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ADMV4801 24至29.5 GHz TX/RX波束形成器技术手册

要长高 2025-04-09 10:22 次阅读
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概述
ADMV4801 是一款硅锗 (SiGe),频率为 24 GHz 至 29.5 GHz,毫米波,5G 波束成形器。该 RF IC 高度集成,包含 16 个独立的发射和接收通道。在传输模式下,RFC 输入信号使用 1:16 功率分配器进行分离,并通过 16 个独立的传输通道。在接收模式下,输入信号通过 16 个独立通道,并与 16:1 合路器组合到 RFC 引脚。在发射模式下,每个通道包括一个用于控制相位的矢量调制器 (VM) 和两个用于控制幅度的数字可变增益放大器 (DVGA)。在接收模式下,每个通道包括一个用于控制相位的 VM 和一个用于控制幅度的 DVGA。VM 在发射或接收模式下提供完整的 360° 相位调整范围,为 5.625° 相位步长提供 6 位分辨率。传输模式下的 DVGA 总动态范围调整范围为 34 dB,提供 6 位分辨率,产生 0.5 dB 的幅度步长,提供 5 位分辨率,产生 1 dB 的幅度步长。在接收模型中,总动态范围为 17 dB,提供 6 位分辨率,从而产生 0.5 dB 的幅度步长。DVGA 在整个增益范围内提供平坦的相位响应。发射通道包含单独的功率检测器,能够检测和校准每个通道增益以及通道间增益不匹配。ADMV4801 RF 端口可以直接连接到贴片天线,以创建双极化毫米波 5G 子阵列。
数据表:*附件:ADMV4801 24至29.5 GHz TX RX波束形成器技术手册.pdf

ADMV4801的编程可以使用 3 线或 4 线串行端口接口 (SPI) 完成。集成的片上低压差稳压器 (LDO) 为 SPI 电路生成 1.8 V 电源,以减少所需电源域的数量。提供各种 SPI 模式,可在正常工作期间实现快速启动和控制。每个通道的幅度和相位可以单独设置,也可以使用片上存储器同时对多个通道进行编程以进行波束成形。片上存储器可存储多达 256 个光束位置,可分配用于发射或接收模式。专用 load pin 提供同一阵列中所有器件的同步。提供发送和接收模式控制引脚,用于在发送和接收模式之间快速切换。

ADMV4801采用紧凑的散热增强型 10 mm × 10 mm 封装,符合 RoHS 标准基板栅格阵列 (LGA)。ADMV4801 可在 −40°C 至 +95°C 外壳温度范围内工作。这种 LGA 封装能够从封装的顶部对 ADMV4801 进行散热,以实现最高效的散热,并允许将天线灵活地放置在印刷电路板 (PCB) 的另一侧。

数据资料的整个数字中,Tx 表示发射(或发射器),Rx 表示接收(或接收器)。

应用

  • 5G 应用
  • 宽带通信
  • 测试和测量
  • 航空航天和国防

特性

  • RF 频率范围:24 GHz 至 29.5 GHz,将 n257、n258 和 n261 频段集成在一个空间内
  • 16 个可选的 TX 通道
  • 16 个可选的 RX 通道
  • 匹配的 50Ω 单端 RF 输入和输出
  • 通过高分辨率矢量调制器实现相位控制
  • 通过高分辨率 DGA 实现幅度控制
  • 温度补偿
  • 通过存储器存储 TX 和 RX 波束位置
  • 工作温度高达 95°C
  • 符合 3GPP 规范

功能框图
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引脚配置描述
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应用信息

为ADMV4801供电

ADMV4801 采用单一电源域,电压为3.3V。在ADMV4801内部集成了片上稳压器,可为芯片内所有电路生成所需的1.8V电源。所有电源引脚均属于同一电源域,可连接至单个电源电压,以实现集中式去耦。在ADMV4801电源引脚附近集成了去耦电容,具体如ADMV4801 - EVALZ所示。

散热片选择

顶部和底部散热片均可安装在该器件上,以实现有效的散热。

底部散热片要求在器件下方的电路板底层有大面积的裸露铜箔区域。

对于顶部散热片,其尺寸必须与器件匹配。尺寸过小的散热片可能导致散热效率低下。需使用导热界面材料(TIM)将顶部散热片连接至器件。TIM可填充器件与散热片之间的间隙,改善两者之间的热接触,从而提升器件和散热片的性能。建议使用厚度为0.5mm的TIM,以实现最佳的热传递和器件性能。

将散热片安装到器件上时,最大施加力需符合《绝对最大额定值》规定。为防止电路板弯曲,器件下方的电路板必须得到充分支撑。施加的力必须垂直于器件顶部,以确保压力均匀分布。

不同功率模式下的性能

发射模式的标称、中等和低功率模式数据

图82至图86展示了使用“不同功率模式的偏置控制”部分所讨论的偏置条件时,各参数的性能表现。
image.png

  • 图82. 不同功率模式下,单发射通道增益与频率的关系(最大增益)
  • image.png
  • 图83. 不同功率模式下,单发射通道输出功率(dB)与频率的关系(最大增益)
  • image.png
  • 图84. 不同功率模式下,单发射通道三阶交调截点(OIP3)与频率的关系(最大增益)
  • image.png
  • 图85. 不同功率模式下,单发射通道噪声系数与频率的关系
  • image.png
  • 图86. 16通道发射机功耗与每通道输出功率的关系(最大增益)

接收模式的标称、中等和低功率模式数据

image.png

  • 图87. 不同温度下,单接收通道增益与频率的关系(最大增益)
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