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书籍:《炬丰科技-半导体工艺》 文章:半导体器件制造工艺 编号:JFSJ-21-127 作者:炬丰科技 网址:http://www.wetsemi.com/index.html 摘要: 半导体器件制造工艺的成分: 1.块状材料,例如 Si、Ge、GaAs 2.创造的掺杂物 p- 和 n-类型区域 3.进行接触的金属化 4.钝化保护半导体表面免受电气和化学污染 (1)背面接触(通常为 P 扩散或注入)——此处P掺杂多晶硅(稍后讨论) (2)在背面沉积二氧化硅 (3)顶面热氧化 (4)二氧化硅的光刻和蚀刻 (5)硼掺杂以形成 p 型电极并随后去除背面氧化物 (6)铝金属化和图案化以形成触点 文章全部详情,请加V获取:hlknch / xzl1019 如有侵权,请联系作者删除 ` |
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