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【作者】:赵凯;高见头;杨波;李宁;于芳;刘忠立;肖志强;洪根深;
【来源】:《信息与电子工程》2010年01期 【摘要】:提高静态随机存储器(SRAM)的抗单粒子能力是当前电子元器件抗辐射加固领域的研究重点之一。体硅CMOS SRAM不作电路设计加固则难以达到较好抗单粒子能力,作电路设计加固则要在芯片面积和功耗方面做出很大牺牲。为了研究绝缘体上硅(SOI)基SRAM芯片的抗单粒子翻转能力,突破了SOI CMOS加固工艺和128kb SRAM电路设计等关键技术,研制成功国产128kb SOI SRAM芯片。对电路样品的抗单粒子摸底实验表明,其抗单粒子翻转线性传输能量阈值大于61.8MeV/(mg/cm2),优于未做加固设计的体硅CMOS SRAM。结论表明,基于SOI技术,仅需进行器件结构和存储单元的适当考虑,即可达到较好的抗单粒子翻转能力。 【关键词】:绝缘体上硅;;静态随机存储器;;抗单粒子翻转;;设计加固 【DOI】:CNKI:SUN:XXYD.0.2010-01-023 【正文快照】:静态随机存储器(SRAM)是航天电子系统中关键元器件之一,对单粒子事件较为敏感。航天实践发现,单粒子事件是影响航天器在轨寿命和可靠性的重要因素[1-3]。提高SRAM电路的抗单粒子能力,是当前电子元器件抗辐射加固领域的研究重点之一。商用体硅SRAM的抗单粒子翻转(SEU)水平相对较 NFCvLbg89KsCuPze5Z71uce94ewQDzHgUp9AdB2NzvJwi%252FTTbZOXClDE2Nbz7PqDjTzdnSdCdJkAJPWsAdw%3d%3d&url=http:%2F%2Fwww.cnki.com.cn%2FArticle%2FCJFDTOTAL-XXYD201001023.htm" target="_blank"> |
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