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【作者】:王祖军;陈伟;张勇;唐本奇;肖志刚;黄绍艳;刘敏波;刘以农;
【来源】:《原子能科学技术》2010年02期 【摘要】:分析了中子辐照诱导Si PIN光电二极管暗电流增大现象的机理,建立了Si PIN光电二极管的器件物理模型和中子辐照效应模型。运用MEDICI软件进行数值模拟计算,得出了1MeV中子在辐照注量为1010~1014cm-2时,Si PIN光电二极管暗电流变化的初步规律。数值模拟结果与相关文献给出的实验结果吻合较好。 【关键词】:PIN光电二极管;;中子辐照;;暗电流;;数值模拟 【DOI】:CNKI:SUN:YZJS.0.2010-02-020 【正文快照】:暗电流是Si PIN光电二极管的一个重要参数,在无光照时,Si PIN光电二极管仅有很小的反向漏电流ID(ID也称为暗电流)流过。中子辐照导致Si PIN光电二极管暗电流增大,从而使Si PIN光电二极管探测器噪声功率变大,探测灵敏度降低,影响探测器的探测性能。通过对中子辐照Si PIN光电二极 NFCvLbg89KsCuPze5Z%252F6PQZ9QpsaRaAe7GICPEtpHmrChWucOA3bWDWPirA4GPqDjTzdnSdCdJkAJPWsAdw%3d%3d&url=http:%2F%2Fwww.cnki.com.cn%2FArticle%2FCJFDTOTAL-YZJS201002020.htm" target="_blank"> |
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