[问答]

基于4开关降压升压转换器的USB供电设计

问答对人有帮助，内容完整，我也想知道答案 0 USB已从供电有限的数据接口，发展为带有一个数据接口功能的重要供电部件。最新的USB 3.x协议支持更高水平的功率通量。默认电压为5V，USB-C端口能与插入的设备“协商”，将端口电压提高至20V。新供电要求中的一项独特挑战是如何使用一个4.5V-32V输入电压来提供一个5V-20V直流总线。一个4开关降压-升压转换器是合适的拓扑结构，提供降压或升压电源转换，因其可提供设计人员和客户所需的宽电压转换范围、正极性、高能效和小尺寸方案。安森美半导体用于USB供电和USB-C应用的NCP81239 4开关降压-升压控制器可以驱动4个开关，使转换器能够降压或升压，并支持用户满足USB供电（PD）规格，该规格适用于所有USB PD应用，如PC /笔记本电脑、移动电源和扩展口。在同步降压转换器中，有个现象众所周知，它称为“低端误导通”或“dv/dt电感导通”，这是造成击穿的罪魁祸首，有可能损坏开关并降低整个转换器的可靠性。然后，这一问题在4开关降压-升压转换器中翻了一番，因为它有两个阶段——降压和升压。当设计人员直接将降压转换器的电路参数复制到4开关降压-升压转换器的升压段时，就会产生错误。随着这种拓扑结构在应用中越来越受欢迎，了解dv/dt电感导通问题变得越来越重要。在4开关降压-升压转换器中，dv/dt电感导通是由同步整流MOSFET在降压段和升压段快速升高的漏源电压引起的。由于不需要的击穿电流流过任一相桥臂，结果导致整个系统能效下降。电源设计人员可采用几种经济的电路方案，包括最小化整流开关的关断门极驱动电阻，增加有源开关的导通门极驱动电阻，或在开关节点加入RC缓冲电路。选择具有低Qgd/Qgs(th)比率和高阈值电压的MOSFET也可降低dv/dt电感误导通的可能性。欲了解更多信息，请查阅四开关降压-升压转换器栅极驱动器设计注意事项。 0
2019-7-16 06:44:27　　评论淘帖0 邀请回答您可以邀请以下用户，快速回答问题 × wanqing192 该类别下有 6 个回答。邀请回答 raylue 该类别下有 5 个回答。邀请回答 zsjjx 该类别下有 5 个回答。邀请回答 xiezhe272 该类别下有 5 个回答。邀请回答 wyerwwr 该类别下有 5 个回答。邀请回答谦谦三君子该类别下有 4 个回答。邀请回答 moxlanlan 该类别下有 4 个回答。邀请回答 tianwuxue 该类别下有 4 个回答。邀请回答 5616asaqwq 该类别下有 4 个回答。邀请回答 shenzhenqide 该类别下有 4 个回答。邀请回答 cnmz 该类别下有 4 个回答。邀请回答 mashiquan123 该类别下有 4 个回答。邀请回答 Qwang_public 该类别下有 4 个回答。邀请回答 dfgsgdg 该类别下有 4 个回答。邀请回答红粉小Q猪该类别下有 4 个回答。邀请回答 xujun621 该类别下有 4 个回答。邀请回答帅帅的欧尼酱该类别下有 4 个回答。邀请回答 tunkanxi8082 该类别下有 4 个回答。邀请回答 sdvjuwwrw 该类别下有 4 个回答。邀请回答 ZQW发烧友该类别下有 4 个回答。邀请回答举报张梅相关推荐 • 请问设计高效非反向降压-升压转换器有什么技巧？ 1213 • 如何用碳化硅MOSFET设计一个双向降压-升压转换器？ 2526 • 降压转换器/升压转换器/压-升压转换器的结构分析 1485 • 用于便携式工业设备的小型高效降压-升压转换器 1689 • 单片降压升压型转换器LTC3130/-1能实现什么？ 2926 • LT3762同步升压型LED控制器 1573 • 具有GaN的汽车降压/反向升压转换器是如何实现高效48V配电的？ 2781 • 一款同步升压型LED控制器LT3762 1076 • 同步降压升压型控制器降低EMI 1567 • 如何为降压转换器选择正确的电容？ 1503 2个回答

答案对人有帮助，有参考价值 0 新供电要求中的一项独特挑战是如何使用一个4.5V-32V输入电压来提供一个5V-20V直流总线。一个4开关降压-升压转换器是合适的拓扑结构，提供降压或升压电源转换，因其可提供设计人员和客户所需的宽电压转换范围、正极性、高能效和小尺寸方案。安森美半导体用于USB供电和USB-C应用的NCP81239 4开关降压-升压控制器可以驱动4个开关，使转换器能够降压或升压，并支持用户满足USB供电（PD）规格，该规格适用于所有USB PD应用，如PC /笔记本电脑、移动电源和扩展口。在同步降压转换器中，有个现象众所周知，它称为“低端误导通”或“dv/dt电感导通”，这是造成击穿的罪魁祸首，有可能损坏开关并降低整个转换器的可靠性。

2019-7-16 17:15:13 评论举报李昕一

答案对人有帮助，有参考价值 0 然后，这一问题在4开关降压-升压转换器中翻了一番，因为它有两个阶段——降压和升压。当设计人员直接将降压转换器的电路参数复制到4开关降压-升压转换器的升压段时，就会产生错误。随着这种拓扑结构在应用中越来越受欢迎，了解dv/dt电感导通问题变得越来越重要。在4开关降压-升压转换器中，dv/dt电感导通是由同步整流MOSFET在降压段和升压段快速升高的漏源电压引起的。由于不需要的击穿电流流过任一相桥臂，结果导致整个系统能效下降。电源设计人员可采用几种经济的电路方案，包括最小化整流开关的关断门极驱动电阻，增加有源开关的导通门极驱动电阻，或在开关节点加入RC缓冲电路。选择具有低Qgd/Qgs(th)比率和高阈值电压的MOSFET也可降低dv/dt电感误导通的可能性。欲了解更多信息，请查阅四开关降压-升压转换器栅极驱动器设计注意事项。

2019-7-16 17:15:15 评论举报李晓婷