MOSFET的独特器件特性意味着它们对栅极驱动电路有特殊的要求。了解这些特性后，设计人员就可以选择能够提高器件可靠性和整体开关性能的栅极驱动器。在这篇文章中，我们讨论了SiC MOSFET器件的特点以及它们对栅极驱动电路的要求，然后介绍了一种能够解决这些问题和其它系统级考虑因素的IC方案。
2023-08-03 11:09:57
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场效应管？
选择合适的栅极驱动器来匹配 MOSFET 对于设计最佳系统至关重要。错误的选择会不必要地增加 MOSFET 的开关损耗，从而降低系统效率。但也是一个错误的选择会大大增加噪声，可能会增加VS下冲、HO或LO尖峰，并且在极端，导致击穿，损坏 MOSFET 和
2023-07-24 15:51:43
0 栅极（Gate），漏极（Drain）和源极（Source）。功率MOSFET为电压型控制器件，驱动电路简单，驱动的功率小，而且开关速度快，具有高的工作频率。常用的MOSFET的结构有横向双扩散型
2016-10-10 10:58:30
功率 MOSFET 是一种电压控制型器件，可用作电源电路、电机驱动器和其他系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET 的其他端子是源极和漏极。
为了操作 MOSFET，通常须将一个电压施加于栅极（相对于源极或发射极）。使用专用驱动器向功率器件的栅极施加电压并提供驱动电流。
2023-05-17 10:21:39827 
MOSFET作为主要的开关功率器件之一，被大量应用于模块电源。了解MOSFET的损耗组成并对其分析，有利于优化MOSFET损耗，提高模块电源的功率;但是一味的减少MOSFET的损耗及其他方面的损耗
2023-04-18 09:22:02460 具体而言，大电流栅极驱动器可以通过最小化开关损耗来帮助提高整体系统效率。当 FET 打开或打开和关闭时，会发生开关损耗。要打开FET，栅极电容必须充电超过阈值电压。栅极驱动器的驱动电流有利于栅极电容
2023-04-07 10:23:29502 
功率 MOSFET 是一种电压控制型器件，可用作电源电路、电机驱动器和其他系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET 的其他端子是源极和漏极。
2023-04-04 09:58:39434 1.PWM直接驱动驱动主开关晶体管栅极的最简单方法是利用 PWM 控制器的栅极驱动输出，如图（1）如 图 8中所示，PWM 控制器和 MOSFET 之间可能有较大距离。由于栅极驱动和接地环路迹线
2023-02-24 10:45:171 栅极驱动参考 1.PWM直接驱动2.双极Totem-Pole驱动器3.MOSFET Totem-Pole驱动器4.速度增强电路5.dv/dt保护 1.PWM直接驱动 在电源应用中，驱动主开关
2023-02-23 15:59:0010 本文将探讨功率开关MOSFET的栅极驱动相关的损耗，即下图的高边和低边开关的“PGATE”所示部分。栅极电荷损耗是由该例中外置MOSFET的Qg（栅极电荷总量）引起的损耗。
2023-02-23 10:40:50227 
说明：IGBT 功率器件损耗与好多因素相关，比如工作电流，电压，驱动电阻。在出设计之前评估电路的损耗有一定的必要性。在确定好功率器件的驱动参数后（驱动电阻大小，驱动电压等），开关器件的损耗基本上
2023-02-22 14:05:542 MOSFET和IGBT等的开关损耗问题，那就是带有驱动器源极引脚（所谓的开尔文源极引脚）的新封装。在本文——“通过驱动器源极引脚改善开关损耗”中，将介绍功率开关产品具有驱动器源极引脚的效果以及使用注意事项。
2023-02-09 10:19:18358 
特别是对于SiC MOSFET，栅极驱动器IC必须将开关和传导损耗（包括导通和关断能量）降至最低。
2023-02-06 14:27:17244 IGBT/功率MOSFET是一种电压控制器件，用作电源电路和电机驱动器等系统中的开关元件。栅极是每个设备的电气隔离控制端子。 MOSFET的其他端子是源极和漏极，对于IGBT，它们被称为集电极
2023-01-30 17:17:12730 
在电力电子领域，例如在驱动技术中，IGBT经常用于高电压和高电流开关。这些功率晶体管是电压控制的，在开关过程中产生其主要损耗。为了最大限度地降低开关损耗，希望开关时间短。然而，快速开关同时隐藏了高压
2022-12-22 11:09:19841 
点击蓝字 关注我们 介绍 本文讲述了一种运用功率型MOSFET和IGBT设计 高性能自举式栅极驱动电路的系统方法，适用于高频率，大功率及高效率的开关应用场合。不同经验的电力电子工程师们都能从中获益
2022-12-12 21:25:051518 MOSFET有两大类型：N沟道和P沟道。在功率系统中，MOSFET可被看成电气开关。例如N沟道MOSFET的栅极和源极间加上正电压时，当VGS电压达到MOSFET的开启电压时，MOSFET导通等同开关导通，有IDS通过，实现功率转换。
2022-11-28 15:53:05427 本文介绍了三个驱动MOSFET工作时的功率计算 以及通过实例进行计算 辅助MOSFET电路的驱动设计中电流的计算 不是mosfet导通电流 是mosfet栅极驱动电流计算和驱动功耗计算
2022-11-11 17:33:0329 MOSFET/IGBT的开关损耗测试是电源调试中非常关键的环节，但很多工程师对开关损耗的测量还停留在人工计算的感性认知上，PFC MOSFET的开关损耗更是只能依据口口相传的经验反复摸索，那么该如何量化评估呢?
2022-10-19 10:39:231216 功率 MOSFET 是最常见的功率半导体，主要原因是因为其栅极驱动需要的功率小、以及快速的切换速度，使其成为电机驱动时最常用的功率半导体。本文将为您简介功率 MOSFET 的技术特性，以及由安森美（onsemi）推出的NTBLS1D5N10MC功率MOSFET的产品特性。
2022-09-27 15:17:561143 
。功率MOSFET和IGBT具备隔离的栅极体，因此更容易驱动器。功率MOSFET的缺点是增益小，偶尔栅极驱动的电压甚至是少于实际要控制的电压。 TOREX功率MOSFET是通用型N/P通道MOSFET，具备低导通电阻和高速电源开关特性。适合于各种设备应用，如继电器电路和开关电源电路
2022-08-16 14:30:56550 MOSFET和IGBT栅极驱动器电路的基本原理
2021-11-29 16:29:1756 和计算开关损耗，并讨论功率MOSFET导通过程和自然零电压关断过程的实际过程，以便电子工程师了解哪个参数起主导作用并了解MOSFET. 更深入地MOSFET开关损耗1，通过过程中的MOSFET开关损耗功率M...
2021-10-22 17:35:5950 中的功率消耗或损耗、发送到功率半导体开关 (IGBT/MOSFET) 的功率以及驱动器 IC 和功率半导体开关之间的外部组件（例如外部栅极电阻器两端）的功率损耗。在以下示例中，我们将讨论使用 Avago ACPL-332J（2.5nApeak 智能栅极驱动器）的 IGBT 栅极驱动器设计。本
2021-06-14 03:51:002786 
为了匹配CREE SiC MOSFET的低开关损耗，栅极驱动器必须能够以快速压摆率提供高输出电流和电压，以克服SiC MOSFET的栅极电容。
2021-05-24 06:17:002002 
功率MOSFET的开关损耗分析。
2021-04-16 14:17:0241 电子发烧友网为你提供如何正确评估功率MOSFET的开关损耗？资料下载的电子资料下载，更有其他相关的电路图、源代码、课件教程、中文资料、英文资料、参考设计、用户指南、解决方案等资料，希望可以帮助到广大的电子工程师们。
2021-04-01 08:49:1511 摘要
IGBT/功率MOSFET是一种电压控制型器件，可用作电源电路、电机驱动器和其它系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET的另外两端是源极和漏极，而对于IGBT，它们被称为
2021-01-28 08:13:3820 不熟悉MOSFET或IGBT输入特性的设计人员首先根据数据表中列出的栅源或输入电容来确定元件值，从而开始驱动电路设计。基于栅极对源电容的RC值通常会导致栅极驱动严重不足。虽然栅极对源电容是一个重要
2020-03-09 08:00:0019 Mosfet的损耗主要有导通损耗，关断损耗，开关损耗，容性损耗，驱动损耗
2020-01-08 08:00:0011 MOSFET以及IGBT绝缘栅双极性大功率管等器件的源极和栅极之间是绝缘的二氧化硅结构，直流电不能通过，因而低频的表态驱动功率接近于零。但是栅极和源极之间构成了一个栅极电容Cgs，因而在高频率的交替
2019-07-03 16:26:554026 
熟练掌握高压MOSFET/IGBT栅极驱动设计
2019-05-07 06:34:001817 
MOSFET栅极驱动的振荡现象
2019-04-18 06:16:0023018 
通过故意损坏IGBT/MOSFET功率开关来研究栅极驱动器隔离栅的耐受性能。
2019-04-16 17:07:394585 
英飞凌提供500多种EiceDRIVER™栅极驱动器解决方案，用于驱动MOSFET、IGBT、SiC MOSFET 以及GaN HEMT。其中包括隔离型栅极驱动器、 电平转换栅极驱动器以及非隔离低边驱动器，从而满足各种功率半导体技术和功率转换拓扑的设计要求。
2019-01-29 09:58:3226113 
逆变器的功率密度，探讨了采用软开关技术的碳化硅 MOSFET 逆变器。 比较了不同开关频率下的零电压开关三相逆变器及硬开关三相逆变器的损耗分布和关键无源元件的体积， 讨论了逆变器效率和关键无源元件体积与开关频率之间的关系。 随着开关频率从数十 kHz 逐渐提升至数百
2018-10-08 08:00:0028 简介 开关电源行业的趋势朝着更高的转换频率以获得更高的功率密度急剧提高为。当这些频率推向超越一兆赫，MOSFET的过渡时期可以成为总开关周期的一个重要部分。与开关电压和电流重叠有关的损耗不仅降低
2017-06-27 11:02:5718 Diodes公司 （Diodes Incorporated） 新推出的DGD21xx系列包括六款半桥栅极驱动器及六款高/低侧600V栅极驱动器，可在半桥或全桥配置下轻易开关功率MOSFET与IGBT。
2016-03-14 18:13:231315 为了有效解决金属-氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）在通信设备直流-48 V缓启动应用电路中出现的开关损耗失效问题，通过对MOSFET 栅极电荷、极间电容的阐述和导通过程的解剖，定位了MOSFET 开关损耗的来源，进而为缓启动电路设计优化，减少MOSFET的开关损耗提供了技术依据。
2016-01-04 14:59:0537 新型40V逻辑电平栅极驱动芯片组包含AUIRL7732S2 MOSFET和AUIRL7736M2 MOSFET ，有助于最大限度减少DC-DC转换器的开关和传导损耗
2011-05-04 09:42:291106 本文讨论了屏蔽栅极MOSFET在中等电压MOSFET(40～300V)应用中的优势。
2011-03-30 16:44:241955 
摘要：从功率MOSFET内部结构和极间电容的电压依赖关系出发，对功率MOSFET的开关现象及其原因进行了较深入分析。从实际应用的角度，对功率MOSFET开关过程的功率损耗和所需驱动
2010-11-11 15:36:3853 摘要：介绍了一种用于功率MOSFET的谐振栅极驱动电路。该电路通过循环储存在栅极电容中的能量来实现减少驱动功率损耗的目的，从而保证了此驱动电路可以在较高的频率下工作。
2010-05-04 08:38:1253 开关电源中功率MOSFET的驱动技术荟萃
功率MOSFET以其导通电阻低和负载电流大的突出优点，已经成为开关电源（switch-mode power supplies，SMPS）整流组件的最佳选择，专
2010-03-01 11:00:181425 理解功率MOSFET的开关损耗
本文详细分析计算开关损耗，并论述实际状态下功率MOSFET的开通过程和自然零电压关断的过程，从而使电子工程师知道哪个参数起主导作用并
2009-10-25 15:30:593271 功率MOSFET的隔离式栅极驱动电路
2009-04-02 23:36:182075 
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