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编辑：黄飞
一文详解IGBT的失效机制
- IGBT(239759)
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在日常的电源设计中，半导体开关器件的雪崩能力、VDS电压降额设计是工程师不得不面对的问题，本文旨在分析半导体器件击穿原理、失效机制，以及在设计应用中注意事项。
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在当代高科技领域中，绝缘栅双极性晶体管（IGBT）无疑是一颗耀眼的明星，其在电力控制、能源转换和工业应用等领域的不可替代地位，让人们对其发展历史产生浓厚的兴趣。IGBT的强大功效和多重应用领域，使得
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IGBT逆变电路详解 IGBT逆变电路是一种高压、高功率驱动电路，广泛应用于工业、航空、船舶等领域。本文将为您详细介绍IGBT逆变电路的原理、结构、应用以及注意事项等内容。 一、IGBT逆变电
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838一文解析Linux中ARP学习和老化机制
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523一文解析IGBT结构、原理、电气特性
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一文详解开关电源PWM反馈机制
下图3和图4描述了开关电源PWM反馈机制。图3所示为不带PFC（功率因数校正）电路的低成本电源。图4显示了采用有源PFC设计的中高端电源。
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一文讲透IGBT 模块失效的机理
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2023-06-16 10:34:23352
352IGBT模块是如何失效的？
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IGBT模块是如何失效的？
IGBT模块主要由若干混联的IGBT芯片构成，个芯片之间通过铝导线实现电气连接。标准的IGBT封装中，单个IGBT还会并有续流二极管，接着在芯片上方灌以大量的硅凝胶，用塑料壳封装，IGBT单元堆叠结构如图1-1所示。
2023-05-30 08:59:52355
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IGBT模块主要失效形式
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2023-05-08 16:24:10270
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详解IGBT开关过程
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508IGBT失效及寿命预测
实际应用中，IGBT常见的两种失效机理：
突发失效：即自发的，不可预知的失效
渐变失效：可预测的失效，随着时间推移慢慢产生，制造商起着决定性的作用
1、突发失效：应用工程师的主要任务是通过
2023-02-24 15:08:58
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2一文看懂IGBT驱动
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1337IGBT失效原因分析
超出关断安全工作区引起擎住效应而损坏擎住效应分静态擎住效应和动态擎住效应。IGBT为PNPN4层结构。体内存在一个寄生晶闸管，在NPN晶体管的基极与发射极之间并有一个体区扩展电阻Rs,P型体内的横向空穴电流在Rs上会产生一定的电压降
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762引起IGBT失效的原因有几种
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