块之后,许多器件设计要求在分割前将晶圆减薄 [18]。研磨过程本质上是机械性质的,必须特别小心以保护晶片的正面。在这项研究中,将旋涂抗蚀剂沉积在晶片的前表面,然后在抗蚀剂顶部层压 UV 剥离胶带。一些额外的研究表明,如果使用柔顺且不会损坏空气桥的特殊层压薄膜,则可以消除旋涂抗蚀剂步骤......
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