新型互补电容耦合ESD保护电路的设计

2009-12-23 16:33:58 7227

0 新型互补电容耦合ESD保护电路的设计提出了一种改进型的基于亚微米工艺中ESD 保护电路, 它由互补式电容实现, 结构与工艺简单。电路采用0.6μm1P2MCMOS 工艺进行了验证, 结果表明, ESD 失效电压特性有较明显改善, 可达3000V 以上。 This paper proposes a modified Capacitor - Couple CMOS ESD protection circuit fabricated by submicron CMOS processes. This protection circuit has been practically used to rescue a 0.6μm 1P2M CMOS IC product with a pin- to- pin HBMESD level from the original level of 1000V to above 3000V. ESD 保护电路逐渐成为集成电路可靠性中最关键的技术之一, 据统计1 /3 以上集成电路产品失效是由ESD 原因造成的[1~3]。设计公司对ESD 保护电路的研究十分关注, 而对于一般的Fabless 设计公司而言, 常采用多项目晶园(Multi Project Wafer,MPW) 投片方式, 实现ESD 保护受到了工艺线的局限。因此, 一般的Fabless 公司希望在工艺兼容的基础上, 提高芯片的ESD 保护能力。游客，如果您要查看本帖隐藏内容请回复 0
2009-12-23 16:33:58　　评论淘帖0 举报相关推荐 • 电容触摸屏的ESD保护电路 996 • 新型TVS ESD 系列保护器件 558 • 电容在ESD中的应用—耦合效应 3334 • ESD保护电路设计法则 2553 • 什么是ESD（静电放电）及ESD保护电路的设计 3398 • 如何设计ESD保护电路？ 4491 • ESD保护电路的设计pdf 3160 • ESD（静电放电）介绍及ESD保护电路的设计 5426 • ESD静电保护：ESD电容 9151 • [转帖]新型保护器件应对ESD设计挑战 2314 28 个讨论